Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 582
1 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
2 Униполярные барьерные структуры на основе n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера. Обзор / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Оптический журнал. 2024. Т. 91, № 2. С. 6‒22. DOI: 10.17586/1023-5086-2024-91-02-6-22
3 Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2023 : Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов, 9-13 октября 2023 г. СПб.: Университет ИТМО, 2023. С. 123.
4 Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.С. Соколов [и др.] // Невская фотоника-2023 : Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов, 9-13 октября 2023 г. СПб.: Университет ИТМО, 2023. С. 297.
5 Исследования оптических характеристик nBn-гетероструктур на основе CdHgTe средневолнового ИК-диапазона / А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Н.И. Яковлева [и др.] // Прикладная физика. 2023. № 6. С. 28‒35. DOI: 10.51368/1996-0948-2023-6-28-35
6 Investigation of Characteristics of MIS Structures Based on MBE n-HgCdTe NBνN Barrier Structures by Admittance Spectroscopy / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, S.A. Dvoretskii [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2023. Vol. 68, № 9. P. 1036‒1039. DOI: 10.1134/S1064226923090279
7 К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 295‒296.
8 Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒272.
9 Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269.
10 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Дзядух С.М., Горн Д.И. Моделирование и оптимизация параметров слоев униполярных фоточувствительных nBn-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR диапазоне // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 44‒53. DOI: 10.17223/00213411/66/10/5
11 Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Прикладная физика. 2023. № 4. С. 78‒86. DOI: 10.51368/1996-0948-2023-4-78-86
12 Определение электрофизических свойств МДП на основе nB(SL)n-структуры из HgCdTe в широком температурном диапазоне / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Прикладная физика. 2023. № 5. С. 75‒83. DOI: 10.51368/1996-0948-2023-5-75-83
13 Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe / А.В. Войцеховский, Д.В. Григорьев, С.М. Дзядух, Д.И. Горн [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 9. С. 5‒16. DOI: 10.17223/00213411/66/9/1
14 Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143
15 Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85
16 Двумерные материалы на основе элементов групп VA и VIA: методы получения и перспективы использования. / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, А.П. Коханенко, О.И. Кукенов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 8. С. 80‒90. DOI: 10.17223/00213411/66/8/10
17 Двумерные материалы на основе элементов группы IIIA: развитие эпитаксиальных методов синтеза / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, А.П. Коханенко, О.И. Кукенов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 7. С. 41‒50. DOI: 10.17223/00213411/66/7/5
18 Comprehensive experimental study of NBνN barrier structures based on n-HgCdTe MBE for detection in MWIR and LWIR spectra / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, S.A. Dvoretsky [et al] // Physica Scripta. 2023. Vol. 98, № 6. Art. num. 065907. DOI: 10.1088/1402-4896/accf44
19 Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43.
20 Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686.