ТГУ.Сотрудники
Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis
| Авторы | автор Ижнин И. И. (Сотрудник), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Сыворотка И. И. (Сотрудник другой организации), автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Ремесник В. Г. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Swiatek Z. (Сотрудник другой организации), автор Morgiel Y. (Сотрудник другой организации), автор Бончик А. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Савицкий Г. В. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2019 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis / Izhnin I.I., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Infrared Physics and Technology. 2019. Vol. 98. P. 230‒235. DOI: 10.1016/j.infrared.2019.03.019 |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность