Дзядух Станислав Михайлович
Участие в конференциях
Общее число докладов - 108
1) XXVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Квантовые наноструктуры HgCdTe для ИК фотоприемников |
| Тип доклада | пленарный |
| Дата участия | 27.05.2026 - 29.05.2026 |
2) XXVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Характеризация МДП-систем на основе структур LWIR nBn HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 27.05.2026 - 29.05.2026 |
3) XXVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические и фотоэлектрические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области для LWIR диапазона |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 27.05.2026 - 29.05.2026 |
4) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 13.10.2025 - 18.10.2025 |
5) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса |
| Тип доклада | пленарный |
| Дата участия | 16.09.2025 - 18.09.2025 |
6) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 16.09.2025 - 18.09.2025 |
7) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Модификация свойств границ раздела поверхностный окисел-антимонид индия мягким рентгеновским излучением |
| Тип доклада | пленарный |
| Дата участия | 16.09.2025 - 18.09.2025 |
8) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 08.09.2025 - 12.09.2025 |
9) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 10.03.2025 - 14.03.2025 |
10) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.01.2025 - 31.01.2025 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 112
Публикации в рамках конференций
| 11 | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286. | ||
| 12 | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607. | ||
| 13 | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326 | ||
| 14 | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329 | ||
| 15 | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133. |
|
|
| 16 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305. | ||
| 17 | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541. |
|
|
| 18 | Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43. | ||
| 19 | Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143 |
|
|
| 20 | Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269. |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность