Дзядух Станислав Михайлович

Участие в конференциях
Общее число докладов - 108
81) Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Седьмая Международная конференция посвященная памяти профессора С.С. Горелика.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.10.2017 - 05.10.2017
82) Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Седьмая Международная конференция посвященная памяти профессора С.С. Горелика.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Поверхностное дефектообразование в Cdx Hg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы
Тип доклада секционный
Дата участия 02.10.2017 - 05.10.2017
83) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2017. VII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком Al2O3/CdTe
Тип доклада секционный
Награды Диплом III степени
Дата участия 18.09.2017 - 22.09.2017
84) Фотоника 2017. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Диагностика электрофизических параметров структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для пассивации поверхности инфракрасных детекторов
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.09.2017 - 15.09.2017
85) Фотоника 2017. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование барьерных структур на основе КРТ для создания фотодиодных приемников ИК-диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.09.2017 - 15.09.2017
86) International Conference on Oxide Materials for Electronic Engineering fabrication, properties and applications (OMEE-2017)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Electrical Properties of the MIS Structures Based on MBE HgCdTe with SiO2/Si3N4 and Al2O3 Insulating Layers
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2017 - 02.06.2017
87) Фотоника и информационная оптика. VI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада МДП-структуры на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для инфракрасных детекторов
Тип доклада стендовый
Дата участия 01.02.2017 - 03.02.2017
88) Фотоника и информационная оптика. VI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 01.02.2017 - 03.02.2017
89) The 5th International congress on energy fluxes and radiation effects (EFRE 2016)
Уровень конференции Международный
Тема доклада The effect of soft X-rays on the electrical characteristics of MIS structures based on MBE HgCdTe with near-surface graded-gap layers
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.10.2016 - 07.10.2016
90) The 5th International congress on energy fluxes and radiation effects (EFRE 2016)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Some properties of near-surface layer of graded-gap MBE HgCdTe after boron ion implantation
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.10.2016 - 07.10.2016

Общее число публикаций в рамках конференций - 112
Публикации в рамках конференций
1 Квантовые наноструктуры HgCdTe для ИК фотоприемников / Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн [и др.] // Материалы XXVIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и системам технического зрения. М.: АО «НПО «Орион», 2026. С. 68‒69. DOI: 10.51368/978-5-94836-754-52026-68
2 Характеризация МДП-систем на основе структур LWIR nBn HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / Д.И. Горн, А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, С.А. Дворецкий [и др.] // Материалы XXVIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и системам технического зрения. М.: АО «НПО «Орион», 2026. С. 436‒438. DOI: 10.51368/978-5-94836-754-52026-436
3 Электрофизические и фотоэлектрические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области для LWIR диапазона / Д.И. Горн, А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, С.А. Дворецкий [и др.] // Материалы XXVIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и системам технического зрения. М.: АО «НПО «Орион», 2026. С. 439‒441. DOI: 10.51368/978-5-94836-754-52026-439
4 Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276.
5 Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346.
6 Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 132.
7 Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 331.
8 Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 169‒170.
9 Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 171.
10 Модификация свойств границ раздела поверхностный окисел-антимонид индия мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А. А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 187‒189.