ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 568
1 Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143
2 Двумерные материалы на основе элементов групп VA и VIA: методы получения и перспективы использования. / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, А.П. Коханенко, О.И. Кукенов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 8. С. 80‒90. DOI: 10.17223/00213411/66/8/10
3 Двумерные материалы на основе элементов группы IIIA: развитие эпитаксиальных методов синтеза / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, А.П. Коханенко, О.И. Кукенов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 7. С. 41‒50. DOI: 10.17223/00213411/66/7/5
4 Comprehensive experimental study of NBνN barrier structures based on n-HgCdTe MBE for detection in MWIR and LWIR spectra / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, S.A. Dvoretsky [et al] // Physica Scripta. 2023. Vol. 98, № 6. Art. num. 065907. DOI: 10.1088/1402-4896/accf44
5 Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43.
6 Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686.
7 Experimental Study of NBνN Barrier Structures Based on MBE n-HgCdTe for MWIR and LWIR Photodetectors / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, S.A. Dvoretskii [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2023. Vol. 68, № 3. P. 334‒337. DOI: 10.1134/S1064226923030208
8 Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.
9 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
10 Ch. 6. II-VI Semiconductor-Based Unipolar Barrier Structures for Infrared Photodetector Arrays / A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn [et al] // Handbook of II-VI Semiconductor-Based Sensors and Radiation Detectors. Cham: Springer, 2023. P. 135‒154.
11 Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D. Determination of the Parameters of Multi-Carrier Spectrum in CdHgTe. II. Discrete Mobility Spectrum Analysis // Russian Physics Journal. 2023. Vol. 65, № 10. P. 1716‒1731. DOI: 10.1007/s11182-023-02822-6
12 Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D. Determination of the Parameters of Multi-Carrier Spectrum in CdHgTe. I. A Review of Mobility Spectrum Analysis Methods // Russian Physics Journal. 2023. Vol. 65, № 9. P. 1538‒1554. DOI: 10.1007/s11182-023-02799-2
13 Peculiarities of the 7×7 to 5×5 Superstructure Transition during Epitaxial Growth of Germanium on Silicon (111) Surface / V.V. Dirko, K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, O.I. Kukenov [et al] // Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 2. Art. num. 231. DOI: 10.3390/nano13020231
14 Two-Dimensional Materials of Group IVA: Latest Advances in Epitaxial Methods of Growth / K.A. Lozovoy, V.V. Dirko, V.P. Vinarskiy, A.P. Kokhanenko [et al] // Russian Physics Journal. 2022. Vol. 64, № 9. P. 1583‒1591. DOI: 10.1007/s11182-022-02495-7
15 Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д. Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. II. Дискретный анализ спектров подвижности // Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 10. С. 98‒113. DOI: 10.17223/00213411/65/10/98
16 Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками / А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский, К.А. Лозовой, Р.М. Духан [и др.] // Прикладная физика. 2022. № 5. С. 42‒48. DOI: 10.51368/1996-0948-2022-5-42-48
17 Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G. Discrete mobility-spectrum analysis and its application to transport studies in HgCdTe // Journal of Applied Physics. 2022. Vol. 132, № 15. Art. num. 155702. DOI: 10.1063/5.0097418
18 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, Д.И. Горн [и др.] // XV Российская конференция по физике полупроводников, 3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Нижний Новгород: Изд-во ИПФ РАН, 2022. С. 343.
19 Лозовой К.А., Дирко В.В., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Анализ сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур в системе Ge/S // XV Российская конференция по физике полупроводников, 3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Нижний Новгород: Изд-во ИПФ РАН, 2022. С. 73.
20 Моделирование эпитаксиального формирования двумерных и нульмерных структур кремния и германия с учетом изменения зависимости их параметров от толщины / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, В.П. Винарский, А.П. Коханенко [и др.] // Кремний 2022 : тезисы докладов XIV Международной конференции и XIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 26-30 сентября 2022 г., Новосибирск. Москва: Перо, 2022. С. 118. DOI: 10.34077/SILICON2022-118
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность