ТГУ.Сотрудники
Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий - ртуть - теллур
| Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2019 |
| Язык | русский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), лаборатория оптической электроники (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий - ртуть - теллур / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 118‒124. DOI: 10.17223/00213411/62/6/118 |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность