Войцеховский Александр Васильевич
Публикации
Общее число записей - 599
441 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г. Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0.22-0.23) //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 422-427. |
|
|
442 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г. Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22-023 и 0,31-0,32) в широком диапазоне температур //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 418-422. |
|
|
443 | Войцеховский А.В., Горн Д.И. Стимулированное излучение в структурах КРТ с квантовыми ямами //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 390-393. |
|
|
444 | Ижнин И.И., Дворецкий С.А., Мынбаев К.Д., Фицыч Е.И., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Войцеховский А.В. Взаимодействие дефектов в легированном As МЛЭ CdHgTe //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 163-167. |
|
|
445 | Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В. Особенности формирования n+-n--p структур в варизонных гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe при имплантации ионов бора //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 63-67. |
|
|
446 | Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskiy A.V. GeSi elongated quantum dots formation modelling //Book of Abstracts 1-st International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures “Saint-Petersburg OPEN 2014”. St. Petersburg, 2014. P. 320-321. |
|
|
447 | Войцеховский А.В., Войцеховская О.К., Егоров О.В., Каширский Д.Е. Оптико-физические методы дистанционной диагностики высокотемпературных газовых сред //Оптика атмосферы и океана. Физика атмосферы: Материалы XX Международного симпозиума. Томск: Издательство ИОА СО РАН, 2014. С. 74-77. 1 электрон. опт. диск (CD-R). Систем. требования: PC Pentium или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка. |
|
|
448 | Романов И.В., Войцеховский А.В., Дегтяренко К.М., Копылова Т.Н., Коханенко А.П., Никонова Е.Н. Определение подвижности носителей заряда в пленках органических полупроводников MEH-PPV и MEH-PPV-POSS //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 11. С. 116-123. |
|
|
449 | Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M. Electrophysical and Photoelectrical Properties of MIS Structures Based on MBE Grown Heteroepitaxial HgCdTe MIS Structures with Inhomogeneous Composition Distribution //Russian Microelectronics. 2014. Vol. 43, № 8. P. 552-558. |
|
|
450 | Voitsekhovskaya O.K., Voitsekhovskii A.V., Egorov O.V., Kashirskii D.E. Optical-physical methods of remote diagnostics of high-temperature gas media // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2014. Vol. 9292. P. 929211-1—929211-8. DOI: 10.1117/12.2075131 |
|
|
451 | Войцеховский А.В., Горн Д.И. Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами // Прикладная физика. 2014. № 5. С. 5‒10. |
|
|
452 | Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M. Admittance in MIS Structures Based on Graded-GAP MBE p-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) in the Strong Inversion Mode // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 8. P. 1070‒1081. |
|
|
453 | Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками // Прикладная физика. 2014. № 5. С. 45‒49. |
|
|
454 | Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskiy A.V. Elongated quantum dots of Ge on Si formation modelling //Journal of Physics: Conference Series. 2014. Vol. 541, № 1. P. 012084-1-012084-4. |
|
|
455 | Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Современные методы создания структур с квантовыми точками Ge/Si //Нано- и микросистемная техника. 2014. № 10. С. 18-26. |
|
|
456 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23) в режиме сильной инверсии //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 59-69. |
|
|
457 | Voitsekhovskii A.V., Grigoryev D.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P., Romanov I.V., Tarasenko V.F., Shulepov M.A. The Influence of a Diffusion Discharge in the Air at Atmospheric Pressure on the Electro-Physical Properties of Narrow-Gap Semicondurtors CdHgTe //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2014. P. 332. |
|
|
458 | Total Conductance of MIS Structures Based on Graded-Gap p-Hg1–х Cd х Te (x = 0.22–0.23) Grown by Molecular Beam Epitaxy / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Vasil`ev V.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 6. P. 707‒716. |
|
|
459 | Lozovoj K.A., Voitsekhovskiy A.V., Kokhanenko A.P., Satdarov V.G., Pchelyakov O.P., Nikiforov A.I. Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices //Opto-Electronics Review. 2014. Vol. 22, № 3. P. 171-177. |
|
|
460 | Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M. Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1-xCdxTe in wide temperature range //Opto-Electronics Review. 2014. Vol. 22, № 4. P. 236-244. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность