ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 605
501 Voitsekhovskii A.V., Nikitin M. S., Talipov N.X. The effect of boron implantation modes on the parameters of photodiodes produced in the CdxHg1–xTe heteroepitaxial structures // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 56, № 5. P. 599‒605.
502 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Методика расчёта спектров фотолюминесценции структур КРТ МЛЭ с потенциальными и квантовыми ямами // Прикладная физика. 2013. № 5. С. 5‒9.
503 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ //Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 5. С. 611-616.
504 Satdarov V.G., Voitsekhovskii A.V., Koxanenko A.P., Kalin E.A., Nikiforov A.I., Dzyadux S.M. Admittance Spectroscopy for the Research of Germanium-on-Silicon Quantum dot Structures Parameters //Известия вузов. Физика. 2013. Vol. 56, № 10(3). P. 241-243.
505 Lozovoy K.A., Voytsekhovskiy A.V., Kokhanenko A.P., Satdarov V.G., Kalin E.A. Ge/Si Quantum dots Formation by the Method of Molecular beam Epitaxy //Известия вузов. Физика. 2013. Vol. 56, № 10(3). P. 221-223.
506 Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I. Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the (8-300) K //Известия вузов. Физика. 2013. Vol. 56, № 10(3). P. 206-208.
507 Kalin E.A., Satdarov V.G., Voytsekhovskiy A.V., Kokhanenko A.P. The growth of sige nanostructures by molecular beam epitaxy //Известия вузов. Физика. 2013. Vol. 56, № 10(3). P. 203-205.
508 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Петерс А.С., Тарасенко В.Ф., Миляева Е.В. Влияние комплексного воздействия электронного пучка пикосекундной длительности и объёмного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала CdHgTe //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9(2). С. 137-139.
509 Пищагин А.А., Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Сатдаров В.Г. Моделирование кремниевого p–i–n фотодиода со встроенными слоями квантовых точек германия с помощью «TCAD Sent aurus» //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 131-133.
510 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Романов И.В., Гадиров Р.М., Дегтяренко К.М., Копылова Т.Н. Переходная электролюминесценция в тонких полимерных плёнках //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 122-124.
511 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Романов И.В. Методы измерения дрейфовой подвижности носителей заряда в излучающих структурах на основе полимерных органических полупроводниковых материалов //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 109-112.
512 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Расчет пороговых характеристик фотопроводящих детекторов на органических полупроводниках //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 102-105.
513 Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 95-97.
514 Лозовой К.А., Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Сатдаров В.Г. Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 49-51.
515 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 37-39.
516 Несмелов С.Н., Войцеховский А.В., Дзядух С.М. Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 128-130.
517 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Ижнин И.И., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю. Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1–xCdxTe после ионной имплантации бора //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9(2). С. 85-88.
518 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9(2). С. 17-20.
519 Войцеховский А.В., Сатдаров В.Г., Коханенко А.П., Калин Е.А., Никифоров А.И., Дзядух С.М. Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9(2). С. 5-7.
520 Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Савчин В.П., Вакив Н.М. Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники. Томск: Издательский Дом ТГУ, 2013. 562 с.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность