ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 592
401 Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Pociask-Bialy M., Dvoretsky S.A. Background donor concentration in HgCdTe //Opto-Electronics Review. 2015. Vol. 23, № 3. P. 200-207.
402 Новиков В.А., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe //Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. Том II. Нижний Новгород, 2015. С. 601-602.
403 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Vasil’ev V.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V. Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates //Infrared Physics and Technology. 2015. Vol. 71. P. 236-241.
404 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути //Нано- и микросистемная техника. 2015. № 6. С. 10-17.
405 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Сатдаров В.Г. Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge //Нано- и микросистемная техника. 2015. № 3. С. 31-41.
406 Соснин Э.А., Пойзнер Б.Н. Осмысленная научная деятельность: диссертанту о жизни знаний, защищаемых в форме положений /ред.: Войцеховский А.В. Москва: РИОР: ИНФРА-М, 2015. 148 с.
407 Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V. Influence of Edge Energy on Modeling the Growth Kinetics of Quantum Dots //Crystal Growth & Design. 2015. Vol. 15, № 3. P. 1055-1059.
408 О науке, событиях в истории изучения света, колебаний, волн, об их исследователях, а также глоссы и этимоны /Измайлов И.В., Пойзнер Б.Н.; ред.: Войцеховский А.В. 2-е издание, исправленное и дополненное. Томск: Издательский Дом ТГУ, 2015. 410 с.
409 Measurement of the Charge Carrier Mobility in MEH-PPV and MEH-PPV-POSS Organic Semiconductor Films / Romanov I.V., Voitsekhovskii A.V., Degtyarenko K.M., Kopylova T.N. [et al] // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 57, № 11. P. 1584‒1592. DOI: 10.1007/s11182-015-0422-z
410 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Сатдаров В.Г. Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge //Нано- и микросистемная техника. 2015. № 2. С. 9-20.
411 Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I. Photoluminescence spectra of HgCdTe structures with multiple quantum wells // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 57, № 10. P. 1412‒1422.
412 Gorn D.I., Voitsekhovskii A.V., Dzyadux S.M., Nesmelov S.N. Differential conductance and capacityvoltage characteristics of MIS structures with single quantum wells based on HgTe //International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 164-173.
413 Lozovoy K.A., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Satdarov V.G. Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions //International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 209-217.
414 Satdarov V.G., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A. Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy //International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 285-296.
415 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Ижнин И.И., Ижнин А.И. Спектры фотолюминесценции структур с одиночными квантовыми ямами на основе CdхHg1-хTe //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 9/2. С. 135-140.
416 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 9/2. С. 21-26.
417 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Романов И.В., Тарасенко В.Ф., Шулепов М.А. Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 10/3. С. 126-130.
418 Izhnin I.I., Izhnin A.I., Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I., Fitsych O.I. CdHgTe-based single quantum wells structures photoluminescence spectra analysis //Book of Abstracts of young scientists and lecturers of the International Summer School, 23-30 August, 2014. Edited by Dr. Olena Fesenko. Lviv: Eurosvit, 2014. P. 453.
419 Pociask-Bialy M., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Mynbaev K.D. Background donor concentration in HgCdTe //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL:: http://www.emrs-strasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015.
420 Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I. Stimulated emission from CdHgTe-based structures with quantum wells: review and analysis //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL:: http://www.emrs-strasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность