Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 589
341 Z. Świątek, M.V. Yakushev, I.I. Izhnin, P. Ozga, K. D. Mynbaev, V.S. Varavin, D.V. Marin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, A. V. Voitsekhovski, H. V. Savytskyy, O. Yu. Bonchyk. Electrical and optical studies of a tellurium-related defect in molecular-beam epitaxy-grown HgCdTe //Physica Status Solidi (с). 2016. Vol. 13, № 7-9. P. 461-464.
342 A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh. Peculiarities of Determining the Dopant Concentration in the Near-Surface Layer of a Semiconductor by Measuring the Admittance of MIS Structures Based on P-Hg0.78Cd0.22Te Grown by Molecular Beam Epitaxy // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 2. P. 284‒294. DOI: 10.1007/s11182-016-0769-9
343 A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh. Dopant in Near-Surface Semiconductor Layers of Metal-Insulator-Semiconductor Structures Based on Graded-Gap p-Hg0.78Cd0.22Te Grown by Molecular-Beam Epitaxy //Journal of Electronic Materials. 2016. Vol. 45, № 2. P. 881-893.
344 Ihor I. Izhnin, Sergey N. Nesmelov, Stanislav M. Dzyadukh, Alexander V. Voitsekhovskii, Dmitry I. Gorn, Sergey A. Dvoretsky, Nikolaj N. Mikhailov. Admittance Investigation of MIS Structures with HgTe-Based Single Quantum Wells //Nanoscale research letters. 2016. Vol. 11, № 1. P. 53-1-53-4.
345 З. Свёнтек, П. Озга, И.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, А.В. Войцеховский, А.Г. Коротаев, К.Д. Мынбаев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, А.Ю. Бончик, Г.В. Савицкий. Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe //Известия вузов. Физика. 2016. Т. 59, № 3. С. 110-113.
346 А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Известия вузов. Физика. 2016. Т. 59, № 2. С. 105-114.
347 А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, И.И. Ижнин, А.И. Ижнин. Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с одиночными квантовыми ямами //Оптический журнал. 2016. Т. 83, № 4. С. 15-23.
348 Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films / Grigoryev D. V., Voitsekhovskii A. V., Lozovoy K.A., Nesmelov S. N., Dzyadukh S. M. [et al] // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2015. Vol. 9810. P. 98100U-1—98100U-6. DOI: 10.1117/12.2224704
349 Izhnin I.I., Fitsych O.I., Nesmelov S. N., Dzyadukh S.M., Voitsekhovskii A. V., Gorn D. I. Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well //The International research and practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2015). Abstracts Book of participants of the International Summer School and International research and practice Conference. Lviv: Eurosvit, 2015. P. 364.
350 Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Мынбаев К.Д., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением //Сборник научных трудов VIII Международной научной конференции «Функциональная база наноэлектроники». Одесса, 2015. С. 171-175.
351 Григорьев Д.В., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Тарасенко В.Ф., Шулепов М.А. Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на магнитополевые зависимости электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 144-146.
352 Dziadukh Stanislav Mikhailovich, Nesmelov Sergei Nikolaevich, Voitsekhovskii A. V., Gorn Dmitrii Igorevich. Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells //Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 661. P. 012032-1-012032-6.
353 Voitsekhovskii A. V., Nesmelov Sergei Nikolaevich, Dziadukh Stanislav Mikhailovich, Gorn Dmitrii Igorevich. Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K //СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Материалы 25 -й Международной Крымской конференции. Том 1. Севастополь, 2015. P. 739-740.
354 Voitsekhovskii A. V., Nesmelov Sergei Nikolaevich, Dziadukh Stanislav Mikhailovich. Capacitance voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe //СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Материалы 25 -й Международной Крымской конференции. Том 1. Севастополь, 2015. P. 735-736.
355 Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of mis structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy / Voitsekhovskii A. V., Nesmelov Sergei Nikolaevich, Dziadukh Stanislav Mikhailovich, Grigorev D. V. [et al] // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 58, № 7. P. 970‒977. DOI: 10.1007/s11182-015-0597-3
356 Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S.N., Dziadukh S. M., Gorn D. I. Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 739-740. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.
357 Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S. N., Dziadukh S. M. Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 735-736. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.
358 Kokhanenko A. P., Lozovoi K. A., Voitsekhovskii A. V. Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 709-710. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.
359 Novikov V.A., Grigoryev D. V., Bezrodnyy D. A., Voitsekhovskii A. V., Dvoretskii S. A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V. Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe //Conference book of 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials. Paris, France: Open Publishing Association, 2015. P. 345.
360 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. Оптимизация технологии формирования многоэлементных матричных ИК-фотоприемников на основе МЛЭ слоев CdxHg1-xТе //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 139.