Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 628
161 Growth of germanium quantum dots on oxidized silicon surface / Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Voitsekhovsky A.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 296‒302. DOI: 10.1007/s11182-020-02035-1
162 Localization and nature of radiation donor defects in arsenic implanted MBE CdHgTe films grown by MBE / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 290‒295. DOI: 10.1007/s11182-020-02034-2
163 Nano-size defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy / Izhnin I.I., Korotaev A.G., Voitsekhovsky A.V., Mikhailov N.N. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 12. P. 4971‒4976. DOI: 10.1007/s13204-020-01327-9
164 Hall-effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / Korotaev A.G., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N. [et al] // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 393. P. 125721-1‒125721-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2020.125721
165 Epitaxial fabrication of 2D materials of group IV elements / Izhnin I.I., Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Voitsekhovskii A.V. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 12. P. 4375—4383. DOI: 10.1007/s13204-020-01372-4
166 Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Nesmelov S.N. [et al] // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 392. P. 125760-1‒125760-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2020.125760
167 Unipolar superlattice structures based on MBE HgCdTe for infrared detection / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dziadukh S.M. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 12. P. 4571‒4576. DOI: 10.1007/s13204-020-01297-y
168 TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells / Bonchik A.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z, Morgiel J. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2867‒2871. DOI: 10.1007/s13204-019-01142-x
169 Interaction between islands in kinetic models of epitaxial growth of quantum dots / Izhnin I.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2527—2533. DOI: 10.1007/s13204-019-00965-y
170 Адмиттансные характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 5. С. 77‒85. DOI: 10.17223/00213411/62/5/77
171 Униполярные полупроводниковые барьерные структуры для матричных фотоприемных устройств ИК-диапазона / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Успехи прикладной физики. 2019. Т. 7, № 6. С. 547‒559.
172 Современное состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур на основе теллурида кадмия и ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Нано- и микросистемная техника. 2019. Т. 21, № 12. С. 726‒737. DOI: 10.17587/nmst.21.726-737
173 Исследование параметров дефектов в многослойных органических структурах путем низкотемпературных измерений адмиттанса / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П. [и др.] // Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Восьмая Международная конференция, посвященная 150-летию открытия Д.И. Менделеевым Периодического закона химических элементов. Актуальные проблемы современного материаловедения. Третья Международная Школа Молодых Ученых, 5-8 ноября 2019 г., Москва : тезисы докладов. М., 2019. С. 74. DOI: 10.26201/ISSP.2019.45.557/Def.Mater.53
174 Механизмы формирования темнового тока в униполярных барьерных структурах на основе КРТ, вырашенного методом молекулярно-лучевой эптаксии / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Восьмая Международная конференция, посвященная 150-летию открытия Д.И. Менделеевым Периодического закона химических элементов. Актуальные проблемы современного материаловедения. Третья Международная Школа Молодых Ученых, 5-8 ноября 2019 г., Москва : тезисы докладов. М., 2019. С. 73. DOI: 10.26201/ISSP.2019.45.557/Def.Mater.52
175 Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Bonchyk O.Yu. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 493.
176 Epitaxial synthesis of 2D materials of group IV elements / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Dirko V.V. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 65.
177 Unipolar superlattice structures based on MBE HgCdTe for infrared detection / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 489.
178 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Лозовой К.А., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю. Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования излучения в спектральном диапазоне 3-5 мкм //Фундаментальные проблемы оптики – 2019. ФПО-2019 : сборник трудов XI Международной конференции, Санкт-Петербург, 21-25 октября 2019 г. СПб.: Университет ИТМО, 2019. С. 331-333.
179 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М., Новиков В.А. Электрофизическая и оптическая диагностика новых типов многослойных структур для приборов органической фотоники //Фундаментальные проблемы оптики – 2019. ФПО-2019 : сборник трудов XI Международной конференции, Санкт-Петербург, 21-25 октября 2019 г. СПб.: Университет ИТМО, 2019. С. 299-302.
180 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Дирко В.В., Духан Р.М. Параметры фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками Ge/Si //Фундаментальные проблемы оптики – 2019. ФПО-2019 : сборник трудов XI Международной конференции, Санкт-Петербург, 21-25 октября 2019 г. СПб.: Университет ИТМО, 2019. С. 296-297.