Influence of composition of Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation

Авторы автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Григорьев Д. В. (Сотрудник), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Ижнин И. И. (Сотрудник), автор Савицкий Г. В. (Сотрудник другой организации), автор Бончик А. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации)
Тип Статья в журнале
Год 2019
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Influence of composition of Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation / Voitsekhovskii A.V., Grigoryev D.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P. [et al] // Materials Research Express. 2019. Vol. 6, № 7. P. 075912-1‒075912-8. DOI: 10.1088/2053-1591/ab1724
Направление науки
УДК