Дзядух Станислав Михайлович

Участие в конференциях
Общее число докладов - 108
1) XXVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Квантовые наноструктуры HgCdTe для ИК фотоприемников
Тип доклада пленарный
Дата участия 27.05.2026 - 29.05.2026
2) XXVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеризация МДП-систем на основе структур LWIR nBn HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.05.2026 - 29.05.2026
3) XXVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические и фотоэлектрические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области для LWIR диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.05.2026 - 29.05.2026
4) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре
Тип доклада стендовый
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
5) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса
Тип доклада пленарный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
6) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
7) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Модификация свойств границ раздела поверхностный окисел-антимонид индия мягким рентгеновским излучением
Тип доклада пленарный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
8) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером
Тип доклада стендовый
Дата участия 08.09.2025 - 12.09.2025
9) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 10.03.2025 - 14.03.2025
10) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2025 - 31.01.2025

Общее число публикаций в рамках конференций - 112
Публикации в рамках конференций
91 I.I. Izhnin, A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, S.N. Nesmelov, M. Pociask-Bialy. Influence of infrared radiation on the electrical characteristics of the surface-barrier nanostructures based on MBE HgCdTe //Book of abstracts International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors (IC SeNOB 2016) 22-25 May 2016. Rzeszow, Poland, 2016. P. 83.
92 I.I. Izhnin, E.I. Fitsych, A A Pishchagin, A.V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, V.Yu. Serokhvostov, S.M. Dzyadukh, A.I. Nikiforov. Temperature spectra of conductance of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots //The International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2016). Abstract book of participants of the International Summer School and International research and practice conference, 24-26 Auqust 2016. Lviv: Eurosvit, 2016. P. 387.
93 Средин В.Г., Войцеховский А.В., Ананьин О.Б., Мелехов А.П., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Г.Ю. Избирательное действие мягкого рентгеновского излучения на поверхностные свойства твердых растворов CdxHg1-xTe //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 91-94.
94 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Свойства границы раздела в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.29-0.39) с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 430-435.
95 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Влияние варизонного слоя на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) с диэлектриком Al2O3 //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 435-439.
96 Alexander Voitsekhovskii, Sergey Nesmelov, Stanislav Dzyadukh, Viktor Sredin, Andrei Melekhov, Oleg Ananiin, Georgy Sidorov. The effect of soft X-rays on the electrical characteristics of MIS structures based on MBE HgCdTe with near-surface graded-gap layers //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 269.
97 Alexander Voitsekhovskii, Sergey Nesmelov, Stanislav Dzyadukh, Ihor Izhnin. Some properties of near-surface layer of graded-gap MBE HgCdTe after boron ion implantation //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 270.
98 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного теллурида кадмия и ртути, ыращенного методом МЛЭ на альтернативных подложках //От конвергенции наук к природоподобным технологиям. Первый Российский кристаллографический конгресс: Сборник тезисов. 21-26 ноября 2016. Москва, 2016. С. 396.
99 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dziadukh S. M., Grigoryev D. V., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Influence of Plasma Volume Discharge in Atmospheric-Pressure Air on the Admittance of MIS Structures Based on MBE p-HgCdTe //Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2015)/ 12-th International Conference. Abstracts. Томск: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 211.
100 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г. Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 //Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2015. С. 138.