Electrophysical and Photoelectrical Properties of MIS Structures Based on MBE Grown Heteroepitaxial HgCdTe MIS Structures with Inhomogeneous Composition Distribution

Авторы	автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2014
Язык	английский
Отдел	Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись	Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M. Electrophysical and Photoelectrical Properties of MIS Structures Based on MBE Grown Heteroepitaxial HgCdTe MIS Structures with Inhomogeneous Composition Distribution //Russian Microelectronics. 2014. Vol. 43, № 8. P. 552-558.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность