Войцеховский Александр Васильевич
Публикации
Общее число записей - 612
| 141 | Микроскопический механизм формирования поверхностных дефектов в CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением / Войцеховский А.В., Средин В.Г., Ананьин О.Б., Мелехов А.П. [и др.] // IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 503‒504. |
|
|
| 142 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Импеданс органических светодиодных структур с термоактивированной замедленной флуоресценцией //IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 423-424. |
|
|
| 143 | Сигнальные и темновые свойства инфракрасных барьерных детекторов на основе теллурида кадмия ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 413‒414. |
|
|
| 144 | Lozovoy K.A., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Voitsekhovskii A.V. Kinetics of epitaxial formation of nanostructures by Fran–van der Merwe, Volmer–Weber and Stranski–Krastanow growth modes // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 384. P. 125289-1—125289-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2019.125289 |
|
|
| 145 | Growth of germanium quantum dots on oxidized silicon surface / Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Voitsekhovsky A.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 296‒302. DOI: 10.1007/s11182-020-02035-1 |
|
|
| 146 | Localization and nature of radiation donor defects in arsenic implanted MBE CdHgTe films grown by MBE / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 290‒295. DOI: 10.1007/s11182-020-02034-2 |
|
|
| 147 | Nano-size defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy / Izhnin I.I., Korotaev A.G., Voitsekhovsky A.V., Mikhailov N.N. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 12. P. 4971‒4976. DOI: 10.1007/s13204-020-01327-9 |
|
|
| 148 | Hall-effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / Korotaev A.G., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N. [et al] // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 393. P. 125721-1‒125721-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2020.125721 |
|
|
| 149 | Epitaxial fabrication of 2D materials of group IV elements / Izhnin I.I., Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Voitsekhovskii A.V. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 12. P. 4375—4383. DOI: 10.1007/s13204-020-01372-4 |
|
|
| 150 | Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Nesmelov S.N. [et al] // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 392. P. 125760-1‒125760-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2020.125760 |
|
|
| 151 | Unipolar superlattice structures based on MBE HgCdTe for infrared detection / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dziadukh S.M. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 12. P. 4571‒4576. DOI: 10.1007/s13204-020-01297-y |
|
|
| 152 | TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells / Bonchik A.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z, Morgiel J. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2867‒2871. DOI: 10.1007/s13204-019-01142-x |
|
|
| 153 | Interaction between islands in kinetic models of epitaxial growth of quantum dots / Izhnin I.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2527—2533. DOI: 10.1007/s13204-019-00965-y |
|
|
| 154 | Адмиттансные характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 5. С. 77‒85. DOI: 10.17223/00213411/62/5/77 |
|
|
| 155 | Униполярные полупроводниковые барьерные структуры для матричных фотоприемных устройств ИК-диапазона / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Успехи прикладной физики. 2019. Т. 7, № 6. С. 547‒559. |
|
|
| 156 | Современное состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур на основе теллурида кадмия и ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Нано- и микросистемная техника. 2019. Т. 21, № 12. С. 726‒737. DOI: 10.17587/nmst.21.726-737 |
|
|
| 157 | Исследование параметров дефектов в многослойных органических структурах путем низкотемпературных измерений адмиттанса / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П. [и др.] // Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Восьмая Международная конференция, посвященная 150-летию открытия Д.И. Менделеевым Периодического закона химических элементов. Актуальные проблемы современного материаловедения. Третья Международная Школа Молодых Ученых, 5-8 ноября 2019 г., Москва : тезисы докладов. М., 2019. С. 74. DOI: 10.26201/ISSP.2019.45.557/Def.Mater.53 |
|
|
| 158 | Механизмы формирования темнового тока в униполярных барьерных структурах на основе КРТ, вырашенного методом молекулярно-лучевой эптаксии / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Восьмая Международная конференция, посвященная 150-летию открытия Д.И. Менделеевым Периодического закона химических элементов. Актуальные проблемы современного материаловедения. Третья Международная Школа Молодых Ученых, 5-8 ноября 2019 г., Москва : тезисы докладов. М., 2019. С. 73. DOI: 10.26201/ISSP.2019.45.557/Def.Mater.52 |
|
|
| 159 | Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Bonchyk O.Yu. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 493. |
|
|
| 160 | Epitaxial synthesis of 2D materials of group IV elements / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Dirko V.V. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 65. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность