ТГУ ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 628
141 Dirko V.V., Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V. Thickness-dependent elastic strain in Stranski-Krastanow growth // Physical Chemistry Chemical Physics. 2020. Vol. 22, № 34. P. 19318—19325. DOI: 10.1039/D0CP03538F
142 Admittance of barrier structures based on mercury cadmium telluride / Voitsekhovskii A.V, Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S. A. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 3. P. 432‒445. DOI: 10.1007/s11182-020-02054-y
143 Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия - ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8‒15. DOI: 10.17223/00213411/63/6/8
144 Импеданс органических светоизлучающих диодов с термически активированной замедленной флуоресценцией / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н. [и др.] // НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 113‒114.
145 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Каширский Д.Е., Горн Д.И., Лозовой К.А., Дирко В.В. Многослойные униполярные системы на основе HgCdTe для инфракрасного детектирования //НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 111-112.
146 Войцеховский А.В., Лозовой К.А., Винарский В.П., Дирко В.В. Эпитаксиальное выращивание двумерных материалов по механизму Франка-Ван дер Мерве //НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 110-111.
147 Direct comparison of the results of arsenic ion implantation in n- and p-type Hg0.8Cd0.2Te / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A. V., Korotaev A.G., Dvoretsky S. A. [et al] // Infrared Physics and Technology. 2020. Vol. 109. P. 16103388-1‒16103388-7. DOI: 10.1016/j.infrared.2020.103388
148 Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 76‒87. DOI: 10.17223/00213411/63/3/76
149 Investigation of the Effect of Thermal Annealing on the Electrical Properties of the Near-Surface Layer of MBE n-HgCdTe Using MIS Techniques / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Electronic Materials. 2020. Vol. 49, № 5. P. 3202‒3208. DOI: 10.1007/s11664-020-08005-0
150 Admittance of metal–insulator–semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Semiconductor Science and Technology. 2020. Vol. 35, № 5. P. 055026-1‒055026-7. DOI: 10.1088/1361-6641/ab7beb
151 Impedance Characterization of Organic Light-Emitting Structures with Thermally Activated Delayed Fluorescence / Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Kopylova T. N. [et al] // Physica Status Solidi A. 2020. Vol. 217, № 6. P. 1900847-1‒1900847-6. DOI: 10.1002/pssa.201900847
152 Диффузионное ограничение темнового тока в nBn структурах на основе МЛЭ HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25‒31.
153 The relaxation of electrophysical properties HgCdTe epitaxial films affected by plasma of high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air / Korotaev A.G., Grigoryev D.V., Voitsekhovskii A.V, Lozovoy K.A. [et al] // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 387. P. 125527-1‒125527-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2020.125527
154 Molecular dynamics simulations of the growth of Ge on Si / Smith R., Lozovoy K.A., Voitsekhovskii A. V., Kokhanenko A.P., Zhou Y. [et al] // Surface Science. 2020. Vol. 696. P. 121594-1—121594-9. DOI: 10.1016/j.susc.2020.121594
155 Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния / Лозовой К.А., Коханенко А.П., Дирко В.В., Войцеховский А.В. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104‒109. DOI: 10.17223/00213411/63/2/104
156 Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 98‒103. DOI: 10.17223/00213411/63/2/98
157 Микроскопический механизм формирования поверхностных дефектов в CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением / Войцеховский А.В., Средин В.Г., Ананьин О.Б., Мелехов А.П. [и др.] // IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 503‒504.
158 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Импеданс органических светодиодных структур с термоактивированной замедленной флуоресценцией //IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 423-424.
159 Сигнальные и темновые свойства инфракрасных барьерных детекторов на основе теллурида кадмия ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 413‒414.
160 Lozovoy K.A., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Voitsekhovskii A.V. Kinetics of epitaxial formation of nanostructures by Fran–van der Merwe, Volmer–Weber and Stranski–Krastanow growth modes // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 384. P. 125289-1—125289-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2019.125289
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность