ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 603
441 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Мынбаев К.Д. Донорный фон в эпитаксиальных структурах CdHgTe //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 64.
442 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О механизме формирования n+-n--p структур при ионной имплантации CdxHg1-xTe p-типа //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 38.
443 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Оценка вклада энергии образования дополнительных ребер на изменение свободной энергии при росте квантовой точки //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 53.
444 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов на основе кремния с квантовыми точками германия //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 476-480.
445 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г. Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0.22-0.23) //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 422-427.
446 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г. Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22-023 и 0,31-0,32) в широком диапазоне температур //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 418-422.
447 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Стимулированное излучение в структурах КРТ с квантовыми ямами //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 390-393.
448 Ижнин И.И., Дворецкий С.А., Мынбаев К.Д., Фицыч Е.И., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Войцеховский А.В. Взаимодействие дефектов в легированном As МЛЭ CdHgTe //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 163-167.
449 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В. Особенности формирования n+-n--p структур в варизонных гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe при имплантации ионов бора //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 63-67.
450 Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskiy A.V. GeSi elongated quantum dots formation modelling //Book of Abstracts 1-st International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures “Saint-Petersburg OPEN 2014”. St. Petersburg, 2014. P. 320-321.
451 Войцеховский А.В., Войцеховская О.К., Егоров О.В., Каширский Д.Е. Оптико-физические методы дистанционной диагностики высокотемпературных газовых сред //Оптика атмосферы и океана. Физика атмосферы: Материалы XX Международного симпозиума. Томск: Издательство ИОА СО РАН, 2014. С. 74-77. 1 электрон. опт. диск (CD-R). Систем. требования: PC Pentium или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.
452 Романов И.В., Войцеховский А.В., Дегтяренко К.М., Копылова Т.Н., Коханенко А.П., Никонова Е.Н. Определение подвижности носителей заряда в пленках органических полупроводников MEH-PPV и MEH-PPV-POSS //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 11. С. 116-123.
453 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M. Electrophysical and Photoelectrical Properties of MIS Structures Based on MBE Grown Heteroepitaxial HgCdTe MIS Structures with Inhomogeneous Composition Distribution //Russian Microelectronics. 2014. Vol. 43, № 8. P. 552-558.
454 Voitsekhovskaya O.K., Voitsekhovskii A.V., Egorov O.V., Kashirskii D.E. Optical-physical methods of remote diagnostics of high-temperature gas media // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2014. Vol. 9292. P. 929211-1—929211-8. DOI: 10.1117/12.2075131
455 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами // Прикладная физика. 2014. № 5. С. 5‒10.
456 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M. Admittance in MIS Structures Based on Graded-GAP MBE p-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) in the Strong Inversion Mode // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 8. P. 1070‒1081.
457 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками // Прикладная физика. 2014. № 5. С. 45‒49.
458 Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskiy A.V. Elongated quantum dots of Ge on Si formation modelling //Journal of Physics: Conference Series. 2014. Vol. 541, № 1. P. 012084-1-012084-4.
459 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Современные методы создания структур с квантовыми точками Ge/Si //Нано- и микросистемная техника. 2014. № 10. С. 18-26.
460 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23) в режиме сильной инверсии //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 59-69.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность