Войцеховский Александр Васильевич
Публикации
Общее число записей - 601
381 | Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N. UV photodetectors based on wide-gap AlGaN semiconductors //The 12th International Conference "Atomic and Molecular Pulsed Lasers": Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 121. |
|
|
382 | Grigoryev D. V., Voitsekhovskii A. V., Lozovoy K. A., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films //The 12th International Conference "Atomic and Molecular Pulsed Lasers": Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 89-90. |
|
|
383 | Bonchyk A.Yu., Mohylyak I.A., Savitskii G. V., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A. V., Izhnin I.I. Comparison of Background Donor Concentration in HgCdTe Grown With Different Technologies //Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems. Materials of XV International Conference / Ed. by Honored scientist of Ukraine, Dr. Chem. Sci., Prof. Freik D.M. Ivano-Frankivsk, 2015. P. 258. |
|
|
384 | Войцеховский А.В., Горн Д.И., Лозовой К.А. Наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками элементная база фотоэлектроники и фотовольтаики //Фотоника нано- и микроструктур (ФНМС-2015). 3-я Международная Школа-семинар. Сборник трудов. Томск: Изд-во ТУСУР, 2015. С. 7. |
|
|
385 | Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dziadukh S. M., Grigoryev D. V., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Influence of Plasma Volume Discharge in Atmospheric-Pressure Air on the Admittance of MIS Structures Based on MBE p-HgCdTe //Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2015)/ 12-th International Conference. Abstracts. Томск: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 211. |
|
|
386 | Средин В.Г., Войцеховский А.В., Ананьин О.Б., Мелехов А.П., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 273-275. |
|
|
387 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Г.Ю., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272. |
|
|
388 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Г.Ю., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3 //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261. |
|
|
389 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238. |
|
|
390 | Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 231-234. |
|
|
391 | Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100) //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 227-230. |
|
|
392 | Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В. Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226. |
|
|
393 | Барко А.В., Войцеховский А.В., Левашкин А.Г., Коханенко А.П. Расчет параметров детекторов терагерцового диапазона на основе системы иммерсионная линза-планарная антенна-полупроводниковый датчик //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 283-286. |
|
|
394 | Войцеховский А.В., Горн Д.И., Ижнин И.И., Ижнин А.И. Фотолюминесценция структур КРТ с потенциальными ямами //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276. |
|
|
395 | Войцеховский А.В., Горн Д.И. Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273. |
|
|
396 | Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Модельные представления формирования глубоких конвертированных слоев в р-CdxHg1-xTe при ионной имплантации //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 267-270. |
|
|
397 | Зятиков И.А., Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Копылова Т.Н., Тельминов Е.Н., Дегтяренко К.М., Медведев М.Д. Переходная электролюминесценция структур ОСИД с эмиссионным слоем на основе Alq3 //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 252-255. |
|
|
398 | Пищагин А.А., Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В., Никифоров А.И. Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 241-243. |
|
|
399 | Grigorev D.V., Voitsekhovskii A. V., Lozovoy K. A., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Changes in the Electro-Physical Propertyies of Mct Epitaxial Films Affected by a Plasma Volume Discharge Induced by an Avalache Beam in Atmospheric-Pressure Air //Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2015)/ 12-th International Conference. Abstracts. Томск: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 209. |
|
|
400 | Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Никифоров А.И., Лозовой К.А. Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники //Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015. XI Междунар. науч. конгр., 13-25 апреля 2015 г., Новосибирск: Междунар. науч. конф. «СибОптика-2015»: сб. материалов в 3 т.. Том 1. Новосибирск, 2015. С. 201-205. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность