ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 599
1 Study of the formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method / O.I. Kukenov, V.V. Dirko, K.A. Lozovoy, A P Kokhanenko [et al] // St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics. 2024. Vol. 17, № 3.2. P. 139‒142. DOI: 10.18721/JPM.173.227
2 Effect of changing the growth mechanism on the synthesis of two-dimensional germanium layers and quantum dots on silicon / O.I. Kukenov, V.V. Dirko, A.S. Sokolov, K.A. Lozovoy [et al] // Journal of Optical Technology. 2024. Vol. 91, № 6. P. 416‒420. DOI: 10.1364/JOT.91.000416
3 Unipolar barrier structures based on n-HgCdTe with superlattices as a barrier [Review] / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, N.N. Mikhailov [et al] // Journal of Optical Technology. 2024. Vol. 91, № 2. P. 67‒76. DOI: 10.1364/JOT.91.000067
4 Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Прикладная физика. 2024. № 5. С. 57‒63. DOI: 10.51368/1996-0948-2024-5-57-63
5 Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе HgCdTe nBn со сверхрешёткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Оптический журнал. 2024. Т. 91, № 10. С. 3‒14. DOI: 10.17586/1023-5086-2024-91-10-3-14
6 Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133.
7 Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36.
8 Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Прикладная физика. 2024. № 4. С. 46‒52. DOI: 10.51368/1996-0948-2024-4-46-52
9 Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si с массивом наноотверстий для атмосферного канала связи / Х. Диб, К.И. Швалева, К.А. Лозовой, А.Г. Коротаев [и др.] // Прикладная физика. 2024. № 4. С. 39‒45. DOI: 10.51368/1996-0948-2024-4-39-45
10 Влияние смены механизма роста на синтез двумерных слоёв и квантовых точек германия на кремнии / О.И. Кукенов, В.В. Дирко, А.С. Соколов, К.А. Лозовой [и др.] // Оптический журнал. 2024. Т. 91, № 6. С. 99‒107. DOI: 10.17586/1023-5086-2024-91-06-99-107
11 Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339
12 Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334
13 Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329
14 Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326
15 Single-Element 2D Materials beyond Graphene: Methods of Epitaxial Synthesis / K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, V.V. Dirko, V.P. Vinarskiy [et al] // Nanotechnologies and Nanomaterials : Selected Papers from CCMR. Vol. 2. Basel: MDPI, 2024. P. 319‒339.
16 Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607.
17 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
18 Униполярные барьерные структуры на основе n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера. Обзор / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Оптический журнал. 2024. Т. 91, № 2. С. 6‒22. DOI: 10.17586/1023-5086-2024-91-02-6-22
19 Dark Current Components of nB(SL)n Structures Based on HgCdTe for a Wide Range of Bias Voltages / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, S.A. Dvoretskii [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2023. Vol. 68, № Suppl. 2. P. 132‒137. DOI: 10.1134/S1064226923140176
20 Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2023 : Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов, 9-13 октября 2023 г. СПб.: Университет ИТМО, 2023. С. 123.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность