ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 603
361 А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, И.И. Ижнин, А.И. Ижнин. Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с одиночными квантовыми ямами //Оптический журнал. 2016. Т. 83, № 4. С. 15-23.
362 Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films / Grigoryev D. V., Voitsekhovskii A. V., Lozovoy K.A., Nesmelov S. N., Dzyadukh S. M. [et al] // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2015. Vol. 9810. P. 98100U-1—98100U-6. DOI: 10.1117/12.2224704
363 Izhnin I.I., Fitsych O.I., Nesmelov S. N., Dzyadukh S.M., Voitsekhovskii A. V., Gorn D. I. Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well //The International research and practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2015). Abstracts Book of participants of the International Summer School and International research and practice Conference. Lviv: Eurosvit, 2015. P. 364.
364 Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Мынбаев К.Д., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением //Сборник научных трудов VIII Международной научной конференции «Функциональная база наноэлектроники». Одесса, 2015. С. 171-175.
365 Григорьев Д.В., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Тарасенко В.Ф., Шулепов М.А. Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на магнитополевые зависимости электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 144-146.
366 Dziadukh Stanislav Mikhailovich, Nesmelov Sergei Nikolaevich, Voitsekhovskii A. V., Gorn Dmitrii Igorevich. Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells //Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 661. P. 012032-1-012032-6.
367 Voitsekhovskii A. V., Nesmelov Sergei Nikolaevich, Dziadukh Stanislav Mikhailovich, Gorn Dmitrii Igorevich. Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K //СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Материалы 25 -й Международной Крымской конференции. Том 1. Севастополь, 2015. P. 739-740.
368 Voitsekhovskii A. V., Nesmelov Sergei Nikolaevich, Dziadukh Stanislav Mikhailovich. Capacitance voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe //СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Материалы 25 -й Международной Крымской конференции. Том 1. Севастополь, 2015. P. 735-736.
369 Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of mis structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy / Voitsekhovskii A. V., Nesmelov Sergei Nikolaevich, Dziadukh Stanislav Mikhailovich, Grigorev D. V. [et al] // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 58, № 7. P. 970‒977. DOI: 10.1007/s11182-015-0597-3
370 Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S.N., Dziadukh S. M., Gorn D. I. Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 739-740. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.
371 Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S. N., Dziadukh S. M. Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 735-736. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.
372 Kokhanenko A. P., Lozovoi K. A., Voitsekhovskii A. V. Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 709-710. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.
373 Novikov V.A., Grigoryev D. V., Bezrodnyy D. A., Voitsekhovskii A. V., Dvoretskii S. A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V. Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe //Conference book of 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials. Paris, France: Open Publishing Association, 2015. P. 345.
374 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. Оптимизация технологии формирования многоэлементных матричных ИК-фотоприемников на основе МЛЭ слоев CdxHg1-xТе //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 139.
375 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г., Сидоров Г.Ю. Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 135.
376 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 99.
377 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Мынбаев К.Д. Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 42.
378 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 39.
379 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si //"Вакуумная техника, материалы и технология". Материалы Х Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова. Москва, 2015. С. 243-248.
380 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова //"Вакуумная техника, материалы и технология". Материалы Х Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова. Москва, 2015. С. 238-242.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность