ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 593
261 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1xTe в процессе отжига в равновесных парах ртути // XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 окт. 2017 г. Екатеренбург : тез. докл. Екатеринбург, 2017. С. 323.
262 Дефекты в имплантированных As МЛЭ структурах CdHgTe / Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г. [и др.] // XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 окт. 2017 г. Екатеренбург : тез. докл. Екатеринбург, 2017. С. 301.
263 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Кинетика формирования наноструктур с квантовыми точками в системах GexSi1-x/Sn/Si и GexSnySi1-x-y/Si // XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 окт. 2017 г. Екатеренбург : тез. докл. Екатеринбург, 2017. С. 96.
264 Luminescence studies of HgCdTe-and InAsSb-based quantum well structures / Izhnin I.I., Izhnin A.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 560.
265 Nanostructures with G-Si quantum dots for infrared photodetectors / Izhnin I.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko А.Р. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 559.
266 Nanosize defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films / Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel Y. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 544.
267 Defect Structure of Arsenic Implanted HgCdTe Layers by HRTEM / Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Swiatek Z, Y. Morgiel [et al] // XVI International Conference Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems (dedicated to memory Professor Dmytro Freik) : materials. Ivano-Frankivsk, 2017. P. 270.
268 Electrical characterizations of MIS structures based on variable-gap n(p)-HgCdTe grown by MBE on Si(0 1 3) substrates / A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, V.S. Varavin [et al] // Infrared Physics and Technology. 2017. Vol. 87. P. 129‒133. DOI: 10.1016/j.infrared.2017.10.006
269 Electrical Properties of the MIS Structures Based on MBE HgCdTe with SiO2/Si3N4 and Al2O3 Insulating Layers / I. Izhnin, A. Voitsekhovskii, S. Nesmelov, S. Dzyadukh [et al] // International Conference on Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications (OMEE-2017) : book of abstracts may 29 - june 2, 2017 Lviv. Lviv, 2017. P. 37. 1 electron. opt. disc. (CD-ROM).
270 Поверхностное дефектообразование в Cdx Hg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы / Средин В.Г., Войцеховский А.В., Ананьин О.Б., Мелехов А.П. [и др.] // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" посвященная памяти профессора С.С. Горелика, 2-5 окт. 2017 г. Москва. Вторая Международная Школа Молодых Ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения" : тез. докл. [М.], 2017. С. 198. 1 электрон. опт. диск (CD-ROM).
271 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" посвященная памяти профессора С.С. Горелика, 2-5 окт. 2017 г. Москва. Вторая Международная Школа Молодых Ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения" : тез. докл. [М.], 2017. С. 128. 1 электрон. опт. диск (CD-ROM).
272 Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Г.Ю. [и др.] // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" посвященная памяти профессора С.С. Горелика, 2-5 окт. 2017 г. Москва. Вторая Международная Школа Молодых Ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения" : тез. докл. [М.], 2017. С. 58. 1 электрон. опт. диск (CD-ROM).
273 Исследование барьерных структур на основе КРТ для создания фотодиодных приемников ИК-диапазона / А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух [и др.] // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 118.
274 И.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, А.В. Войцеховский, А.Г. Коротаев, К.Д. Мынбаев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, А.Ю. Бончик, Г.В. Савицкий, З. Свёнтек. Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 10. С. 92-97.
275 Interface properties of MIS structures based on hetero-epitaxial graded-gap Hg1-xCdxTe with CdTe interlayer created in situ during MBE growth / Alexander V. Voitsekhovskii, Sergey N. Nesmelov, Stanislav M. Dzyadukh, Vasiliy S. Varavin [et al] // Superlattices and Microstructures. 2017. Vol. 111. P. 1195‒1202. DOI: 10.1016/j.spmi.2017.08.025
276 Диагностика электрофизических параметров структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для пассивации поверхности инфракрасных детекторов / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, В.С. Варавин [и др.] // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 117.
277 А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский, К.А. Лозовой. Моделирование процессов формирования квантовых точек в системе GeSn/Si //Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 90.
278 Дефектная структура в As имплантированных пленках CdHgTe, полученных методом МЛЭ / И.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, А.В. Войцеховский, А.Г. Коротаев [и др.] // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 65.
279 Н.Х. Талипов, А.В. Войцеховский. Многоэлементные фотоприемники ультрафиолетового диапазона на основе алмаза //Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 27.
280 Поверхностные дефекты в эпитаксиальных слоях твердых растворов CdxHg1-xTe, создаваемые мягким рентгеновским излучением / В.Г. Средин, А.В. Войцеховский, О.Б. Ананьин, А.П. Мелехов [и др.] // Прикладная физика. 2017. № 5. С. 59‒63.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность