ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 599
121 Admittance of metal–insulator–semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Semiconductor Science and Technology. 2020. Vol. 35, № 5. P. 055026-1‒055026-7. DOI: 10.1088/1361-6641/ab7beb
122 Impedance Characterization of Organic Light-Emitting Structures with Thermally Activated Delayed Fluorescence / Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Kopylova T. N. [et al] // Physica Status Solidi A. 2020. Vol. 217, № 6. P. 1900847-1‒1900847-6. DOI: 10.1002/pssa.201900847
123 Диффузионное ограничение темнового тока в nBn структурах на основе МЛЭ HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25‒31.
124 The relaxation of electrophysical properties HgCdTe epitaxial films affected by plasma of high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air / Korotaev A.G., Grigoryev D.V., Voitsekhovskii A.V, Lozovoy K.A. [et al] // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 387. P. 125527-1‒125527-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2020.125527
125 Molecular dynamics simulations of the growth of Ge on Si / Smith R., Lozovoy K.A., Voitsekhovskii A. V., Kokhanenko A.P., Zhou Y. [et al] // Surface Science. 2020. Vol. 696. P. 121594-1—121594-9. DOI: 10.1016/j.susc.2020.121594
126 Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния / Лозовой К.А., Коханенко А.П., Дирко В.В., Войцеховский А.В. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104‒109. DOI: 10.17223/00213411/63/2/104
127 Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 98‒103. DOI: 10.17223/00213411/63/2/98
128 Микроскопический механизм формирования поверхностных дефектов в CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением / Войцеховский А.В., Средин В.Г., Ананьин О.Б., Мелехов А.П. [и др.] // IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 503‒504.
129 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Импеданс органических светодиодных структур с термоактивированной замедленной флуоресценцией //IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 423-424.
130 Сигнальные и темновые свойства инфракрасных барьерных детекторов на основе теллурида кадмия ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 413‒414.
131 Lozovoy K.A., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Voitsekhovskii A.V. Kinetics of epitaxial formation of nanostructures by Fran–van der Merwe, Volmer–Weber and Stranski–Krastanow growth modes // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 384. P. 125289-1—125289-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2019.125289
132 Growth of germanium quantum dots on oxidized silicon surface / Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Voitsekhovsky A.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 296‒302. DOI: 10.1007/s11182-020-02035-1
133 Localization and nature of radiation donor defects in arsenic implanted MBE CdHgTe films grown by MBE / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 290‒295. DOI: 10.1007/s11182-020-02034-2
134 Nano-size defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy / Izhnin I.I., Korotaev A.G., Voitsekhovsky A.V., Mikhailov N.N. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 12. P. 4971‒4976. DOI: 10.1007/s13204-020-01327-9
135 Hall-effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / Korotaev A.G., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N. [et al] // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 393. P. 125721-1‒125721-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2020.125721
136 Epitaxial fabrication of 2D materials of group IV elements / Izhnin I.I., Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Voitsekhovskii A.V. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 12. P. 4375—4383. DOI: 10.1007/s13204-020-01372-4
137 Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Nesmelov S.N. [et al] // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 392. P. 125760-1‒125760-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2020.125760
138 Unipolar superlattice structures based on MBE HgCdTe for infrared detection / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dziadukh S.M. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 12. P. 4571‒4576. DOI: 10.1007/s13204-020-01297-y
139 TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells / Bonchik A.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z, Morgiel J. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2867‒2871. DOI: 10.1007/s13204-019-01142-x
140 Interaction between islands in kinetic models of epitaxial growth of quantum dots / Izhnin I.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A. [et al] // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2527—2533. DOI: 10.1007/s13204-019-00965-y
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность