Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 584
461 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г. Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда мдп-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 4. С. 102-109.
462 Talipov N.X., Voitsekhovskii A.V., Grigor`ev D.V. Effect of the graded-gap layer composition on the formation of n+ –n– –p structures in boron-implanted heteroepitaxial CdxHg1–xTe layers // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 3. P. 345‒358.
463 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В. Влияние состава варизонного слоя на формирование n+-n--р-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 54-67.
464 Измайлов И.В., Пойзнер Б.Н. О науке, событиях в истории изучения света, колебаний, волн, об их исследователях, а также глоссы и этимоны /ред.: Войцеховский А.В. Томск: Издательский Дом ТГУ, 2014. 380 с.
465 Lozovoj K.A., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Satdarov V.G. Comparative analysis of pyramidal and wedge-like quantum dots formation kinetics in Ge/Si(001) system //Surface Science. 2014. Vol. 619, № 1. P. 1-4.
466 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M. Photoelectrical characteristics of metal–insulator–semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy //Thin Solid Films. 2014. Vol. 551, № 1. P. 92-97.
467 Izhnin I.I., Dvoretsky S.A., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Pociask-Bialy M., Voitsekhovskii A.V., Sheregii E. Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic //Journal of Applied Physics. 2014. Vol. 115, № 16. P. 163501-163507.
468 Брудный В.Н., Войцеховский А.В., Ивонин И.В., Толбанов О.П. Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете //Электронная промышленность. 2014. № 1. С. 7-15.
469 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Микроболометрические детекторы ИК диапазона на основе поликристаллического SiGe //Вакуумная наука и техника: Материалы XX юбилейной научно-технической конференции. Под ред. доктора технических наук, профессора Д.В. Быкова. МИЭМ НИУ ВШЭ. Москва, 2013. С. 188-191.
470 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Детекторы ИК диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si //Вакуумная наука и техника: Материалы XX юбилейной научно-технической конференции. Под ред. доктора технических наук, профессора Д.В. Быкова. МИЭМ НИУ ВШЭ. Москва, 2013. С. 184-187.
471 Войцеховский А.В., Протасов Д.Ю., Талипов Н.Х. Применение метода «спектр подвижности» для исследования процесса низкотемпературной активации имплантированных атомов бора в гетероэпитаксиальных структурах CdxHg1–xTe //Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2013. С. 336.
472 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Влияние термоциклирования на процесс низкотемпературной активациив гетероэпитаксиальных структурах CdxHg1–xTe имплантированных атомов бора и азота //Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2013. С. 335.
473 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н. Микроболометрические детекторы ИК-диапазона на основе поликристаллического SiGe //Наноинженерия. 2013. № 12. С. 27-35.
474 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Влияние облучения на характеристики HgCdTe ИК фотодетекторов //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, Материалы международной научно-методической конференции "INTERMATIK-2013" , 2013. г. Москва, 2013. С. 222-227.
475 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н. Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, Материалы международной научно-методической конференции "INTERMATIK-2013" , 2013. г. Москва, 2013. С. 204-211.
476 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н. Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, Материалы международной научно-методической конференции "INTERMATIK-2013" , 2013. г. Москва, 2013. С. 212-221.
477 An investigation into the effect of high-power pulse ir radiation on the pr operties of surfaces of CdxHg1–хTe heteroepitaxial layers / Boltar` K.O., Burlakov I.D., Voitsekhovskii A.V., Sizov A.L. [et al] // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 56, № 8. P. 882‒889.
478 An Investigation into the Admittance of MIS-Structures Based on MBE HgCdTe with Quantum Wells / Dzyadukh S.M., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dvoretskii S.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 56, № 7. P. 778‒784.
479 Voitsekhovskii A.V., Talipov N.X. Low-Temperature Activation of Ion-Implanted Boron and Nitrogen Ions in CdxHg1–xTe Heteroepitaxial Layers // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 56, № 7. P. 763‒777.
480 Voitsekhovskii A.V., Nikitin M. S., Talipov N.X. The effect of boron implantation modes on the parameters of photodiodes produced in the CdxHg1–xTe heteroepitaxial structures // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 56, № 5. P. 599‒605.