ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 603
521 Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Войцеховский А.В., Сизов А.Л., Средин В.Г., Талипов Н.Х., Шульга С.А. Исследование воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–хTe //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 29-36.
522 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ //Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 4. С. 493-499.
523 Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Горн Д.И. Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 50-56.
524 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава //Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 1. С. 38-45.
525 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 36-49.
526 The photoelectrical properties of mis structures based on heteroepitaxial n-Hg1–xCdxTe (x = 0.21–0.23) / Vojcexovskij A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Vasil’ev V.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 55, № 8. P. 917‒924.
527 Analysis of the photoluminescence spectra of CdxHg1–xTe heteroepitaxial structures with potential and quantum wells grown by molecular-beam epitaxy / Vojcexovskij A.V., Gorn D.I., Izhnin I.I., Izhnin A.I. [et al] // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 55, № 8. P. 910‒916.
528 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Длинноволновые ИК-фотоприемники и фотоприемные устройства на основе HgCdTe //Наноинженерия. 2013. № 6. С. 21-31.
529 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Петерс А.С., Тарасенко В.Ф., Шулепов М.А. Влияние объемного наносекудного разряда в атмосфере воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe //Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 333-337.
530 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Турапин А.М., Романов И.С. Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации //Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 338-343.
531 Войцеховский А.В., Никитин М.С., Талипов Н.Х. Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 5. С. 104-109.
532 Войцеховский А.В., Скрыльников А.А. Функциональная акустоэлектроника. Издание 2-е, исправленное и дополненное. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2013. 362 с.
533 Gorn D.I., Vojcexovskij A.V., Izhnin I.I. Photoluminescence Spectra of CdxHg1-xTe Quantum-Well Heterostructures //Russian Microelectronics. 2013. Vol. 42, № 8. P. 525-528.
534 A change in the electro-physical properties of narrow-band CdHgTe solid solutions acted upon by a volume discharge induced by an avalanche electron beam in the air at atmospheric pressure / Voitsekhovskii A.V., Grigor`ev D.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P. [et al] // Russian Physics Journal. 2012. Vol. 54, № 10. P. 1152‒1155.
535 Vojcexovskij A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M. Capacitance-voltage characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators //Thin Solid Films. 2012. Vol. 522. P. 261-266.
536 Yackij A.V., Lozovoj K.A., Koxanenko A.P., Vojcexovskij A.V. Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1-XCdXTe heterostructures //Известия вузов. Физика. 2012. Vol. 55, № 8(3). P. 269-270.
537 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В. Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21-0,23) //Известия вузов. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 56-62.
538 Радиационные эффекты в HgCdTe / Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В. [и др.] // Прикладная физика. 2012. № 1. С. 82‒89.
539 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Мальцев П.П. Детектирование в терагерцовом диапазоне //Нано- и микросистемная техника. 2012. № 2. С. 28-35
540 Fitsych O.I., Mynbaev K.D., Izhnin I.I., Talipov N.X., Voitsekhovskii A.V., Grigorjev D.V., Mikhailov N.N. Ion implantation and ion milling in MBE Hg1-xCdxTe films //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2012. Vol. 272, № 1. P. 313-317.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность