Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 589
381 Барко А.В., Войцеховский А.В., Левашкин А.Г., Коханенко А.П. Расчет параметров детекторов терагерцового диапазона на основе системы иммерсионная линза-планарная антенна-полупроводниковый датчик //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 283-286.
382 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Ижнин И.И., Ижнин А.И. Фотолюминесценция структур КРТ с потенциальными ямами //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276.
383 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273.
384 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Модельные представления формирования глубоких конвертированных слоев в р-CdxHg1-xTe при ионной имплантации //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 267-270.
385 Зятиков И.А., Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Копылова Т.Н., Тельминов Е.Н., Дегтяренко К.М., Медведев М.Д. Переходная электролюминесценция структур ОСИД с эмиссионным слоем на основе Alq3 //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 252-255.
386 Пищагин А.А., Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В., Никифоров А.И. Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 241-243.
387 Grigorev D.V., Voitsekhovskii A. V., Lozovoy K. A., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Changes in the Electro-Physical Propertyies of Mct Epitaxial Films Affected by a Plasma Volume Discharge Induced by an Avalache Beam in Atmospheric-Pressure Air //Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2015)/ 12-th International Conference. Abstracts. Томск: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 209.
388 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Никифоров А.И., Лозовой К.А. Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники //Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015. XI Междунар. науч. конгр., 13-25 апреля 2015 г., Новосибирск: Междунар. науч. конф. «СибОптика-2015»: сб. материалов в 3 т.. Том 1. Новосибирск, 2015. С. 201-205.
389 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Свойства наноструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe для фотоники //Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015. XI Междунар. науч. конгр., 13-25 апреля 2015 г., Новосибирск: Междунар. науч. конф. «СибОптика-2015»: сб. материалов в 3 т.. Том 1. Новосибирск, 2015. С. 184-188.
390 Grigoryev D.V., Voitsekhovskii A.V., Lozovoy K. A., Tarasenko V.F., Shulepov M.A. Changes in the electro-physical properties of MCT epitaxial films affected by a plasma volume discharge induced by an avalanche beam in atmospheric-pressure air //Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 652. P. 012025-1-012025-5.
391 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S. M., Grigoriev D.V., Tarasenko V.F., Shulepov M.A. Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe //Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 652. P. 012003-1-012003-5.
392 Lozovoi K. A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A. V. Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer //Physical Chemistry Chemical Physics. 2015. Vol. 17, № 44. P. 30052-30056.
393 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Григорьев Д.В., Тарасенко В.Ф., Шулепов М.А. Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 86-93.
394 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dziadukh S. M. Hysteresis Phenomena in MIS Structures Based on Graded-Gap MBE HgCdTe with a Two-Layer Plasma-Chemical Insulator SiO2/Si3N4 // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 58, № 4. P. 540‒551. DOI: 10.1007/s11182-015-0532-7
395 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106.
396 Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Yu., Savitskii G. V., Fitsych O.I. Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching //Infrared Physics and Technology. 2015. Vol. 73. P. 158-165.
397 Соснин Э.А. Теория решения изобретательских задач в фотонике: учебное пособие /под ред.: Войцеховский А.В., Солдатов А.Н. Томск: Издательский Дом ТГУ, 2015. 336 с.
398 Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Pociask-Bialy M., Dvoretsky S.A. Background donor concentration in HgCdTe //Opto-Electronics Review. 2015. Vol. 23, № 3. P. 200-207.
399 Новиков В.А., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe //Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. Том II. Нижний Новгород, 2015. С. 601-602.
400 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Vasil’ev V.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V. Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates //Infrared Physics and Technology. 2015. Vol. 71. P. 236-241.