Особенности формирования n+-n--p структур в варизонных гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe при имплантации ионов бора

Авторы автор Талипов Н. Х. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Григорьев Д. В. (Сотрудник)
Тип Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год 2014
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В. Особенности формирования n+-n--p структур в варизонных гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe при имплантации ионов бора //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 63-67.
Направление науки
УДК