ТГУ.Сотрудники
Дзядух Станислав Михайлович
Участие в конференциях
Общее число докладов - 100
91) Gas Discharge Plasmas and Their Applications" (GDP 2015). 12-th International Conference
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Influence of Plasma Volume Discharge in Atmospheric-Pressure Air on the Admittance of MIS Structures Based on MBE p-HgCdTe |
| Тип доклада | постер |
| Дата участия | 06.09.2015 - 11.09.2015 |
92) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2015. III International research and practice conference
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well |
| Тип доклада | постер |
| Дата участия | 26.08.2015 - 29.08.2015 |
93) Крым Hi-Tech-2014. Международный форум
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические и оптические характеристики МДП-структур на основе CdHgTe с квантовыми ямами HgTe |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 25.09.2014 - 27.09.2014 |
94) Крым Hi-Tech-2014. Международный форум
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические и оптические характеристики МДП-структур на основе CdHgTe с квантовыми ямами HgTe |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 25.09.2014 - 27.09.2014 |
95) Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Электрофизическая диагностика параметров МДПструктур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe выращенного методом молекулярнолучевой эпитаксии |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 15.09.2014 - 18.09.2014 |
96) Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Электрофизическая диагностика параметров МДПструктур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe выращенного методом молекулярнолучевой эпитаксии |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 15.09.2014 - 18.09.2014 |
97) XXIII Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22-023 и 0,31-0,32) в широком диапазоне температур |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 28.05.2014 - 30.05.2014 |
98) XXIII Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0.22-0.23) |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 28.05.2014 - 30.05.2014 |
99) XXIII Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0.22-0.23) |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 28.05.2014 - 30.05.2014 |
100) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2013. V международная научно-практическая конференция с элементами научной школы для молодёжи
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами |
| Тип доклада | секционный |
| Награды | Диплом II степени |
| Дата участия | 01.10.2013 - 06.10.2013 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 104
Публикации в рамках конференций
| 1 | Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276. |
|
|
| 2 | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346. |
|
|
| 3 | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286. |
|
|
| 4 | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607. |
|
|
| 5 | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326 |
|
|
| 6 | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329 |
|
|
| 7 | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133. |
|
|
| 8 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305. |
|
|
| 9 | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541. |
|
|
| 10 | Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность