ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 597
181 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Электрофизические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 156.
182 Коханенко А.П., Лозовой К.А., Духан Р.М. Х., Дирко В.В., Войцеховский А.В. Оптимизация режимов эпитаксиального синтеза структур с квантовыми точками для фотоприемников и солнечных элементов //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 107.
183 Радиационные донорные дефекты в имплантированных As пленках МЛЭ CdHgTe: пространственное распределение и природа / Коротаев А.Г., Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А. [и др.] // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 57. DOI: 10.34077/RCSP2019-57
184 Electrical properties of nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Infrared Physics and Technology. 2019. Vol. 102. P. 103035-1‒103035-4. DOI: 10.1016/j.infrared.2019.103035
185 Средин В.Г., Войцеховский А.В., Сахаров М.В., Талипов Н.Х. Вклад механических напряжений в формирование поверхностного рельефа при лазерном облучении полупроводников // Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 125‒128. DOI: 10.17223/00213411/62/6/125
186 Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий - ртуть - теллур / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 118‒124. DOI: 10.17223/00213411/62/6/118
187 Capacitive Properties of Metal-Insulator-Semiconductor Systems Based on an HgCdTe nBn Structure Grown by Molecular Beam Epitaxy / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2019. Vol. 64, № 3. P. 289‒293. DOI: 10.1134/S1064226919030197
188 Admittance of Organic LED Structures with an Emission YAK-203 Layer / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Kopy'lova T.N. [et al] // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 62, № 2. P. 306‒313. DOI: 10.1007/s11182-019-01713-z
189 Electrophysical Characteristics of the Pentacene-based MIS Structures with a SiO2 Insulator / Novikov V.A., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M. [et al] // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 62, № 1. P. 90‒99. DOI: 10.1007/s11182-019-01687-y
190 Influence of composition of Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation / Voitsekhovskii A.V., Grigoryev D.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P. [et al] // Materials Research Express. 2019. Vol. 6, № 7. P. 075912-1‒075912-8. DOI: 10.1088/2053-1591/ab1724
191 Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе n-Hg0,78Cd0,22Te с приповерхностными варизонными слоями / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Прикладная физика. 2019. № 2. С. 28‒32.
192 Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis / Izhnin I.I., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Infrared Physics and Technology. 2019. Vol. 98. P. 230‒235. DOI: 10.1016/j.infrared.2019.03.019
193 A.V. Voitsekhovskii, Nesmelov S.N., S.M. Dzyadukh. Peculiarities of Modeling the Frequency Dependences of Admittance of MIS Structure Based on Organic P3HT Film with an Insulator Al2O3 Layer // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 61, № 11. P. 2126‒2134. DOI: 10.1007/s11182-019-01646-7
194 Соснин Э.А. Теория решения изобретательских задач в фотонике : учебное пособие / под ред.: Войцеховский А.В., Солдатов А.Н. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. 336 с.
195 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0,78Cd0,22Te с приповерхностными варизонными слоями / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Прикладная физика. 2019. № 1. С. 46‒50.
196 Адмиттанс органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203 / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 2. С. 107‒113.
197 Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2 / Новиков В.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 79‒87.
198 Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis / Izhnin I.I., Dvoretsky S.A., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G. [et al] // Semiconductor Science and Technology. 2019. Vol. 34, № 3. P. 035009-1‒035009-7. DOI: 10.1088/1361-6641/aafc6a
199 Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitorswith SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9-300 K / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Novikov V.A., Dzyadukh S.M. [et al] // Thin Solid Films. 2019. Vol. 692. P. 1‒7. DOI: 10.1016/j.tsf.2019.137622
200 Nano-size defects in arsenic-implanted HgCdTe films: a HRTEM study / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Applied Nanoscience. 2019. Vol. 9, № 5. P. 725‒730. URL: https://link.springer.com/content/pdf/10.1007%2Fs13204-018-0679-y.pdf (date of access: 12.10.2018).
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность