ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 597
221 Voitsekhovskii A.V., Sredin V.G., Anan`in O.B., Melekhov A.P., Nesmelov S.N., Dziadukh S.M., Yurchak V.A. Investigation of the effect of soft x-ray radiation on the electrophysical characteristics of epitaxial layers n-Hg1-xCdxTe //6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2018), 16-22 september 2018, Tomsk : abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2018. P. 353.
222 The relaxation of electrophysical properties of MCT epitaxial films after influence of a high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric pressure air / Ermachenkov P.A., Grigoryev D.V., Voitsekhovskii A.V., Tarasenko V.F. [et al] // 6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2018), 16-22 september 2018, Tomsk : abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2018. P. 349.
223 Talipov N. Kh., Voitsekhovskii A.V. Ion Implantation in Narrow-Gap CdxHg1-xTe Solid Solutions // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 61, № 6. P. 1005‒1023. DOI: 10.1007/s11182-018-1490-7
224 Influence of Direct Impingement of Atoms onto the Islands During the Stranski-Krastanow Growth / Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I. [et al] // Proceedings of the 2018 IEEE 8th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP-2018) Part 2. Sumy: Sumy State University, 2018. P. 02PN13-1‒02PN13-4.
225 Transmission Electron Microscopy Study of HgTe/CdHgTe Quantum Wells / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Izhnin I.I., Bonchyk O.Yu. [et al] // Proceedings of the 2018 IEEE 8th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP-2018) Part 2. Sumy: Sumy State University, 2018. P. 02PN05-1‒02PN05-4.
226 Voitsekhovskii A.V., Kulchitsky N. A., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M. Admittance of MIS Structures Based on MBE Hg1-xCdxTe (x 0.21-0.23) in a Wide Temperature Range // Journal of Communications Technology and Electronics. 2018. Vol. 63, № 9. P. 1112‒1118. DOI: 10.1134/S1064226918090231
227 Electrical characterization of insulator-semiconductor systems based on graded band gap MBE HgCdTe with atomic layer deposited Al2O3 films for infrared detector passivation / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Vacuum. 2018. Vol. 158. P. 136‒140. DOI: 10.1016/j.vacuum.2018.09.054
228 Образование поверхностных дефектов в n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Средин В.Г. [и др.] // Прикладная физика. 2018. № 4. С. 54‒60.
229 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTe // Прикладная физика. 2018. № 4. С. 61‒67.
230 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Духан Р.М. Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 486-489.
231 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О нагреве Cd0,22Hg0,78Te в процессе ионно-лучевого травления //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 408-410.
232 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Никитин М.С., Денисов И.А. О природе конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжига //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 405-407.
233 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 401‒405.
234 Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 398‒401.
235 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Моделирование зонных диаграмм барьерных структур на основе КРТ // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 395‒398.
236 Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Средин В.Г. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 392‒394.
237 Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 241‒244.
238 Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Прикладная физика. 2018. № 4. С. 43‒48.
239 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Никитин М.С. Об особенностях эффекта Холла в МЛЭ и ЖФЭ гетероэпитаксиальных структурах n-CdxHg1-xTe в импульсном магнитном поле до 55 Тл //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 239-241.
240 Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30) / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С. [и др.] // Прикладная физика. 2018. № 3. С. 22‒26.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность