Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 584
221 Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 398‒401.
222 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Моделирование зонных диаграмм барьерных структур на основе КРТ // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 395‒398.
223 Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Средин В.Г. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 392‒394.
224 Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 241‒244.
225 Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Прикладная физика. 2018. № 4. С. 43‒48.
226 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Никитин М.С. Об особенностях эффекта Холла в МЛЭ и ЖФЭ гетероэпитаксиальных структурах n-CdxHg1-xTe в импульсном магнитном поле до 55 Тл //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 239-241.
227 Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30) / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С. [и др.] // Прикладная физика. 2018. № 3. С. 22‒26.
228 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Моделирование вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при неоднородном распределении состава и легирующей примеси // Прикладная физика. 2018. № 3. С. 15‒21.
229 Ismailov N.D., Talipov N. Kh., Voitsekhovskii A.V. High-Sensitive Two-Layer Photoresistors Based on p-Cd x Hg1-xTe with a Converted Near-Surface Layer // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 12. P. 2186‒2192. DOI: 10.1007/s11182-018-1344-3
230 Generation of Surface Defects in Epitaxial Cd x Hg1-xTe Layers by Soft X-ray Radiation of Laser Plasma / Sredin V.G., Voitsekhovskii A.V., Anan`in O.B., Izhnin I.I. [et al] // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 12. P. 2197‒2200. DOI: 10.1007/s11182-018-1346-1
231 Impact of the Graded-Gap Layer on the Admittance of MIS Structures Based on MBE-Grown n-Hg1-xCdxTe (x 0.22-0.23) with the Al2O3 Insulator / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Vasil`ev V.V. [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2018. Vol. 63, № 3. P. 281‒284. DOI: 10.1134/S106422691803021X
232 Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Voitsekhovskii A.V. Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1871‒1879. DOI: 10.1007/s11182-018-1296-7
233 Admittance of MIS-structures based on HgCdTe with a double-layer CdTe/Al2O3 insulator / Dzyadukh S.M., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Sidorov G.Yu. [et al] // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1853‒1863. DOI: 10.1007/s11182-018-1294-9
234 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Пороговые характеристики инфракрасных МДП-детекторов на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках // VII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сб. науч. тр. М.: НИЯУ МИФИ, 2018. С. 394‒395.
235 Defects in arsenic implanted p+-n- and n+-p-structures based on MBE grown CdHgTe films / I.I. Izhnin, E.I. Fitsych, A.V. Voitsekhovskii, A.G. Korotaev [et al] // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 10. P. 1752‒1757. DOI: 10.1007/s11182-018-1278-9
236 Talipov N.X., Voitsekhovskii A.V. Annealing kinetics of radiation defects in boron-implanted p-Hg1-xCdxTe // Semiconductor Science and Technology. 2018. Vol. 33, № 6. P. 065009-1‒065009-8. DOI: 10.1088/1361-6641/aac0a1
237 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M. IInfluence of the Compositional Grading on Concentration of Majority Charge Carriers in Near-Surface Layers of n(p)-HgCdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy // Journal of Electronic Materials. 2018. Vol. 47, № 5. P. 2694‒2702. DOI: 10.1007/s11664-018-6108-x
238 Kirill Lozovoy, Andrey Kokhanenko, Alexander Voitsekhovskii. Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces // Nanotechnology. 2018. Vol. 29, № 5. P. 054002-1—054002-7. DOI: 10.1088/1361-6528/aa9fdd
239 Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors / Izhnin I.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A. [et al] // Opto-Electronics Review. 2018. Vol. 26, № 3. P. 195—200. DOI: 10.1016/j.opelre.2018.06.002
240 Kirill A. Lozovoy, Andrey P. Kokhanenko, Alexander V. Voitsekhovskii. Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems // Surface Science. 2018. Vol. 669. P. 45—49. DOI: 10.1016/j.susc.2017.11.006