ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 597
161 Адмиттанс многослойных органо-неорганических систем на основе пентацена в широком диапазоне температур / Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Копылова Т.Н. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 366‒367.
162 Подвижность носителей заряда в OLED структурах с излучающими слоями ЯК-203 и Alq3 / Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 364‒365.
163 Войцеховская О.К., Войцеховский А.В. Гибридный подход к разработке лазерных систем зондирования газово-аэрозольных сред // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 282.
164 Voitsekhovskaya O.K., Voitsekhovskii A.V. Designing laser systems for the diagnosis of gas-aerosol media // Pulsed lasers and laser applications. AMPL-2019 : abstracts of XIV International Conference. Tomsk: STT, 2019. P. 82.
165 Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Akimenko N.Yu., Voitsekhovskii A.V. Evolution of Epitaxial Quantum Dots Formed by Volmer–Weber Growth Mechanism //Crystal Growth & Design. 2019. Vol. 19, № 12. P. 7015-7021.
166 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках //XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 2. М.: Перо, 2019. С. 439.
167 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Диагностика многослойных структур на основе органических полупроводников при помощи методов спектроскопии адмиттанса и переходной электролюминесценции //XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 2. М.: Перо, 2019. С. 373.
168 Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А. [и др.] // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 2. М.: Перо, 2019. С. 324. DOI: 10.34077/Semicond2019-324
169 Средин В.Г., Сахаров М.В., Войцеховский А.В. Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 1. М.: Перо, 2019. С. 134. DOI: 10.34077/Semicond2019-134
170 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Дирко В.В., Войцеховский А.В. Кинетические модели роста наноструктур по механизмам Франка-ван дер Мерве, Фольмера-Вебера и Странского-Крастанова //XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 1. М.: Перо, 2019. С. 111.
171 Current-voltage characteristics of nBn structures based on mercury cadmium telluride epitaxial films / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 62, № 6. P. 1054‒1061. DOI: 10.1007/s11182-019-01813-w
172 Sredin V.G., Voitsekhovskii A.V., Sakharov M.V., Talipov N. Kh. Contribution of mechanical stresses to the surface relief formation under laser irradiation of semiconductors // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 62, № 6. P. 1062‒1065. DOI: 10.1007/s11182-019-01814-9
173 Admittance Characteristics of nBn Structures Based on Hgcdte Grown by Molecular Beam Epitaxy / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 62, № 5. P. 818‒826. DOI: 10.1007/s11182-019-01783-z
174 Admittance dependences of the mid-wave infrared barrier structure based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Materials Research Express. 2019. Vol. 6, № 11. P. 116411-1‒116411-7. DOI: 10.1088/2053-1591/ab444f
175 Электрофизические и излучательные свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем Alq3 / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Коханенко А.П., Дирко В.В. [и др.] // VIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2019. С. 405‒406.
176 Термические отжиги имплантированных мышьяком МЛЭ пленок CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А. [и др.] // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 177. DOI: 10.34077/RCSP2019-177
177 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Адмиттанс гибридных органо-неорганических структур на основе пентацена в широком диапазоне температур //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 165.
178 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П. Электрофизические и оптические свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203 //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 164.
179 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Диагностика МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при высокой плотности медленных поверхностных состояний //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 157.
180 Средин В.Г., Войцеховский А.В. Модель дефектообразования в CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучении // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 130. DOI: 10.34077/RCSP2019-130
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность