Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 601
381 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N. UV photodetectors based on wide-gap AlGaN semiconductors //The 12th International Conference "Atomic and Molecular Pulsed Lasers": Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 121.
382 Grigoryev D. V., Voitsekhovskii A. V., Lozovoy K. A., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films //The 12th International Conference "Atomic and Molecular Pulsed Lasers": Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 89-90.
383 Bonchyk A.Yu., Mohylyak I.A., Savitskii G. V., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A. V., Izhnin I.I. Comparison of Background Donor Concentration in HgCdTe Grown With Different Technologies //Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems. Materials of XV International Conference / Ed. by Honored scientist of Ukraine, Dr. Chem. Sci., Prof. Freik D.M. Ivano-Frankivsk, 2015. P. 258.
384 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Лозовой К.А. Наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками элементная база фотоэлектроники и фотовольтаики //Фотоника нано- и микроструктур (ФНМС-2015). 3-я Международная Школа-семинар. Сборник трудов. Томск: Изд-во ТУСУР, 2015. С. 7.
385 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dziadukh S. M., Grigoryev D. V., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Influence of Plasma Volume Discharge in Atmospheric-Pressure Air on the Admittance of MIS Structures Based on MBE p-HgCdTe //Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2015)/ 12-th International Conference. Abstracts. Томск: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 211.
386 Средин В.Г., Войцеховский А.В., Ананьин О.Б., Мелехов А.П., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 273-275.
387 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Г.Ю., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272.
388 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Г.Ю., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3 //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261.
389 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238.
390 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 231-234.
391 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100) //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 227-230.
392 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В. Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226.
393 Барко А.В., Войцеховский А.В., Левашкин А.Г., Коханенко А.П. Расчет параметров детекторов терагерцового диапазона на основе системы иммерсионная линза-планарная антенна-полупроводниковый датчик //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 283-286.
394 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Ижнин И.И., Ижнин А.И. Фотолюминесценция структур КРТ с потенциальными ямами //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276.
395 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273.
396 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Модельные представления формирования глубоких конвертированных слоев в р-CdxHg1-xTe при ионной имплантации //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 267-270.
397 Зятиков И.А., Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Копылова Т.Н., Тельминов Е.Н., Дегтяренко К.М., Медведев М.Д. Переходная электролюминесценция структур ОСИД с эмиссионным слоем на основе Alq3 //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 252-255.
398 Пищагин А.А., Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В., Никифоров А.И. Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 241-243.
399 Grigorev D.V., Voitsekhovskii A. V., Lozovoy K. A., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Changes in the Electro-Physical Propertyies of Mct Epitaxial Films Affected by a Plasma Volume Discharge Induced by an Avalache Beam in Atmospheric-Pressure Air //Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2015)/ 12-th International Conference. Abstracts. Томск: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 209.
400 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Никифоров А.И., Лозовой К.А. Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники //Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015. XI Междунар. науч. конгр., 13-25 апреля 2015 г., Новосибирск: Междунар. науч. конф. «СибОптика-2015»: сб. материалов в 3 т.. Том 1. Новосибирск, 2015. С. 201-205.