ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 592
521 Войцеховский А.В., Скрыльников А.А. Функциональная акустоэлектроника. Издание 2-е, исправленное и дополненное. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2013. 362 с.
522 Gorn D.I., Vojcexovskij A.V., Izhnin I.I. Photoluminescence Spectra of CdxHg1-xTe Quantum-Well Heterostructures //Russian Microelectronics. 2013. Vol. 42, № 8. P. 525-528.
523 A change in the electro-physical properties of narrow-band CdHgTe solid solutions acted upon by a volume discharge induced by an avalanche electron beam in the air at atmospheric pressure / Voitsekhovskii A.V., Grigor`ev D.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P. [et al] // Russian Physics Journal. 2012. Vol. 54, № 10. P. 1152‒1155.
524 Vojcexovskij A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M. Capacitance-voltage characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators //Thin Solid Films. 2012. Vol. 522. P. 261-266.
525 Yackij A.V., Lozovoj K.A., Koxanenko A.P., Vojcexovskij A.V. Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1-XCdXTe heterostructures //Известия вузов. Физика. 2012. Vol. 55, № 8(3). P. 269-270.
526 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В. Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21-0,23) //Известия вузов. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 56-62.
527 Радиационные эффекты в HgCdTe / Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В. [и др.] // Прикладная физика. 2012. № 1. С. 82‒89.
528 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Мальцев П.П. Детектирование в терагерцовом диапазоне //Нано- и микросистемная техника. 2012. № 2. С. 28-35
529 Fitsych O.I., Mynbaev K.D., Izhnin I.I., Talipov N.X., Voitsekhovskii A.V., Grigorjev D.V., Mikhailov N.N. Ion implantation and ion milling in MBE Hg1-xCdxTe films //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2012. Vol. 272, № 1. P. 313-317.
530 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Ионная имплантация в гетероэпитаксиальные слои и кристаллы p-CdxHg1-xTe //Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2011. № 4. С. 32-41.
531 Ge/Si nanoheterostructures with ordered Ge quantum dots for optoelectronic applications / Pchelyakov O.P., Dvurechenskii A.V., Nikiforov A.I., Voitsekhovskii A.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2011. Vol. 53, № 9. P. 943‒948.
532 Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Наблюдение спектров фотолюминесценции одиночной КЯ (d = 12.5 нм) на основе КРТ с х = 0.24 //Сборник трудов VII Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика-2011». Санкт-Петербург, 2011. С. 297-298.
533 Горн Д.И., Ижнин И.И., Войцеховский А.В. Исследование фотолюминесценции гетероструктур КРТ с одиночной квантовой ямой // Физика : материалы XLIX Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс», 16-20 апреля 2011 г. Новосибирск, 2011. С. 208.
534 Каширский Д.Е., Волков Д.В., Войцеховская О.К., Войцеховский А.В. Программный комплекс для расчетов спектральных характеристик пространственно неоднородных газовых сред с аэрозольными сферическими частицами // Оптика атмосферы и океана. Физика атмосферы. Материалы XVII международного симпозиума. Томск: Изд-во ИОА СО РАН, 2011. С. 72‒75.
535 Шулепов М.А., Григорьев Д.В., Тарасенко В.Ф., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Войцеховский А.В. Влияние объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe //Материалы 9-й Международной конференции Взаимодействие излучений с твердым телом. Минск, Беларусь: Издательский центр БГУ, 2011. С. 206-207.
536 Лозовой К.А., Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Турапин А.М. Зависимость параметров массива квантовых точек Ge на поверхности Si(100) от условий синтеза // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 94.
537 Протасов Д.Ю., Трифанов А.В., Костюченко В.Я., Войцеховский А.В. Автоматизированный комплекс определения рекомбинационно-диффузионных параметров в плёнках узкозонных полупроводников р-типа // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 110.
538 Войцеховский А.В., Протасов Д.Ю., Костюченко В.Я. Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект на плёнках ГЭС ЖФЭ р-КРТ // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 116.
539 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. Ионная имплантация и ионное травление варизонных эпитаксиальных структур HgCdTe // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 51.
540 Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава / Дзядух С.М., Варавин В.С., Несмелов С.Н., Якушев М.В. [и др.] // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 104.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность