Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 584
181 Соснин Э.А. Теория решения изобретательских задач в фотонике : учебное пособие / под ред.: Войцеховский А.В., Солдатов А.Н. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. 336 с.
182 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0,78Cd0,22Te с приповерхностными варизонными слоями / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Прикладная физика. 2019. № 1. С. 46‒50.
183 Адмиттанс органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203 / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 2. С. 107‒113.
184 Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2 / Новиков В.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 79‒87.
185 Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis / Izhnin I.I., Dvoretsky S.A., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G. [et al] // Semiconductor Science and Technology. 2019. Vol. 34, № 3. P. 035009-1‒035009-7. DOI: 10.1088/1361-6641/aafc6a
186 Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitorswith SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9-300 K / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Novikov V.A., Dzyadukh S.M. [et al] // Thin Solid Films. 2019. Vol. 692. P. 1‒7. DOI: 10.1016/j.tsf.2019.137622
187 Nano-size defects in arsenic-implanted HgCdTe films: a HRTEM study / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Applied Nanoscience. 2019. Vol. 9, № 5. P. 725‒730. URL: https://link.springer.com/content/pdf/10.1007%2Fs13204-018-0679-y.pdf (date of access: 12.10.2018).
188 Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercurycadmium telluride / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Opto-Electronics Review. 2019. Vol. 27, № 1. P. 14‒17. DOI: 10.1016/j.opelre.2019.01.002
189 Luminescence studies of HgCdTe- and InAsSb- based quantum well structures / Izhnin I.I., Izhnin A.I., Fitsych O.I., Vojcexovskij A.V. [et al] // Applied Nanoscience. 2019. Vol. 9, № 5. P. 1‒6. DOI: 10.1007/s13204-018-0760-6
190 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Моделирование емкостных характеристик гибридных органо-неорганических систем с учетом влияния последовательного сопротивления и состояний на границе раздела //Актуальные проблемы оптотехники : сб. материалов Национальной науч.-техн. конф. Новосибирск: СГУГиТ, 2018. С. 61-65.
191 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Электрофизические характеристики многослойных структур для органических светодиодов //Актуальные проблемы оптотехники : сб. материалов Национальной науч.-техн. конф. Новосибирск: СГУГиТ, 2018. С. 66-70.
192 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Духан Р.М. Влияние разброса размеров наноостровков на темновой ток фотоприемников с квантовыми точками // Прикладная физика. 2018. № 6. С. 35‒42.
193 Релаксация электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ при воздействии высокочастотного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления / Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Ермаченков П.А., Тарасенко В.Ф. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 8/2. С. 132‒136.
194 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки РЗНТ с диэлектрическим слоем Al2O3 // Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 11. С. 162‒169.
195 Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films / Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1115. P. 032063-1‒032063-5. DOI: 10.1088/1742-6596/1115/3/032063
196 Investigation of the effect of soft X-ray radiation on the electrophysical characteristics of n-CdxHg1-xTe epitaxial layers / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Sredin V.G. [et al] // Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1115. P. 032057-1‒032057-5. DOI: 10.1088/1742-6596/1115/3/032057
197 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К //Сборник трудов X Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики – 2018», Санкт-Петербург, 15-19 окт. 2018 г. СПб.: Университет ИТМО, 2018. С. 395-397.
198 Профили структурных дефектов в имплатированных мышьяком эпитаксиальных пленках CdHgTe по данным оптического отражения / Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д. [и др.] // Сборник трудов X Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики – 2018», Санкт-Петербург, 15-19 окт. 2018 г. СПб.: Университет ИТМО, 2018. С. 389‒390.
199 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Lozovoy K.A. Numerical simulation of the effect of slow surface states of a nanosized transition layer on the admittance of hybrid organic-inorganic systems // STRANN-2018. State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, VI International Conference, 17-19 october 2018, Moscow : abstracts. [S. l.], 2018. P. 183‒185.
200 Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A. Modeling of epitaxial quantum dots growth with respect to the interactions between islands // STRANN-2018. State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, VI International Conference, 17-19 october 2018, Moscow : abstracts. [S. l.], 2018. P. 181‒182.