ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 624
1 Механизмы дефектообразования рентгеновским излучением на границе раздела поверхностный окисел – антимонид индия / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, Р.Ш. Рамакоти, А.А. Степаненко [и др.] // XII Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2026» : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2026. С. 292.
2 Background limited dark current in MBE HgCdTe based nBn MWIR structure with superlattice barrier layer / A.V. Voitsekhovskii, D.I. Gorn, S.M. Dzyadukh, N.N. Mikhailov [et al] // Smart Materials and Structures. 2025. Vol. 34, № 12. Art. num. 125020. DOI: 10.1088/1361-665X/ae2707
3 Variable-fluence electrical and transmission electron microscopy studies of defects formed in arsenic-implanted HgCdTe / A.G. Korotaev, A.V. Voitsekhovskii, S.A. Dvoretsky, K.D. Mynbaev [et al] // Physica B: Condensed Matter. 2025. Vol. 717. Art. num. 417845. DOI: 10.1016/j.physb.2025.417845
4 Electrical and microscopic characterization of n+-type layers formed in HgCdTe with boron / A.G. Korotaev, A.V. Voitsekhovskii, K.D. Mynbaev, V.S. Varavin [et al] // Journal of Physics D: Applied Physics. 2025. Vol. 58, № 44. Art. num. 445106. DOI: 10.1088/1361-6463/ae148e
5 Модификация свойств границ раздела поверхностный окисел-антимонид индия мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А. А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 187‒189.
6 Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 171.
7 Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 169‒170.
8 Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 331.
9 Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 318.
10 Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев, М.В. Дорогов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 152.
11 Исследование токов поверхностной утечки nBn HgCdTe фоточувствительной структуры со сверхрешёточным барьером, детектирующей излучения в длинноволновом инфракрасном диапазоне спектра / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Прикладная физика. 2025. № 5. С. 15‒24. DOI: 10.51368/1996-0948-2025-5-15-24
12 Diffusion limitation of dark current in MBE HgCdTe based nBn MWIR structure with superlattice barrier layer / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dziadukh, D.I. Gorn, N.N. Mikhailov [et al] // Journal of Physics D: Applied Physics. 2025. Vol. 58, № 30. Art. num. 305101. DOI: 10.1088/1361-6463/adee2c
13 Каширский Д.Е., Горн Д.И., Войцеховский А.В. Моделирование сверхрешеточного барьера для nBn-структур на основе n-HgCdTe // Известия высших учебных заведений. Физика. 2025. Т. 68, № 10. С. 5‒13. DOI: 10.17223/00213411/68/10/1
14 Characteristics of MIS Structures Based on HgCdTe with a Superlattice in the Barrier Region / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, S.A. Dvoretskii [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2025. Vol. 70, № 2. P. 52‒56. DOI: 10.1134/S1064226925700111
15 Determination of the Electrical Properties of the HgCdTe nB(SL)n-Based MIS Structure in a Wide Temperature Range / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, S.A. Dvoretskii [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2025. Vol. 70, № 2. P. 46‒51. DOI: 10.1134/S106422692570010X
16 Calculation of Characteristics of Ge/Si Avalanche Photodiodes with an Array of Nanoholes for an Atmospheric Communication Channel / H. Deeb, K.I. Shvaleva, K.A. Lozovoy, A.G. Korotaev [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2025. Vol. 70, № 1. P. 1‒5. DOI: 10.1134/S1064226925700123
17 Dark Current of Photodetectors Based on Multilayer Structures with Quantum Dots / A.P. Kokhanenko, A.V. Voitsekhovskii, K.A. Lozovoy, R. Douhan [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2025. Vol. 70, № 1. P. 6‒10. DOI: 10.1134/S1064226925700159
18 Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 132.
19 Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором / И.И. Ижнин, А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 22.
20 Новые двумерные графеноподобные материалы и гетероструктуры / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, А.П. Коханенко, О.И. Кукенов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2025. Т. 68, № 3. С. 5‒15. DOI: 10.17223/00213411/68/3/1
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность