ТГУ.Сотрудники
Capacitive Properties of Metal-Insulator-Semiconductor Systems Based on an HgCdTe nBn Structure Grown by Molecular Beam Epitaxy
| Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2019 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Capacitive Properties of Metal-Insulator-Semiconductor Systems Based on an HgCdTe nBn Structure Grown by Molecular Beam Epitaxy / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2019. Vol. 64, № 3. P. 289‒293. DOI: 10.1134/S1064226919030197 |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность