ТГУ.Сотрудники
Admittance in MIS Structures Based on Graded-GAP MBE p-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) in the Strong Inversion Mode
| Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2014 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M. Admittance in MIS Structures Based on Graded-GAP MBE p-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) in the Strong Inversion Mode // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 8. P. 1070‒1081. |
| Направление науки | |
| УДК | 621.315.592 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность