Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 584
81 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 17-18.
82 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 8-9.
83 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Импеданс многослойных структур, перспективных для создания органических светодиодов //Фундаментальные проблемы оптики – 2020 : сборник трудов XII Международной конференции, Санкт-Петербург, 19-23 октября 2020 г. СПб.: Университет ИТМО, 2020. С. 279-281.
84 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути //Фундаментальные проблемы оптики – 2020 : сборник трудов XII Международной конференции, Санкт-Петербург, 19-23 октября 2020 г. СПб.: Университет ИТМО, 2020. С. 276-278.
85 Diffusion-limited dark currents in mid-wave infrared HgCdTe-based nBn structures with Al2O3 passivation / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Physics D: Applied Physics. 2020. Vol. 53, № 5. P. 055107-1‒055107-6. DOI: 10.1088/1361-6463/ab5487
86 Peculiarities of the External Photoelectric Effect in Narrow-Band Semiconductors Caused by Soft X-Ray Radiation / Voitsekhovskii A.V., Sredin V.G., Ramakoti R.S., Ananin O.B. [et al] // 2020 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE). Proceedings. USA: IEEE, 2020. P. 1009‒1011. DOI: 10.1109/EFRE47760.2020.9242145
87 Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te films / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Izhnin I.I., Mynbaev K.D. [et al] // 2020 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE). Proceedings. USA: IEEE, 2020. P. 1004‒1008. DOI: 10.1109/EFRE47760.2020.9241974
88 Sredin V.G., Voitsekhovskii A.V., Melekhov A.P., Ramakoti R.S. Peculiarities of the external photoelectric effect in narrow-band sem-iconductors caused by soft X-ray radiation // 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online) : abstracts, 14-25 september 2020, Tomsk. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2020. P. 461. 1 CD-ROM.
89 Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic–implanted Hg0.7Cd0.3Te films / Voitsekhovskii A.V, Izhnin I.I., Korotaev A.G., Dvoretsky S. A. [et al] // 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online) : abstracts, 14-25 september 2020, Tomsk. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2020. P. 460. 1 CD-ROM.
90 Impedance of MIS devices based on nBn structures from mercury cadmium telluride / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 6. P. 907‒916. DOI: 10.1007/s11182-020-02117-0
91 Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурахна основе МЛЭ HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25‒31.
92 Electrical and microscopic characterization of p+-type layers formed in HgCdTe by arsenic implantation / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dziadukh S.M. [et al] // Semiconductor Science and Technology. 2020. Vol. 35, № 11. P. 115019-1‒115019-9. DOI: 10.1088/1361-6641/ab924e
93 Nanosize radiation defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films of n- and p-type studied with TEM/HRTEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Izhnin I.I. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 421.
94 Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S. A. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 418.
95 Single-photon avalanche diode detectors based on group IV nanostructures / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Douhan R. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 417.
96 Lozovoj K.A., Zhou Y., Smith R., Lloyd A., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Akimenko N.Yu., Grigoryev D. V, Voitsekhovskii A. V. Thickness-dependent surface energy and formation of epitaxial quantum dots //Thin Solid Films. 2020. Vol. 713. P. 138363-1-138363-5.
97 Dirko V.V., Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V. Thickness-dependent elastic strain in Stranski-Krastanow growth // Physical Chemistry Chemical Physics. 2020. Vol. 22, № 34. P. 19318—19325. DOI: 10.1039/D0CP03538F
98 Admittance of barrier structures based on mercury cadmium telluride / Voitsekhovskii A.V, Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S. A. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 3. P. 432‒445. DOI: 10.1007/s11182-020-02054-y
99 Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия - ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8‒15. DOI: 10.17223/00213411/63/6/8
100 Импеданс органических светоизлучающих диодов с термически активированной замедленной флуоресценцией / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н. [и др.] // НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 113‒114.