Войцеховский Александр Васильевич

Научные основы технологии инфракрасных детекторов MWIR и LWIR диапазонов с пониженными темновыми токами на основе униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками

Физико-технологические основы сенсоров электромагнитного излучения от видимого до радиоволнового диапазона частот

Физико-технологические основы создания униполярных барьерных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для инфракрасных детекторов с пониженными темновыми токами

Разработка физических основ функционирования и создание гибридных органо-неорганических систем для фотопреобразователей и солнечных элементов видимого и инфракрасного диапазонов

Комплексное изучение свойств фоточувствительных и светоизлучающих структур нового поколения на базе наноструктур полупроводниковых соединений A2B6, А3В6 и A4B4

Физико-технологические основы создания различных типов фоточувствительных структур на основе полупроводниковых соединений A2B6, A4B4, A3B5 и фотоприёмников на их основе

Разработка высокочувствительных элементов оптических систем различного назначения на основе поверхностно-барьерных наноструктур из варизонного HgCdTe, выращенного методом МЛЭ на альтернативных подложках

Разработка физических основ получения, модификации и исследование оптических и электрофизических характеристик различных наноматериалов и наноструктур на основе полупроводниковых соединений A2B6, A4B4, A3B5 с квантовыми ямами, квантовыми точками и другими нановключениями

Информационно-программное обеспечение оперативной дистанционной диагностики высокотемпературных газово-аэрозольных сред оптико-физическими методами

Разработка метода технологического контроля приповерхностной области полупроводника, диэлектрического покрытия, границы раздела диэлектрик-полупроводник гетероэпитаксиальных структур ртуть-кадмий-теллур для разработки технологических процессов изготовления матричных фотоприемников. Шифр НИР "Метрика"

Разработка физических основ получения и модификации свойств, а также проведение исследований оптических и электрофизических характеристик наногетероструктур на основе полупроводниковых соединений CdHgTe, Ge/Si, GaInN/GaN и AlGaInP/GaAs с квантовыми ямами и квантовыми точками

Эпитаксиальные полупроводниковые наноконструкции с квантовыми ямами и точками для селективных фотоприемников с управляемыми характеристиками в инфракрасном и терагерцовом диапазонах

Исследование физических процессов в молекулярных и атомных системах, создание на их основе органических оптических материалов, нелинейных кристаллов, фоточувствительных структур и лазеров

Физические основы создания фотопреобразователей солнечной и тепловой энергии на основе наногетероструктур с встроенными многослойными оптическими элементами и с расширенной в ИК область спектральной характеристикой чувствительности

Мультифункциональная информационно-вычислительная система по высокоточным оптическим характеристикам токсичных газов (сероводород, диоксиды азота, серы и углерода)

Разработка спектроскопического, математического, программного и аппаратурного обеспечения дистанционной диагностики двигателей ракетно-космической техники в условиях наземного базирования

Диагностика фоточувствительных и излучательных наногетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками на основе полупроводниковых соединений А2В6 и А4В4 методом спектроскопии комплексной проводимости.

Исследование физических процессов в молекулярных и атомных системах, создание на их основе органических оптических материалов, нелинейных кристаллов, фоточувствительных структур и лазеров

Исследование физических принципов создания магнитодиэлектрических и полупроводниковых наноматериалов для устройств электроники и фотоники ИК и СВЧ диапазонов