ТГУ.Сотрудники
Total Conductance of MIS Structures Based on Graded-Gap p-Hg1–х Cd х Te (x = 0.22–0.23) Grown by Molecular Beam Epitaxy
| Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Васильев В. В. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Кузьмин В. Д. (Сотрудник другой организации), автор Ремесник В. Г. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2014 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Total Conductance of MIS Structures Based on Graded-Gap p-Hg1–х Cd х Te (x = 0.22–0.23) Grown by Molecular Beam Epitaxy / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Vasil`ev V.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 6. P. 707‒716. |
| Направление науки | |
| УДК | 621.315.592 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность