ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 593
101 Electrical and microscopic characterization of p+-type layers formed in HgCdTe by arsenic implantation / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dziadukh S.M. [et al] // Semiconductor Science and Technology. 2020. Vol. 35, № 11. P. 115019-1‒115019-9. DOI: 10.1088/1361-6641/ab924e
102 Nanosize radiation defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films of n- and p-type studied with TEM/HRTEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Izhnin I.I. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 421.
103 Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S. A. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 418.
104 Single-photon avalanche diode detectors based on group IV nanostructures / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Douhan R. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 417.
105 Lozovoj K.A., Zhou Y., Smith R., Lloyd A., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Akimenko N.Yu., Grigoryev D. V, Voitsekhovskii A. V. Thickness-dependent surface energy and formation of epitaxial quantum dots //Thin Solid Films. 2020. Vol. 713. P. 138363-1-138363-5.
106 Dirko V.V., Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V. Thickness-dependent elastic strain in Stranski-Krastanow growth // Physical Chemistry Chemical Physics. 2020. Vol. 22, № 34. P. 19318—19325. DOI: 10.1039/D0CP03538F
107 Admittance of barrier structures based on mercury cadmium telluride / Voitsekhovskii A.V, Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S. A. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 3. P. 432‒445. DOI: 10.1007/s11182-020-02054-y
108 Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия - ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8‒15. DOI: 10.17223/00213411/63/6/8
109 Импеданс органических светоизлучающих диодов с термически активированной замедленной флуоресценцией / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н. [и др.] // НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 113‒114.
110 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Каширский Д.Е., Горн Д.И., Лозовой К.А., Дирко В.В. Многослойные униполярные системы на основе HgCdTe для инфракрасного детектирования //НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 111-112.
111 Войцеховский А.В., Лозовой К.А., Винарский В.П., Дирко В.В. Эпитаксиальное выращивание двумерных материалов по механизму Франка-Ван дер Мерве //НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 110-111.
112 Direct comparison of the results of arsenic ion implantation in n- and p-type Hg0.8Cd0.2Te / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A. V., Korotaev A.G., Dvoretsky S. A. [et al] // Infrared Physics and Technology. 2020. Vol. 109. P. 16103388-1‒16103388-7. DOI: 10.1016/j.infrared.2020.103388
113 Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 76‒87. DOI: 10.17223/00213411/63/3/76
114 Investigation of the Effect of Thermal Annealing on the Electrical Properties of the Near-Surface Layer of MBE n-HgCdTe Using MIS Techniques / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Electronic Materials. 2020. Vol. 49, № 5. P. 3202‒3208. DOI: 10.1007/s11664-020-08005-0
115 Admittance of metal–insulator–semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Semiconductor Science and Technology. 2020. Vol. 35, № 5. P. 055026-1‒055026-7. DOI: 10.1088/1361-6641/ab7beb
116 Impedance Characterization of Organic Light-Emitting Structures with Thermally Activated Delayed Fluorescence / Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Kopylova T. N. [et al] // Physica Status Solidi A. 2020. Vol. 217, № 6. P. 1900847-1‒1900847-6. DOI: 10.1002/pssa.201900847
117 Диффузионное ограничение темнового тока в nBn структурах на основе МЛЭ HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25‒31.
118 The relaxation of electrophysical properties HgCdTe epitaxial films affected by plasma of high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air / Korotaev A.G., Grigoryev D.V., Voitsekhovskii A.V, Lozovoy K.A. [et al] // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 387. P. 125527-1‒125527-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2020.125527
119 Molecular dynamics simulations of the growth of Ge on Si / Smith R., Lozovoy K.A., Voitsekhovskii A. V., Kokhanenko A.P., Zhou Y. [et al] // Surface Science. 2020. Vol. 696. P. 121594-1—121594-9. DOI: 10.1016/j.susc.2020.121594
120 Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния / Лозовой К.А., Коханенко А.П., Дирко В.В., Войцеховский А.В. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104‒109. DOI: 10.17223/00213411/63/2/104
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность