Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 584
401 Measurement of the Charge Carrier Mobility in MEH-PPV and MEH-PPV-POSS Organic Semiconductor Films / Romanov I.V., Voitsekhovskii A.V., Degtyarenko K.M., Kopylova T.N. [et al] // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 57, № 11. P. 1584‒1592. DOI: 10.1007/s11182-015-0422-z
402 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Сатдаров В.Г. Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge //Нано- и микросистемная техника. 2015. № 2. С. 9-20.
403 Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I. Photoluminescence spectra of HgCdTe structures with multiple quantum wells // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 57, № 10. P. 1412‒1422.
404 Gorn D.I., Voitsekhovskii A.V., Dzyadux S.M., Nesmelov S.N. Differential conductance and capacityvoltage characteristics of MIS structures with single quantum wells based on HgTe //International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 164-173.
405 Lozovoy K.A., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Satdarov V.G. Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions //International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 209-217.
406 Satdarov V.G., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A. Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy //International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 285-296.
407 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Ижнин И.И., Ижнин А.И. Спектры фотолюминесценции структур с одиночными квантовыми ямами на основе CdхHg1-хTe //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 9/2. С. 135-140.
408 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 9/2. С. 21-26.
409 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Романов И.В., Тарасенко В.Ф., Шулепов М.А. Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 10/3. С. 126-130.
410 Izhnin I.I., Izhnin A.I., Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I., Fitsych O.I. CdHgTe-based single quantum wells structures photoluminescence spectra analysis //Book of Abstracts of young scientists and lecturers of the International Summer School, 23-30 August, 2014. Edited by Dr. Olena Fesenko. Lviv: Eurosvit, 2014. P. 453.
411 Pociask-Bialy M., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Mynbaev K.D. Background donor concentration in HgCdTe //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL:: http://www.emrs-strasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015.
412 Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I. Stimulated emission from CdHgTe-based structures with quantum wells: review and analysis //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL:: http://www.emrs-strasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015.
413 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 10. С. 102-111.
414 Горн Д.И., Войцеховский А.В. Обзор достижений по получению лазерной генерации в квантовых ямах на основе КРТ МЛЭ //Актуальные проблемы развития науки и образования: Сборник научных трудов по материалам Международной научно-практической конференции. Часть 1. Москва, 2014. С. 42-43.
415 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Маслова Ю.В. Развитие исследовательской компетенции у магистрантов в процессе выполнения лабораторного практикума //Сборник трудов. Конференция "Оптика и образование - 2014"/Под общ. редакцией проф. А.А. Шехонина. - СПб: Университет ИТМО. Санкт-Петербург, 2014. С. 51-52.
416 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. Электрофизические и оптические характеристики МДП-структур на основе CdHgTe с квантовыми ямами HgTe //Международный форум «Крым Hi-Tech-2014». Сборник тезисов докладов. Москва, 2014. С. 65-68.
417 Коханенко А.П., Войцеховский А.В., Лозовой К.А. Зависимости параметров квантовых точек Ge на Si от соотношения сторон их оснований //Кремний -2014 / Тезисы докладов X Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Иркутск, 2014. С. 135.
418 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Маслова Ю.В. Применение электронного ресурса MOODLE при проведении лабораторных работ по курсу "Волоконно-оптические линии связи" //Сборник трудов. Конференция "Оптика и образование - 2014"/Под общ. редакцией проф. А.А. Шехонина. - СПб: Университет ИТМО. Санкт-Петербург, 2014. С. 52-53.
419 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Стимулированное излучение в гетероструктурах КРТ МЛЭ с квантовыми ямами //Сборник трудов Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики – 2014». Санкт-Петербург, 2014. С. 444-446.
420 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Фотолюминесценция в МКЯструктурах КРТ МЛЭ //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 81.