ТГУ.Сотрудники
Дзядух Станислав Михайлович
Участие в конференциях
Общее число докладов - 108
1) XXVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Квантовые наноструктуры HgCdTe для ИК фотоприемников |
| Тип доклада | пленарный |
| Дата участия | 27.05.2026 - 29.05.2026 |
2) XXVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Характеризация МДП-систем на основе структур LWIR nBn HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 27.05.2026 - 29.05.2026 |
3) XXVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические и фотоэлектрические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области для LWIR диапазона |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 27.05.2026 - 29.05.2026 |
4) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 13.10.2025 - 18.10.2025 |
5) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса |
| Тип доклада | пленарный |
| Дата участия | 16.09.2025 - 18.09.2025 |
6) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 16.09.2025 - 18.09.2025 |
7) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Модификация свойств границ раздела поверхностный окисел-антимонид индия мягким рентгеновским излучением |
| Тип доклада | пленарный |
| Дата участия | 16.09.2025 - 18.09.2025 |
8) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 08.09.2025 - 12.09.2025 |
9) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 10.03.2025 - 14.03.2025 |
10) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.01.2025 - 31.01.2025 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 112
Публикации в рамках конференций
| 101 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г., Сидоров Г.Ю. Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 135. | ||
| 102 | Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S. N., Dziadukh S. M. Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 735-736. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка. | ||
| 103 | Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S.N., Dziadukh S. M., Gorn D. I. Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 739-740. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка. | ||
| 104 | Voitsekhovskii A. V., Nesmelov Sergei Nikolaevich, Dziadukh Stanislav Mikhailovich. Capacitance voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe //СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Материалы 25 -й Международной Крымской конференции. Том 1. Севастополь, 2015. P. 735-736. |
|
|
| 105 | Voitsekhovskii A. V., Nesmelov Sergei Nikolaevich, Dziadukh Stanislav Mikhailovich, Gorn Dmitrii Igorevich. Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K //СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Материалы 25 -й Международной Крымской конференции. Том 1. Севастополь, 2015. P. 739-740. | ||
| 106 | Izhnin I.I., Fitsych O.I., Nesmelov S. N., Dzyadukh S.M., Voitsekhovskii A. V., Gorn D. I. Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well //The International research and practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2015). Abstracts Book of participants of the International Summer School and International research and practice Conference. Lviv: Eurosvit, 2015. P. 364. | ||
| 107 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г. Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22-023 и 0,31-0,32) в широком диапазоне температур //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 418-422. |
|
|
| 108 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г. Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0.22-0.23) //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 422-427. |
|
|
| 109 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г. Электрофизическая диагностика параметров МДПструктур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe выращенного методом молекулярнолучевой эпитаксии //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 79. |
|
|
| 110 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. Электрофизические и оптические характеристики МДП-структур на основе CdHgTe с квантовыми ямами HgTe //Международный форум «Крым Hi-Tech-2014». Сборник тезисов докладов. Москва, 2014. С. 65-68. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность