Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 589
1 Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339
2 Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334
3 Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329
4 Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326
5 Single-Element 2D Materials beyond Graphene: Methods of Epitaxial Synthesis / K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, V.V. Dirko, V.P. Vinarskiy [et al] // Nanotechnologies and Nanomaterials : Selected Papers from CCMR. Vol. 2. Basel: MDPI, 2024. P. 319‒339.
6 Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607.
7 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
8 Униполярные барьерные структуры на основе n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера. Обзор / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Оптический журнал. 2024. Т. 91, № 2. С. 6‒22. DOI: 10.17586/1023-5086-2024-91-02-6-22
9 Dark Current Components of nB(SL)n Structures Based on HgCdTe for a Wide Range of Bias Voltages / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, S.A. Dvoretskii [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2023. Vol. 68, № Suppl. 2. P. 132‒137. DOI: 10.1134/S1064226923140176
10 Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2023 : Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов, 9-13 октября 2023 г. СПб.: Университет ИТМО, 2023. С. 123.
11 Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.С. Соколов [и др.] // Невская фотоника-2023 : Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов, 9-13 октября 2023 г. СПб.: Университет ИТМО, 2023. С. 297.
12 Исследования оптических характеристик nBn-гетероструктур на основе CdHgTe средневолнового ИК-диапазона / А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Н.И. Яковлева [и др.] // Прикладная физика. 2023. № 6. С. 28‒35. DOI: 10.51368/1996-0948-2023-6-28-35
13 Investigation of Characteristics of MIS Structures Based on MBE n-HgCdTe NBνN Barrier Structures by Admittance Spectroscopy / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, S.A. Dvoretskii [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2023. Vol. 68, № 9. P. 1036‒1039. DOI: 10.1134/S1064226923090279
14 К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 295‒296.
15 Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒272.
16 Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269.
17 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Дзядух С.М., Горн Д.И. Моделирование и оптимизация параметров слоев униполярных фоточувствительных nBn-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR диапазоне // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 44‒53. DOI: 10.17223/00213411/66/10/5
18 Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Прикладная физика. 2023. № 4. С. 78‒86. DOI: 10.51368/1996-0948-2023-4-78-86
19 Определение электрофизических свойств МДП на основе nB(SL)n-структуры из HgCdTe в широком температурном диапазоне / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Прикладная физика. 2023. № 5. С. 75‒83. DOI: 10.51368/1996-0948-2023-5-75-83
20 Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe / А.В. Войцеховский, Д.В. Григорьев, С.М. Дзядух, Д.И. Горн [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 9. С. 5‒16. DOI: 10.17223/00213411/66/9/1