Electrophysical Characteristics of the Pentacene-based MIS Structures with a SiO2 Insulator

Авторы автор Новиков В. А. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Студент), автор Копылова Т. Н. (Сотрудник), автор Дегтяренко К. М. (Сотрудник), автор Черников Е. В. (Сотрудник), автор Калыгина В. М. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2019
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, Физический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. полупроводниковой электроники (РФФ), каф. физики полупроводников (ФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Electrophysical Characteristics of the Pentacene-based MIS Structures with a SiO2 Insulator / Novikov V.A., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M. [et al] // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 62, № 1. P. 90‒99. DOI: 10.1007/s11182-019-01687-y
Направление науки
УДК 621.315.592