ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 612
481 Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I. Electrophysical Characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor Structures Comprising CdHgTe-based Quantum Wells //Advanced Materials Research. 2014. Vol. 1040. P. 34-38.
482 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники //Наноинженерия. 2014. № 6. С. 3-20.
483 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Моделирование кинетики формирования клиновидных квантовых точек германия на кремнии // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2014. Т. 78, № 10. С. 1312‒1316.
484 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2014. Т. 78, № 10. С. 1317‒1321.
485 Light emission from CdHgTe-based nanostructures / Mynbaev K.D., Shilyaev A. V., Bazhenov N. L., Izhnin A.I. [et al] // Materials Physics and Mechanics. 2014. Vol. 21, № 2. P. 112‒118.
486 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г. Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 6. С. 3-11.
487 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г. Особенности адмиттанса мдп-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 62-69.
488 Differential resistance of space charge region in mis structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe (x= 0.23) in a wide temperature range / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Vasil`ev V.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 4. P. 536‒544.
489 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г. Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда мдп-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 4. С. 102-109.
490 Talipov N.X., Voitsekhovskii A.V., Grigor`ev D.V. Effect of the graded-gap layer composition on the formation of n+ –n– –p structures in boron-implanted heteroepitaxial CdxHg1–xTe layers // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 3. P. 345‒358.
491 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В. Влияние состава варизонного слоя на формирование n+-n--р-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 54-67.
492 Измайлов И.В., Пойзнер Б.Н. О науке, событиях в истории изучения света, колебаний, волн, об их исследователях, а также глоссы и этимоны /ред.: Войцеховский А.В. Томск: Издательский Дом ТГУ, 2014. 380 с.
493 Lozovoj K.A., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Satdarov V.G. Comparative analysis of pyramidal and wedge-like quantum dots formation kinetics in Ge/Si(001) system //Surface Science. 2014. Vol. 619, № 1. P. 1-4.
494 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M. Photoelectrical characteristics of metal–insulator–semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy //Thin Solid Films. 2014. Vol. 551, № 1. P. 92-97.
495 Izhnin I.I., Dvoretsky S.A., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Pociask-Bialy M., Voitsekhovskii A.V., Sheregii E. Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic //Journal of Applied Physics. 2014. Vol. 115, № 16. P. 163501-163507.
496 Брудный В.Н., Войцеховский А.В., Ивонин И.В., Толбанов О.П. Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете //Электронная промышленность. 2014. № 1. С. 7-15.
497 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Микроболометрические детекторы ИК диапазона на основе поликристаллического SiGe //Вакуумная наука и техника: Материалы XX юбилейной научно-технической конференции. Под ред. доктора технических наук, профессора Д.В. Быкова. МИЭМ НИУ ВШЭ. Москва, 2013. С. 188-191.
498 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Детекторы ИК диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si //Вакуумная наука и техника: Материалы XX юбилейной научно-технической конференции. Под ред. доктора технических наук, профессора Д.В. Быкова. МИЭМ НИУ ВШЭ. Москва, 2013. С. 184-187.
499 Войцеховский А.В., Протасов Д.Ю., Талипов Н.Х. Применение метода «спектр подвижности» для исследования процесса низкотемпературной активации имплантированных атомов бора в гетероэпитаксиальных структурах CdxHg1–xTe //Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2013. С. 336.
500 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Влияние термоциклирования на процесс низкотемпературной активациив гетероэпитаксиальных структурах CdxHg1–xTe имплантированных атомов бора и азота //Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2013. С. 335.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность