ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 597
501 Пищагин А.А., Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Сатдаров В.Г. Моделирование кремниевого p–i–n фотодиода со встроенными слоями квантовых точек германия с помощью «TCAD Sent aurus» //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 131-133.
502 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Романов И.В., Гадиров Р.М., Дегтяренко К.М., Копылова Т.Н. Переходная электролюминесценция в тонких полимерных плёнках //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 122-124.
503 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Романов И.В. Методы измерения дрейфовой подвижности носителей заряда в излучающих структурах на основе полимерных органических полупроводниковых материалов //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 109-112.
504 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Расчет пороговых характеристик фотопроводящих детекторов на органических полупроводниках //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 102-105.
505 Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 95-97.
506 Лозовой К.А., Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Сатдаров В.Г. Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 49-51.
507 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 37-39.
508 Несмелов С.Н., Войцеховский А.В., Дзядух С.М. Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 128-130.
509 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Ижнин И.И., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю. Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1–xCdxTe после ионной имплантации бора //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9(2). С. 85-88.
510 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9(2). С. 17-20.
511 Войцеховский А.В., Сатдаров В.Г., Коханенко А.П., Калин Е.А., Никифоров А.И., Дзядух С.М. Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9(2). С. 5-7.
512 Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Савчин В.П., Вакив Н.М. Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники. Томск: Издательский Дом ТГУ, 2013. 562 с.
513 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектального диапазона 8…14 мкм на твердых растворах теллуридов кадмия-ртути //Нано- и микросистемная техника. 2013. № 10. С. 29-37.
514 Izhnin I.I., Izhnin A.I., Mynbaev K.D., Bazhenov N. L., Shilyaev A. V., Mixajlov N.N., Varavin V.S., Dvoreckij S.A., Fitsych O.I., Vojcexovskij A.V. Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs //Opto-Electronics Review. 2013. Vol. 21, № 4. P. 390-394.
515 Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Войцеховский А.В., Сизов А.Л., Средин В.Г., Талипов Н.Х., Шульга С.А. Исследование воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–хTe //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 29-36.
516 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ //Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 4. С. 493-499.
517 Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Горн Д.И. Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 50-56.
518 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава //Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 1. С. 38-45.
519 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 36-49.
520 The photoelectrical properties of mis structures based on heteroepitaxial n-Hg1–xCdxTe (x = 0.21–0.23) / Vojcexovskij A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Vasil’ev V.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 55, № 8. P. 917‒924.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность