Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 590
241 Defects in arsenic implanted p+-n- and n+-p-structures based on MBE grown CdHgTe films / I.I. Izhnin, E.I. Fitsych, A.V. Voitsekhovskii, A.G. Korotaev [et al] // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 10. P. 1752‒1757. DOI: 10.1007/s11182-018-1278-9
242 Talipov N.X., Voitsekhovskii A.V. Annealing kinetics of radiation defects in boron-implanted p-Hg1-xCdxTe // Semiconductor Science and Technology. 2018. Vol. 33, № 6. P. 065009-1‒065009-8. DOI: 10.1088/1361-6641/aac0a1
243 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M. IInfluence of the Compositional Grading on Concentration of Majority Charge Carriers in Near-Surface Layers of n(p)-HgCdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy // Journal of Electronic Materials. 2018. Vol. 47, № 5. P. 2694‒2702. DOI: 10.1007/s11664-018-6108-x
244 Kirill Lozovoy, Andrey Kokhanenko, Alexander Voitsekhovskii. Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces // Nanotechnology. 2018. Vol. 29, № 5. P. 054002-1—054002-7. DOI: 10.1088/1361-6528/aa9fdd
245 Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors / Izhnin I.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A. [et al] // Opto-Electronics Review. 2018. Vol. 26, № 3. P. 195—200. DOI: 10.1016/j.opelre.2018.06.002
246 Kirill A. Lozovoy, Andrey P. Kokhanenko, Alexander V. Voitsekhovskii. Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems // Surface Science. 2018. Vol. 669. P. 45—49. DOI: 10.1016/j.susc.2017.11.006
247 А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, Г.Ю. Сидоров, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев. Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2 "Физика взаимодействия электромагнитного излучения с веществом". С. 202-205.
248 С.Н. Несмелов, А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух. Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2 "Физика взаимодействия электромагнитного излучения с веществом". С. 198‒201.
249 В.Г. Средин, А.В. Войцеховский, О.Б. Ананьин, И.И. Ижнин, А.П. Мелехов, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. Генерация поверхностных дефектов в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 132-134.
250 Н.Д. Исмайлов, Н.Х. Талипов, А.В. Войцеховский. Высокочувствительные двухслойные фоторезисторы на основе р-CdxHg1-xTe с конвертированным приповерхностным слоем // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 122‒127.
251 К.А. Лозовой, А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский. Расчет критической толщины перехода по СтранскомуКрастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si //Актуальные проблемы радиофизики : сб. тр. VII Междунар. науч.-практ. конф., г. Томск, 18-22 сент. 2017 г. Томск: STT, 2017. С. 257-260.
252 K A Lozovoy, A A Pishchagin, A P Kokhanenko, A V Voitsekhovskii. Estimation of critical thickness of StranskiKrastanow transition in GeSi/Sn/Si system // Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. P. 032012-1‒032012-3. DOI: 10.1088/1742-6596/917/3/032012
253 Горн Д.И., Войцеховский А.В. Пути создания примников ИК-излучения на основе nBn структур CdHgTe // Сборник трудов X Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика-2017», С.-Петерб., 16-20 окт. 2017 г. СПб.: Университет ИТМО, 2017. С. 375‒376.
254 Горн Д.И., Войцеховский А.В. Фотолюминесценция в одиночных квантовых ямах HgCdTe // Сборник трудов X Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика-2017», С.-Петерб., 16-20 окт. 2017 г. СПб.: Университет ИТМО, 2017. С. 374.
255 Modification of electrophysical parameters of HgCdTe epitaxial heterostructures under the action of a pulsed nanosecond discharge in gas environment at atmospheric-pressure / D.V. Grigoryev, A.V. Voitsekhovskii, V.F. Tarasenko, M.A. Shulepov [et al] // Pulsed lasers and laser applications AMPL-2017 : abstracts of XIII International Conference. Tomsk: STT, 2017. P. 139‒140.
256 А.П. Коханенко, К.А. Лозовой, А.В. Войцеховский. Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111) //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27.
257 Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Г.Ю. Сидоров [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 3‒12.
258 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1xTe в процессе отжига в равновесных парах ртути // XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 окт. 2017 г. Екатеренбург : тез. докл. Екатеринбург, 2017. С. 323.
259 Дефекты в имплантированных As МЛЭ структурах CdHgTe / Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г. [и др.] // XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 окт. 2017 г. Екатеренбург : тез. докл. Екатеринбург, 2017. С. 301.
260 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Кинетика формирования наноструктур с квантовыми точками в системах GexSi1-x/Sn/Si и GexSnySi1-x-y/Si // XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 окт. 2017 г. Екатеренбург : тез. докл. Екатеринбург, 2017. С. 96.