ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Публикации
Общее число записей - 593
| 581 | Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Исследование свойств границ раздела варизонного HgCdTe МЛЭ с различными диэлектриками //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 135-136. |
|
|
| 582 | Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Влияние приповерхностных слоев с повышенным составом на электрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 133-134. |
|
|
| 583 | Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда //Нано- и микросистемная техника. 2010. № 7. С. 32-37. |
|
|
| 584 | Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I., Nesmelov S.N., Koxanenko A.P. Energy-band diagrams and capacity-voltage characteristics of CdxHg1-xTe-based variband structures calculated with taking into account dependence of electron affinity on a composition //Opto-Electronics Review. 2010. Vol. 18, № 3. P. 241-245. |
|
|
| 585 | Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Varavin V.S., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G., Yakushev M.V. Capacitance-voltage characteristics of MIS-structures on the basis of graded-band MBE Hg1-xCdxTe at passivation by epitaxially grown in situ CdTe //Opto-Electronics Review. 2010. Vol. 18, № 3. P. 263-266. |
|
|
| 586 | Войцеховский А.В., Войцеховская О.К., Каширский Д.Е., Суслова И.С. Моделирование определения термодинамических параметров высокотемпературного газового объема пассивным дистанционным методом //Оптический журнал. 2010. Т. 77, № 9. С. 37-44. |
|
|
| 587 | Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Varavin V.S., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G., Yakushev M.V. Influence of near-surface graded-gap layers on electrical characteristics of MIS-structures based on MBE grown HgCdTe //Opto-Electronics Review. 2010. Vol. 18, № 3. P. 259-262. |
|
|
| 588 | Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе материала кадмий-ртуть-теллур, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В. [и др.] // Прикладная физика. 2010. № 3. С. 119‒123. |
|
|
| 589 | Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Пчеляков О.П., Никифоров А.И. Эффективность преобразования солнечной энергии солнечным элементом на основе Si с квантовыми точками Ge // Прикладная физика. 2010. № 2. С. 96‒102. |
|
|
| 590 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Васильев В.В., Якушев М.В. Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными in situ CdTe в качестве диэлектрика //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 40-45. |
|
|
| 591 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Тенденция развития инфракрасных детекторов с квантовыми точками //Нано- и микросистемная техника. 2010. № 3. С. 44-50. |
|
|
| 592 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Детекторы с квантовыми точками Ge/Si для инфракрасного диапазона //Нано- и микросистемная техника. 2010. № 4. С. 39-44. |
|
|
| 593 | Скрыльников А.А., Войцеховский А.В. Расчет и оптимизация параметров устройств на поверхностных акустических волнах. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2010. 56 с. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность