Elongated quantum dots of Ge on Si formation modelling

Авторы автор Лозовой К. А. (Сотрудник, Студент), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2014
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskiy A.V. Elongated quantum dots of Ge on Si formation modelling //Journal of Physics: Conference Series. 2014. Vol. 541, № 1. P. 012084-1-012084-4.
Направление науки
УДК