Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 584
501 Izhnin I.I., Izhnin A.I., Mynbaev K.D., Bazhenov N. L., Shilyaev A. V., Mixajlov N.N., Varavin V.S., Dvoreckij S.A., Fitsych O.I., Vojcexovskij A.V. Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs //Opto-Electronics Review. 2013. Vol. 21, № 4. P. 390-394.
502 Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Войцеховский А.В., Сизов А.Л., Средин В.Г., Талипов Н.Х., Шульга С.А. Исследование воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–хTe //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 29-36.
503 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ //Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 4. С. 493-499.
504 Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Горн Д.И. Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 50-56.
505 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава //Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 1. С. 38-45.
506 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 36-49.
507 The photoelectrical properties of mis structures based on heteroepitaxial n-Hg1–xCdxTe (x = 0.21–0.23) / Vojcexovskij A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Vasil’ev V.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 55, № 8. P. 917‒924.
508 Analysis of the photoluminescence spectra of CdxHg1–xTe heteroepitaxial structures with potential and quantum wells grown by molecular-beam epitaxy / Vojcexovskij A.V., Gorn D.I., Izhnin I.I., Izhnin A.I. [et al] // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 55, № 8. P. 910‒916.
509 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Длинноволновые ИК-фотоприемники и фотоприемные устройства на основе HgCdTe //Наноинженерия. 2013. № 6. С. 21-31.
510 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Петерс А.С., Тарасенко В.Ф., Шулепов М.А. Влияние объемного наносекудного разряда в атмосфере воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe //Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 333-337.
511 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Турапин А.М., Романов И.С. Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации //Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 338-343.
512 Войцеховский А.В., Никитин М.С., Талипов Н.Х. Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 5. С. 104-109.
513 Войцеховский А.В., Скрыльников А.А. Функциональная акустоэлектроника. Издание 2-е, исправленное и дополненное. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2013. 362 с.
514 Gorn D.I., Vojcexovskij A.V., Izhnin I.I. Photoluminescence Spectra of CdxHg1-xTe Quantum-Well Heterostructures //Russian Microelectronics. 2013. Vol. 42, № 8. P. 525-528.
515 A change in the electro-physical properties of narrow-band CdHgTe solid solutions acted upon by a volume discharge induced by an avalanche electron beam in the air at atmospheric pressure / Voitsekhovskii A.V., Grigor`ev D.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P. [et al] // Russian Physics Journal. 2012. Vol. 54, № 10. P. 1152‒1155.
516 Vojcexovskij A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M. Capacitance-voltage characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators //Thin Solid Films. 2012. Vol. 522. P. 261-266.
517 Yackij A.V., Lozovoj K.A., Koxanenko A.P., Vojcexovskij A.V. Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1-XCdXTe heterostructures //Известия вузов. Физика. 2012. Vol. 55, № 8(3). P. 269-270.
518 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В. Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21-0,23) //Известия вузов. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 56-62.
519 Радиационные эффекты в HgCdTe / Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В. [и др.] // Прикладная физика. 2012. № 1. С. 82‒89.
520 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Мальцев П.П. Детектирование в терагерцовом диапазоне //Нано- и микросистемная техника. 2012. № 2. С. 28-35