Дзядух Станислав Михайлович
Участие в конференциях
Общее число докладов - 98
1) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции | Всероссийский |
Тема доклада | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 07.10.2024 - 11.10.2024 |
2) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
3) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
4) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 11.03.2024 - 15.03.2024 |
5) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 24.01.2024 - 26.01.2024 |
6) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 09.10.2023 - 13.10.2023 |
7) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений |
Тип доклада | приглашенный |
Дата участия | 26.09.2023 - 29.09.2023 |
8) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне |
Тип доклада | приглашенный |
Дата участия | 26.09.2023 - 29.09.2023 |
9) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия |
Тип доклада | приглашенный |
Дата участия | 26.09.2023 - 29.09.2023 |
10) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 04.09.2023 - 08.09.2023 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 102
Публикации в рамках конференций
1 | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286. |
|
|
2 | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607. |
|
|
3 | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326 |
|
|
4 | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329 |
|
|
5 | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133. |
|
|
6 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305. |
|
|
7 | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541. |
|
|
8 | Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43. |
|
|
9 | Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143 |
|
|
10 | Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность