ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 624
141 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Каширский Д.Е., Горн Д.И., Лозовой К.А., Дирко В.В. Многослойные униполярные системы на основе HgCdTe для инфракрасного детектирования //НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 111-112.
142 Войцеховский А.В., Лозовой К.А., Винарский В.П., Дирко В.В. Эпитаксиальное выращивание двумерных материалов по механизму Франка-Ван дер Мерве //НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 110-111.
143 Direct comparison of the results of arsenic ion implantation in n- and p-type Hg0.8Cd0.2Te / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A. V., Korotaev A.G., Dvoretsky S. A. [et al] // Infrared Physics and Technology. 2020. Vol. 109. P. 16103388-1‒16103388-7. DOI: 10.1016/j.infrared.2020.103388
144 Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 76‒87. DOI: 10.17223/00213411/63/3/76
145 Investigation of the Effect of Thermal Annealing on the Electrical Properties of the Near-Surface Layer of MBE n-HgCdTe Using MIS Techniques / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Electronic Materials. 2020. Vol. 49, № 5. P. 3202‒3208. DOI: 10.1007/s11664-020-08005-0
146 Admittance of metal–insulator–semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Semiconductor Science and Technology. 2020. Vol. 35, № 5. P. 055026-1‒055026-7. DOI: 10.1088/1361-6641/ab7beb
147 Impedance Characterization of Organic Light-Emitting Structures with Thermally Activated Delayed Fluorescence / Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Kopylova T. N. [et al] // Physica Status Solidi A. 2020. Vol. 217, № 6. P. 1900847-1‒1900847-6. DOI: 10.1002/pssa.201900847
148 Диффузионное ограничение темнового тока в nBn структурах на основе МЛЭ HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25‒31.
149 The relaxation of electrophysical properties HgCdTe epitaxial films affected by plasma of high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air / Korotaev A.G., Grigoryev D.V., Voitsekhovskii A.V, Lozovoy K.A. [et al] // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 387. P. 125527-1‒125527-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2020.125527
150 Molecular dynamics simulations of the growth of Ge on Si / Smith R., Lozovoy K.A., Voitsekhovskii A. V., Kokhanenko A.P., Zhou Y. [et al] // Surface Science. 2020. Vol. 696. P. 121594-1—121594-9. DOI: 10.1016/j.susc.2020.121594
151 Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния / Лозовой К.А., Коханенко А.П., Дирко В.В., Войцеховский А.В. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104‒109. DOI: 10.17223/00213411/63/2/104
152 Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 98‒103. DOI: 10.17223/00213411/63/2/98
153 Микроскопический механизм формирования поверхностных дефектов в CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением / Войцеховский А.В., Средин В.Г., Ананьин О.Б., Мелехов А.П. [и др.] // IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 503‒504.
154 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Импеданс органических светодиодных структур с термоактивированной замедленной флуоресценцией //IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 423-424.
155 Сигнальные и темновые свойства инфракрасных барьерных детекторов на основе теллурида кадмия ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 413‒414.
156 Lozovoy K.A., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Voitsekhovskii A.V. Kinetics of epitaxial formation of nanostructures by Fran–van der Merwe, Volmer–Weber and Stranski–Krastanow growth modes // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 384. P. 125289-1—125289-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2019.125289
157 Growth of germanium quantum dots on oxidized silicon surface / Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Voitsekhovsky A.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 296‒302. DOI: 10.1007/s11182-020-02035-1
158 Localization and nature of radiation donor defects in arsenic implanted MBE CdHgTe films grown by MBE / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 290‒295. DOI: 10.1007/s11182-020-02034-2
159 Nano-size defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy / Izhnin I.I., Korotaev A.G., Voitsekhovsky A.V., Mikhailov N.N. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 12. P. 4971‒4976. DOI: 10.1007/s13204-020-01327-9
160 Hall-effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / Korotaev A.G., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N. [et al] // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 393. P. 125721-1‒125721-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2020.125721
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность