Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 584
201 Profiles of radiation donor defects distribution in HgCdTe epitaxial films implanted with arsenic / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Izhnin I.I., My'nbaev K.D. [et al] // 8-ма Украiнска наукова конференцiя з фiзики напiвпровiдникiв : матерiали конференцii (УНКФН-8), Ужгород, 2-4 жовтня 2018. Кн. 2. Ужгород: ТОВ "Piк-У", 2018. P. 327‒328.
202 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Моделирование зонных диаграмм барьерных структур на основе КРТ // Прикладная физика. 2018. № 5. С. 50‒54.
203 Radiation donor defect profiles in arsenic-implanted HgCdTe film / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Izhnin I.I. [et al] // Сенсорна елелктронiка та мiлросистемнi технологii (CEMCT-8) (з виставкою разборок та промислових зразкiв сенсорiв), 8-ма Мiжнародна науково-технiчна конференцiя : тези доповiдей. Oдеса: Астропринт, 2018. P. 174.
204 Srucrural defects study of HgTe/CdHgTe quantum wells / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A., Bonchyk O.Yu. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 710.
205 Electrical properties of n-HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 705.
206 Interactions between islands in thermodynamic and kinetic models of epitaxial quantum dot growth / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Izhnin I.I. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 163.
207 Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Syvorotka I.I., Korotaev A.G., My'nbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films //6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2018), 16-22 september 2018, Tomsk : abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2018. P. 354.
208 Voitsekhovskii A.V., Sredin V.G., Anan`in O.B., Melekhov A.P., Nesmelov S.N., Dziadukh S.M., Yurchak V.A. Investigation of the effect of soft x-ray radiation on the electrophysical characteristics of epitaxial layers n-Hg1-xCdxTe //6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2018), 16-22 september 2018, Tomsk : abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2018. P. 353.
209 The relaxation of electrophysical properties of MCT epitaxial films after influence of a high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric pressure air / Ermachenkov P.A., Grigoryev D.V., Voitsekhovskii A.V., Tarasenko V.F. [et al] // 6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2018), 16-22 september 2018, Tomsk : abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2018. P. 349.
210 Talipov N. Kh., Voitsekhovskii A.V. Ion Implantation in Narrow-Gap CdxHg1-xTe Solid Solutions // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 61, № 6. P. 1005‒1023. DOI: 10.1007/s11182-018-1490-7
211 Influence of Direct Impingement of Atoms onto the Islands During the Stranski-Krastanow Growth / Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I. [et al] // Proceedings of the 2018 IEEE 8th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP-2018) Part 2. Sumy: Sumy State University, 2018. P. 02PN13-1‒02PN13-4.
212 Transmission Electron Microscopy Study of HgTe/CdHgTe Quantum Wells / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Izhnin I.I., Bonchyk O.Yu. [et al] // Proceedings of the 2018 IEEE 8th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP-2018) Part 2. Sumy: Sumy State University, 2018. P. 02PN05-1‒02PN05-4.
213 Voitsekhovskii A.V., Kulchitsky N. A., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M. Admittance of MIS Structures Based on MBE Hg1-xCdxTe (x 0.21-0.23) in a Wide Temperature Range // Journal of Communications Technology and Electronics. 2018. Vol. 63, № 9. P. 1112‒1118. DOI: 10.1134/S1064226918090231
214 Electrical characterization of insulator-semiconductor systems based on graded band gap MBE HgCdTe with atomic layer deposited Al2O3 films for infrared detector passivation / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Vacuum. 2018. Vol. 158. P. 136‒140. DOI: 10.1016/j.vacuum.2018.09.054
215 Образование поверхностных дефектов в n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Средин В.Г. [и др.] // Прикладная физика. 2018. № 4. С. 54‒60.
216 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTe // Прикладная физика. 2018. № 4. С. 61‒67.
217 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Духан Р.М. Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 486-489.
218 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О нагреве Cd0,22Hg0,78Te в процессе ионно-лучевого травления //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 408-410.
219 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Никитин М.С., Денисов И.А. О природе конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжига //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 405-407.
220 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 401‒405.