Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 597
201 Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercurycadmium telluride / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Opto-Electronics Review. 2019. Vol. 27, № 1. P. 14‒17. DOI: 10.1016/j.opelre.2019.01.002
202 Luminescence studies of HgCdTe- and InAsSb- based quantum well structures / Izhnin I.I., Izhnin A.I., Fitsych O.I., Vojcexovskij A.V. [et al] // Applied Nanoscience. 2019. Vol. 9, № 5. P. 1‒6. DOI: 10.1007/s13204-018-0760-6
203 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Моделирование емкостных характеристик гибридных органо-неорганических систем с учетом влияния последовательного сопротивления и состояний на границе раздела //Актуальные проблемы оптотехники : сб. материалов Национальной науч.-техн. конф. Новосибирск: СГУГиТ, 2018. С. 61-65.
204 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Электрофизические характеристики многослойных структур для органических светодиодов //Актуальные проблемы оптотехники : сб. материалов Национальной науч.-техн. конф. Новосибирск: СГУГиТ, 2018. С. 66-70.
205 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Духан Р.М. Влияние разброса размеров наноостровков на темновой ток фотоприемников с квантовыми точками // Прикладная физика. 2018. № 6. С. 35‒42.
206 Релаксация электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ при воздействии высокочастотного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления / Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Ермаченков П.А., Тарасенко В.Ф. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 8/2. С. 132‒136.
207 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки РЗНТ с диэлектрическим слоем Al2O3 // Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 11. С. 162‒169.
208 Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films / Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1115. P. 032063-1‒032063-5. DOI: 10.1088/1742-6596/1115/3/032063
209 Investigation of the effect of soft X-ray radiation on the electrophysical characteristics of n-CdxHg1-xTe epitaxial layers / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Sredin V.G. [et al] // Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1115. P. 032057-1‒032057-5. DOI: 10.1088/1742-6596/1115/3/032057
210 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К //Сборник трудов X Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики – 2018», Санкт-Петербург, 15-19 окт. 2018 г. СПб.: Университет ИТМО, 2018. С. 395-397.
211 Профили структурных дефектов в имплатированных мышьяком эпитаксиальных пленках CdHgTe по данным оптического отражения / Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д. [и др.] // Сборник трудов X Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики – 2018», Санкт-Петербург, 15-19 окт. 2018 г. СПб.: Университет ИТМО, 2018. С. 389‒390.
212 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Lozovoy K.A. Numerical simulation of the effect of slow surface states of a nanosized transition layer on the admittance of hybrid organic-inorganic systems // STRANN-2018. State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, VI International Conference, 17-19 october 2018, Moscow : abstracts. [S. l.], 2018. P. 183‒185.
213 Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A. Modeling of epitaxial quantum dots growth with respect to the interactions between islands // STRANN-2018. State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, VI International Conference, 17-19 october 2018, Moscow : abstracts. [S. l.], 2018. P. 181‒182.
214 Profiles of radiation donor defects distribution in HgCdTe epitaxial films implanted with arsenic / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Izhnin I.I., My'nbaev K.D. [et al] // 8-ма Украiнска наукова конференцiя з фiзики напiвпровiдникiв : матерiали конференцii (УНКФН-8), Ужгород, 2-4 жовтня 2018. Кн. 2. Ужгород: ТОВ "Piк-У", 2018. P. 327‒328.
215 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Моделирование зонных диаграмм барьерных структур на основе КРТ // Прикладная физика. 2018. № 5. С. 50‒54.
216 Radiation donor defect profiles in arsenic-implanted HgCdTe film / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Izhnin I.I. [et al] // Сенсорна елелктронiка та мiлросистемнi технологii (CEMCT-8) (з виставкою разборок та промислових зразкiв сенсорiв), 8-ма Мiжнародна науково-технiчна конференцiя : тези доповiдей. Oдеса: Астропринт, 2018. P. 174.
217 Srucrural defects study of HgTe/CdHgTe quantum wells / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A., Bonchyk O.Yu. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 710.
218 Electrical properties of n-HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 705.
219 Interactions between islands in thermodynamic and kinetic models of epitaxial quantum dot growth / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Izhnin I.I. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 163.
220 Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Syvorotka I.I., Korotaev A.G., My'nbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films //6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2018), 16-22 september 2018, Tomsk : abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2018. P. 354.