Войцеховский Александр Васильевич
Публикации
Общее число записей - 597
201 | Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercurycadmium telluride / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Opto-Electronics Review. 2019. Vol. 27, № 1. P. 14‒17. DOI: 10.1016/j.opelre.2019.01.002 |
|
|
202 | Luminescence studies of HgCdTe- and InAsSb- based quantum well structures / Izhnin I.I., Izhnin A.I., Fitsych O.I., Vojcexovskij A.V. [et al] // Applied Nanoscience. 2019. Vol. 9, № 5. P. 1‒6. DOI: 10.1007/s13204-018-0760-6 |
|
|
203 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Моделирование емкостных характеристик гибридных органо-неорганических систем с учетом влияния последовательного сопротивления и состояний на границе раздела //Актуальные проблемы оптотехники : сб. материалов Национальной науч.-техн. конф. Новосибирск: СГУГиТ, 2018. С. 61-65. |
|
|
204 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Электрофизические характеристики многослойных структур для органических светодиодов //Актуальные проблемы оптотехники : сб. материалов Национальной науч.-техн. конф. Новосибирск: СГУГиТ, 2018. С. 66-70. |
|
|
205 | Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Духан Р.М. Влияние разброса размеров наноостровков на темновой ток фотоприемников с квантовыми точками // Прикладная физика. 2018. № 6. С. 35‒42. |
|
|
206 | Релаксация электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ при воздействии высокочастотного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления / Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Ермаченков П.А., Тарасенко В.Ф. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 8/2. С. 132‒136. |
|
|
207 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки РЗНТ с диэлектрическим слоем Al2O3 // Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 11. С. 162‒169. |
|
|
208 | Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films / Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1115. P. 032063-1‒032063-5. DOI: 10.1088/1742-6596/1115/3/032063 |
|
|
209 | Investigation of the effect of soft X-ray radiation on the electrophysical characteristics of n-CdxHg1-xTe epitaxial layers / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Sredin V.G. [et al] // Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1115. P. 032057-1‒032057-5. DOI: 10.1088/1742-6596/1115/3/032057 |
|
|
210 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К //Сборник трудов X Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики – 2018», Санкт-Петербург, 15-19 окт. 2018 г. СПб.: Университет ИТМО, 2018. С. 395-397. |
|
|
211 | Профили структурных дефектов в имплатированных мышьяком эпитаксиальных пленках CdHgTe по данным оптического отражения / Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д. [и др.] // Сборник трудов X Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики – 2018», Санкт-Петербург, 15-19 окт. 2018 г. СПб.: Университет ИТМО, 2018. С. 389‒390. |
|
|
212 | Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Lozovoy K.A. Numerical simulation of the effect of slow surface states of a nanosized transition layer on the admittance of hybrid organic-inorganic systems // STRANN-2018. State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, VI International Conference, 17-19 october 2018, Moscow : abstracts. [S. l.], 2018. P. 183‒185. |
|
|
213 | Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A. Modeling of epitaxial quantum dots growth with respect to the interactions between islands // STRANN-2018. State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, VI International Conference, 17-19 october 2018, Moscow : abstracts. [S. l.], 2018. P. 181‒182. |
|
|
214 | Profiles of radiation donor defects distribution in HgCdTe epitaxial films implanted with arsenic / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Izhnin I.I., My'nbaev K.D. [et al] // 8-ма Украiнска наукова конференцiя з фiзики напiвпровiдникiв : матерiали конференцii (УНКФН-8), Ужгород, 2-4 жовтня 2018. Кн. 2. Ужгород: ТОВ "Piк-У", 2018. P. 327‒328. |
|
|
215 | Войцеховский А.В., Горн Д.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Моделирование зонных диаграмм барьерных структур на основе КРТ // Прикладная физика. 2018. № 5. С. 50‒54. |
|
|
216 | Radiation donor defect profiles in arsenic-implanted HgCdTe film / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Izhnin I.I. [et al] // Сенсорна елелктронiка та мiлросистемнi технологii (CEMCT-8) (з виставкою разборок та промислових зразкiв сенсорiв), 8-ма Мiжнародна науково-технiчна конференцiя : тези доповiдей. Oдеса: Астропринт, 2018. P. 174. |
|
|
217 | Srucrural defects study of HgTe/CdHgTe quantum wells / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A., Bonchyk O.Yu. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 710. |
|
|
218 | Electrical properties of n-HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 705. |
|
|
219 | Interactions between islands in thermodynamic and kinetic models of epitaxial quantum dot growth / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Izhnin I.I. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 163. |
|
|
220 | Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Syvorotka I.I., Korotaev A.G., My'nbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films //6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2018), 16-22 september 2018, Tomsk : abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2018. P. 354. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность