Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 584
441 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23) в режиме сильной инверсии //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 59-69.
442 Voitsekhovskii A.V., Grigoryev D.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P., Romanov I.V., Tarasenko V.F., Shulepov M.A. The Influence of a Diffusion Discharge in the Air at Atmospheric Pressure on the Electro-Physical Properties of Narrow-Gap Semicondurtors CdHgTe //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2014. P. 332.
443 Total Conductance of MIS Structures Based on Graded-Gap p-Hg1–х Cd х Te (x = 0.22–0.23) Grown by Molecular Beam Epitaxy / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Vasil`ev V.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 6. P. 707‒716.
444 Lozovoj K.A., Voitsekhovskiy A.V., Kokhanenko A.P., Satdarov V.G., Pchelyakov O.P., Nikiforov A.I. Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices //Opto-Electronics Review. 2014. Vol. 22, № 3. P. 171-177.
445 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M. Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1-xCdxTe in wide temperature range //Opto-Electronics Review. 2014. Vol. 22, № 4. P. 236-244.
446 Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoj K.A. Modeling the Formation Kinetics of Wedge-Shaped Germanium Quantum Dots on Silicon //Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2014. Vol. 78, № 10. P. 1058-1062.
447 Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I. Photoluminescence of HgCdTe Heterostructures with Multiple Quantum Wells //Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2014. Vol. 78, № 10. P. 1063-1066.
448 Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22-0,23) / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В. [и др.] // Прикладная физика. 2014. № 4. С. 62‒67.
449 Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22-0,23 и 0,31-0,32) в широком диапазоне температур / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В. [и др.] // Прикладная физика. 2014. № 4. С. 56‒61.
450 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией //Нано- и микросистемная техника. 2014. № 9. С. 20-31.
451 Special features of admi ttance in MIS structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe (x = 0.31-0.32) in a temperature range of 8-300 K / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Vasil`ev V.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 5. P. 633‒641.
452 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н. Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si //Наноинженерия. 2014. № 4. С. 8-14.
453 Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I. Electrophysical Characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor Structures Comprising CdHgTe-based Quantum Wells //Advanced Materials Research. 2014. Vol. 1040. P. 34-38.
454 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники //Наноинженерия. 2014. № 6. С. 3-20.
455 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Моделирование кинетики формирования клиновидных квантовых точек германия на кремнии // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2014. Т. 78, № 10. С. 1312‒1316.
456 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2014. Т. 78, № 10. С. 1317‒1321.
457 Light emission from CdHgTe-based nanostructures / Mynbaev K.D., Shilyaev A. V., Bazhenov N. L., Izhnin A.I. [et al] // Materials Physics and Mechanics. 2014. Vol. 21, № 2. P. 112‒118.
458 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г. Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 6. С. 3-11.
459 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г. Особенности адмиттанса мдп-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 62-69.
460 Differential resistance of space charge region in mis structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe (x= 0.23) in a wide temperature range / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Vasil`ev V.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 4. P. 536‒544.