ТГУ.Сотрудники
Дзядух Станислав Михайлович
Участие в конференциях
Общее число докладов - 108
91) XXIV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Свойства границы раздела в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.29-0.39) с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.05.2016 - 27.05.2016 |
92) XXIV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Влияние варизонного слоя на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) с диэлектриком Al2O3 |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.05.2016 - 27.05.2016 |
93) IC SeNOB 2016. International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Influence of infrared radiation on the electrical characteristics of the surface-barrier nanostructures based on MBE HgCdTe |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 22.05.2016 - 25.05.2016 |
94) Saint-Petersburg OPEN 2016. 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Investigation of Ge/Si with Ge quantum dots structures using the methods of admittance spectroscopy |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 28.03.2016 - 30.03.2016 |
95) Фотоника-2015. Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 12.10.2015 - 16.10.2015 |
96) Полупроводники-2015. XII Российская конференция по физике полупроводников
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 21.09.2015 - 25.09.2015 |
97) СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо'2015). 25-я Международная Крымская конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 06.09.2015 - 12.09.2015 |
98) СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо'2015). 25-я Международная Крымская конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 06.09.2015 - 12.09.2015 |
99) Gas Discharge Plasmas and Their Applications" (GDP 2015). 12-th International Conference
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Influence of Plasma Volume Discharge in Atmospheric-Pressure Air on the Admittance of MIS Structures Based on MBE p-HgCdTe |
| Тип доклада | постер |
| Дата участия | 06.09.2015 - 11.09.2015 |
100) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2015. III International research and practice conference
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well |
| Тип доклада | постер |
| Дата участия | 26.08.2015 - 29.08.2015 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 112
Публикации в рамках конференций
| 1 | Квантовые наноструктуры HgCdTe для ИК фотоприемников / Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн [и др.] // Материалы XXVIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и системам технического зрения. М.: АО «НПО «Орион», 2026. С. 68‒69. DOI: 10.51368/978-5-94836-754-52026-68 |
|
|
| 2 | Характеризация МДП-систем на основе структур LWIR nBn HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / Д.И. Горн, А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, С.А. Дворецкий [и др.] // Материалы XXVIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и системам технического зрения. М.: АО «НПО «Орион», 2026. С. 436‒438. DOI: 10.51368/978-5-94836-754-52026-436 |
|
|
| 3 | Электрофизические и фотоэлектрические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области для LWIR диапазона / Д.И. Горн, А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, С.А. Дворецкий [и др.] // Материалы XXVIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и системам технического зрения. М.: АО «НПО «Орион», 2026. С. 439‒441. DOI: 10.51368/978-5-94836-754-52026-439 |
|
|
| 4 | Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276. | ||
| 5 | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346. |
|
|
| 6 | Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 132. |
|
|
| 7 | Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 331. |
|
|
| 8 | Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 169‒170. |
|
|
| 9 | Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 171. |
|
|
| 10 | Модификация свойств границ раздела поверхностный окисел-антимонид индия мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А. А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 187‒189. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность