Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 589
361 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г., Сидоров Г.Ю. Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 135.
362 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 99.
363 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Мынбаев К.Д. Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 42.
364 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 39.
365 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si //"Вакуумная техника, материалы и технология". Материалы Х Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова. Москва, 2015. С. 243-248.
366 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова //"Вакуумная техника, материалы и технология". Материалы Х Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова. Москва, 2015. С. 238-242.
367 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Swiatek Z., Ozga P. Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe //Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2015. С. 333.
368 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г. Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 //Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2015. С. 138.
369 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N. UV photodetectors based on wide-gap AlGaN semiconductors //The 12th International Conference "Atomic and Molecular Pulsed Lasers": Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 121.
370 Grigoryev D. V., Voitsekhovskii A. V., Lozovoy K. A., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films //The 12th International Conference "Atomic and Molecular Pulsed Lasers": Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 89-90.
371 Bonchyk A.Yu., Mohylyak I.A., Savitskii G. V., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A. V., Izhnin I.I. Comparison of Background Donor Concentration in HgCdTe Grown With Different Technologies //Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems. Materials of XV International Conference / Ed. by Honored scientist of Ukraine, Dr. Chem. Sci., Prof. Freik D.M. Ivano-Frankivsk, 2015. P. 258.
372 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Лозовой К.А. Наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками элементная база фотоэлектроники и фотовольтаики //Фотоника нано- и микроструктур (ФНМС-2015). 3-я Международная Школа-семинар. Сборник трудов. Томск: Изд-во ТУСУР, 2015. С. 7.
373 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dziadukh S. M., Grigoryev D. V., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Influence of Plasma Volume Discharge in Atmospheric-Pressure Air on the Admittance of MIS Structures Based on MBE p-HgCdTe //Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2015)/ 12-th International Conference. Abstracts. Томск: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 211.
374 Средин В.Г., Войцеховский А.В., Ананьин О.Б., Мелехов А.П., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 273-275.
375 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Г.Ю., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272.
376 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Г.Ю., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3 //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261.
377 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238.
378 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 231-234.
379 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100) //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 227-230.
380 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В. Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226.