ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 605
261 Kirill A. Lozovoy, Andrey P. Kokhanenko, Alexander V. Voitsekhovskii. Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems // Surface Science. 2018. Vol. 669. P. 45—49. DOI: 10.1016/j.susc.2017.11.006
262 А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, Г.Ю. Сидоров, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев. Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2 "Физика взаимодействия электромагнитного излучения с веществом". С. 202-205.
263 С.Н. Несмелов, А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух. Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2 "Физика взаимодействия электромагнитного излучения с веществом". С. 198‒201.
264 В.Г. Средин, А.В. Войцеховский, О.Б. Ананьин, И.И. Ижнин, А.П. Мелехов, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. Генерация поверхностных дефектов в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 132-134.
265 Н.Д. Исмайлов, Н.Х. Талипов, А.В. Войцеховский. Высокочувствительные двухслойные фоторезисторы на основе р-CdxHg1-xTe с конвертированным приповерхностным слоем // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 122‒127.
266 К.А. Лозовой, А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский. Расчет критической толщины перехода по СтранскомуКрастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si //Актуальные проблемы радиофизики : сб. тр. VII Междунар. науч.-практ. конф., г. Томск, 18-22 сент. 2017 г. Томск: STT, 2017. С. 257-260.
267 K A Lozovoy, A A Pishchagin, A P Kokhanenko, A V Voitsekhovskii. Estimation of critical thickness of StranskiKrastanow transition in GeSi/Sn/Si system // Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. P. 032012-1‒032012-3. DOI: 10.1088/1742-6596/917/3/032012
268 Горн Д.И., Войцеховский А.В. Пути создания примников ИК-излучения на основе nBn структур CdHgTe // Сборник трудов X Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика-2017», С.-Петерб., 16-20 окт. 2017 г. СПб.: Университет ИТМО, 2017. С. 375‒376.
269 Горн Д.И., Войцеховский А.В. Фотолюминесценция в одиночных квантовых ямах HgCdTe // Сборник трудов X Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика-2017», С.-Петерб., 16-20 окт. 2017 г. СПб.: Университет ИТМО, 2017. С. 374.
270 Modification of electrophysical parameters of HgCdTe epitaxial heterostructures under the action of a pulsed nanosecond discharge in gas environment at atmospheric-pressure / D.V. Grigoryev, A.V. Voitsekhovskii, V.F. Tarasenko, M.A. Shulepov [et al] // Pulsed lasers and laser applications AMPL-2017 : abstracts of XIII International Conference. Tomsk: STT, 2017. P. 139‒140.
271 А.П. Коханенко, К.А. Лозовой, А.В. Войцеховский. Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111) //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27.
272 Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Г.Ю. Сидоров [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 3‒12.
273 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1xTe в процессе отжига в равновесных парах ртути // XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 окт. 2017 г. Екатеренбург : тез. докл. Екатеринбург, 2017. С. 323.
274 Дефекты в имплантированных As МЛЭ структурах CdHgTe / Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г. [и др.] // XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 окт. 2017 г. Екатеренбург : тез. докл. Екатеринбург, 2017. С. 301.
275 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Кинетика формирования наноструктур с квантовыми точками в системах GexSi1-x/Sn/Si и GexSnySi1-x-y/Si // XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 окт. 2017 г. Екатеренбург : тез. докл. Екатеринбург, 2017. С. 96.
276 Luminescence studies of HgCdTe-and InAsSb-based quantum well structures / Izhnin I.I., Izhnin A.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 560.
277 Nanostructures with G-Si quantum dots for infrared photodetectors / Izhnin I.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko А.Р. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 559.
278 Nanosize defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films / Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel Y. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 544.
279 Defect Structure of Arsenic Implanted HgCdTe Layers by HRTEM / Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Swiatek Z, Y. Morgiel [et al] // XVI International Conference Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems (dedicated to memory Professor Dmytro Freik) : materials. Ivano-Frankivsk, 2017. P. 270.
280 Electrical characterizations of MIS structures based on variable-gap n(p)-HgCdTe grown by MBE on Si(0 1 3) substrates / A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, V.S. Varavin [et al] // Infrared Physics and Technology. 2017. Vol. 87. P. 129‒133. DOI: 10.1016/j.infrared.2017.10.006
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность