Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 590
161 Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А. [и др.] // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 2. М.: Перо, 2019. С. 324. DOI: 10.34077/Semicond2019-324
162 Средин В.Г., Сахаров М.В., Войцеховский А.В. Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 1. М.: Перо, 2019. С. 134. DOI: 10.34077/Semicond2019-134
163 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Дирко В.В., Войцеховский А.В. Кинетические модели роста наноструктур по механизмам Франка-ван дер Мерве, Фольмера-Вебера и Странского-Крастанова //XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 1. М.: Перо, 2019. С. 111.
164 Current-voltage characteristics of nBn structures based on mercury cadmium telluride epitaxial films / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 62, № 6. P. 1054‒1061. DOI: 10.1007/s11182-019-01813-w
165 Sredin V.G., Voitsekhovskii A.V., Sakharov M.V., Talipov N. Kh. Contribution of mechanical stresses to the surface relief formation under laser irradiation of semiconductors // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 62, № 6. P. 1062‒1065. DOI: 10.1007/s11182-019-01814-9
166 Admittance Characteristics of nBn Structures Based on Hgcdte Grown by Molecular Beam Epitaxy / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 62, № 5. P. 818‒826. DOI: 10.1007/s11182-019-01783-z
167 Admittance dependences of the mid-wave infrared barrier structure based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Materials Research Express. 2019. Vol. 6, № 11. P. 116411-1‒116411-7. DOI: 10.1088/2053-1591/ab444f
168 Электрофизические и излучательные свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем Alq3 / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Коханенко А.П., Дирко В.В. [и др.] // VIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2019. С. 405‒406.
169 Термические отжиги имплантированных мышьяком МЛЭ пленок CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А. [и др.] // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 177. DOI: 10.34077/RCSP2019-177
170 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Адмиттанс гибридных органо-неорганических структур на основе пентацена в широком диапазоне температур //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 165.
171 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П. Электрофизические и оптические свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203 //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 164.
172 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Диагностика МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при высокой плотности медленных поверхностных состояний //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 157.
173 Средин В.Г., Войцеховский А.В. Модель дефектообразования в CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучении // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 130. DOI: 10.34077/RCSP2019-130
174 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Электрофизические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 156.
175 Коханенко А.П., Лозовой К.А., Духан Р.М. Х., Дирко В.В., Войцеховский А.В. Оптимизация режимов эпитаксиального синтеза структур с квантовыми точками для фотоприемников и солнечных элементов //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 107.
176 Радиационные донорные дефекты в имплантированных As пленках МЛЭ CdHgTe: пространственное распределение и природа / Коротаев А.Г., Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А. [и др.] // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 57. DOI: 10.34077/RCSP2019-57
177 Electrical properties of nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Infrared Physics and Technology. 2019. Vol. 102. P. 103035-1‒103035-4. DOI: 10.1016/j.infrared.2019.103035
178 Средин В.Г., Войцеховский А.В., Сахаров М.В., Талипов Н.Х. Вклад механических напряжений в формирование поверхностного рельефа при лазерном облучении полупроводников // Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 125‒128. DOI: 10.17223/00213411/62/6/125
179 Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий - ртуть - теллур / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 118‒124. DOI: 10.17223/00213411/62/6/118
180 Capacitive Properties of Metal-Insulator-Semiconductor Systems Based on an HgCdTe nBn Structure Grown by Molecular Beam Epitaxy / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2019. Vol. 64, № 3. P. 289‒293. DOI: 10.1134/S1064226919030197