Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 584
521 Fitsych O.I., Mynbaev K.D., Izhnin I.I., Talipov N.X., Voitsekhovskii A.V., Grigorjev D.V., Mikhailov N.N. Ion implantation and ion milling in MBE Hg1-xCdxTe films //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2012. Vol. 272, № 1. P. 313-317.
522 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Ионная имплантация в гетероэпитаксиальные слои и кристаллы p-CdxHg1-xTe //Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2011. № 4. С. 32-41.
523 Ge/Si nanoheterostructures with ordered Ge quantum dots for optoelectronic applications / Pchelyakov O.P., Dvurechenskii A.V., Nikiforov A.I., Voitsekhovskii A.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2011. Vol. 53, № 9. P. 943‒948.
524 Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Наблюдение спектров фотолюминесценции одиночной КЯ (d = 12.5 нм) на основе КРТ с х = 0.24 //Сборник трудов VII Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика-2011». Санкт-Петербург, 2011. С. 297-298.
525 Горн Д.И., Ижнин И.И., Войцеховский А.В. Исследование фотолюминесценции гетероструктур КРТ с одиночной квантовой ямой // Физика : материалы XLIX Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс», 16-20 апреля 2011 г. Новосибирск, 2011. С. 208.
526 Каширский Д.Е., Волков Д.В., Войцеховская О.К., Войцеховский А.В. Программный комплекс для расчетов спектральных характеристик пространственно неоднородных газовых сред с аэрозольными сферическими частицами // Оптика атмосферы и океана. Физика атмосферы. Материалы XVII международного симпозиума. Томск: Изд-во ИОА СО РАН, 2011. С. 72‒75.
527 Шулепов М.А., Григорьев Д.В., Тарасенко В.Ф., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Войцеховский А.В. Влияние объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe //Материалы 9-й Международной конференции Взаимодействие излучений с твердым телом. Минск, Беларусь: Издательский центр БГУ, 2011. С. 206-207.
528 Лозовой К.А., Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Турапин А.М. Зависимость параметров массива квантовых точек Ge на поверхности Si(100) от условий синтеза // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 94.
529 Протасов Д.Ю., Трифанов А.В., Костюченко В.Я., Войцеховский А.В. Автоматизированный комплекс определения рекомбинационно-диффузионных параметров в плёнках узкозонных полупроводников р-типа // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 110.
530 Войцеховский А.В., Протасов Д.Ю., Костюченко В.Я. Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект на плёнках ГЭС ЖФЭ р-КРТ // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 116.
531 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. Ионная имплантация и ионное травление варизонных эпитаксиальных структур HgCdTe // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 51.
532 Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава / Дзядух С.М., Варавин В.С., Несмелов С.Н., Якушев М.В. [и др.] // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 104.
533 Влияние квантовых точек Ge на эффективность преобразования солнечного элемента на основе Si / Марфин Е.Ю., Никифоров А.И., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В. [и др.] // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 121.
534 Горн Д.И., Ижнин А.И., Ижнин И.И., Войцеховский А.В. Теоретический анализ спектра фотолюминесценции гетероструктуры КРТ МЛЭ с одиночной КЯ // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 132.
535 Влияние воздействия мощного импульсного лазерного излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdхHg1-xTe / Талипов Н.Х., Сизов А.Л., Войцеховский А.В., Средин В.Г. [и др.] // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 90.
536 Турапин А.М., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Войцеховский А.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия Ge/Si наногетероструктур с квантовыми точками // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 382.
537 Исследование влияния объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок HgCdTe / Тарасенко В.Ф., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В., Шулепов М.А. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 380.
538 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. Сравнение результатов ионной имплантации и ионного травления варизонных эпитаксиальных структур HgCdTe // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 175.
539 Электрические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава / Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Дворецкий С.А., Варавин В.С. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 321.
540 Наблюдение и анализ фотолюминесценции структуры КРТ с одиночной КЯ (d = 12,5 нм, х = 0,24) / Дворецкий С.А., Ижнин А.И., Горн Д.И., Войцеховский А.В. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 194.