Elongated quantum dots of Ge on Si formation modelling
Авторы | автор Лозовой К. А. (Сотрудник, Студент), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2014 |
Язык | английский |
Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
Библиографическая запись | Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskiy A.V. Elongated quantum dots of Ge on Si formation modelling //Journal of Physics: Conference Series. 2014. Vol. 541, № 1. P. 012084-1-012084-4. |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность