ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 620
121 Diffusion-limited dark currents in mid-wave infrared HgCdTe-based nBn structures with Al2O3 passivation / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Physics D: Applied Physics. 2020. Vol. 53, № 5. P. 055107-1‒055107-6. DOI: 10.1088/1361-6463/ab5487
122 Peculiarities of the External Photoelectric Effect in Narrow-Band Semiconductors Caused by Soft X-Ray Radiation / Voitsekhovskii A.V., Sredin V.G., Ramakoti R.S., Ananin O.B. [et al] // 2020 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE). Proceedings. USA: IEEE, 2020. P. 1009‒1011. DOI: 10.1109/EFRE47760.2020.9242145
123 Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te films / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Izhnin I.I., Mynbaev K.D. [et al] // 2020 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE). Proceedings. USA: IEEE, 2020. P. 1004‒1008. DOI: 10.1109/EFRE47760.2020.9241974
124 Sredin V.G., Voitsekhovskii A.V., Melekhov A.P., Ramakoti R.S. Peculiarities of the external photoelectric effect in narrow-band sem-iconductors caused by soft X-ray radiation // 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online) : abstracts, 14-25 september 2020, Tomsk. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2020. P. 461. 1 CD-ROM.
125 Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic–implanted Hg0.7Cd0.3Te films / Voitsekhovskii A.V, Izhnin I.I., Korotaev A.G., Dvoretsky S. A. [et al] // 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online) : abstracts, 14-25 september 2020, Tomsk. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2020. P. 460. 1 CD-ROM.
126 Impedance of MIS devices based on nBn structures from mercury cadmium telluride / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 6. P. 907‒916. DOI: 10.1007/s11182-020-02117-0
127 Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурахна основе МЛЭ HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25‒31.
128 Electrical and microscopic characterization of p+-type layers formed in HgCdTe by arsenic implantation / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dziadukh S.M. [et al] // Semiconductor Science and Technology. 2020. Vol. 35, № 11. P. 115019-1‒115019-9. DOI: 10.1088/1361-6641/ab924e
129 Nanosize radiation defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films of n- and p-type studied with TEM/HRTEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Izhnin I.I. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 421.
130 Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S. A. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 418.
131 Single-photon avalanche diode detectors based on group IV nanostructures / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Douhan R. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 417.
132 Lozovoj K.A., Zhou Y., Smith R., Lloyd A., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Akimenko N.Yu., Grigoryev D. V, Voitsekhovskii A. V. Thickness-dependent surface energy and formation of epitaxial quantum dots //Thin Solid Films. 2020. Vol. 713. P. 138363-1-138363-5.
133 Dirko V.V., Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V. Thickness-dependent elastic strain in Stranski-Krastanow growth // Physical Chemistry Chemical Physics. 2020. Vol. 22, № 34. P. 19318—19325. DOI: 10.1039/D0CP03538F
134 Admittance of barrier structures based on mercury cadmium telluride / Voitsekhovskii A.V, Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S. A. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 3. P. 432‒445. DOI: 10.1007/s11182-020-02054-y
135 Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия - ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8‒15. DOI: 10.17223/00213411/63/6/8
136 Импеданс органических светоизлучающих диодов с термически активированной замедленной флуоресценцией / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н. [и др.] // НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 113‒114.
137 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Каширский Д.Е., Горн Д.И., Лозовой К.А., Дирко В.В. Многослойные униполярные системы на основе HgCdTe для инфракрасного детектирования //НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 111-112.
138 Войцеховский А.В., Лозовой К.А., Винарский В.П., Дирко В.В. Эпитаксиальное выращивание двумерных материалов по механизму Франка-Ван дер Мерве //НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 110-111.
139 Direct comparison of the results of arsenic ion implantation in n- and p-type Hg0.8Cd0.2Te / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A. V., Korotaev A.G., Dvoretsky S. A. [et al] // Infrared Physics and Technology. 2020. Vol. 109. P. 16103388-1‒16103388-7. DOI: 10.1016/j.infrared.2020.103388
140 Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 76‒87. DOI: 10.17223/00213411/63/3/76
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность