ТГУ.Сотрудники

Толбанов Олег Петрович

Публикации

Общее число записей - 188
161 Kalygina V.M., Zarubin A.N., Novikov V.A., Petrova Yu.S., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Yaskevich T.M. Effect of annealing in argon on the properties of thermally deposited gallium-oxide films //Semiconductors. 2013. Vol. 47, № 8. P. 1130-1136.
162 Kalygina V.M., Zarubin A.N., Novikov V.A., Petrova Yu.S., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Yaskevich T.M. Gallium-oxide films obtained by thermal evaporation //Semiconductors. 2013. Vol. 47, № 5. P. 612-618.
163 Xludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P. Gallium nitride as a material for spintronics // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 55, № 8. P. 903‒909.
164 Hamann E , Cecilia A , Zwerger A , Fauler A , Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Shelkov G, Graafsma H , Baumbach T , Fiederle M . Characterization of photon counting pixel detectors based on semi-insulating GaAs sensor material //Journal of Physics: Conference Series. 2013. Vol. 425, № 6. P. 1-4.
165 Калыгина В.М., Вишникина В.В., Зарубин А.Н., Петрова Ю.С., Скакунов М.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Яскевич Т.М. Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9. С. 11-16.
166 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Физические свойства нитрида индия, примеси и дефекты //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9. С. 23-31.
167 Олешко В.И., Горина С.Г., Корепанов В.И., Лисицын В.М., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком //Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 1. С. 55-58.
168 Прудаев И.А., Голыгин И.Ю., Ширапов С.Б., Романов И.С., Хлудков С.С., Толбанов О.П. Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN //Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, № 10. С. 1391-1395.
169 Калыгина В.М., Зарубин А.Н., Новиков В.А., Петрова Ю.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Цупий С.Ю., Яскевич Т.М. Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления //Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, № 5. С. 597-602.
170 Prudaev I.A., Ivonin I.V., Tolbanov O.P. Current limitation in A3B5 nitride light-emitting diodes under forward bias // Russian Physics Journal. 2012. Vol. 54, № 12. P. 1372‒1374. DOI: 10.1007/s11182-012-9756-y
171 Kalygina V.M., Zarubin A.N., Najden E.P., Novikov V.A., Petrova Yu.S., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Yaskevich T.M. The Effect of Annealing on the Properties of Ga2O3 Anodic Films //Semiconductors. 2012. Vol. 46, № 2. P. 267-273.
172 Будницкий Д.Л., Новиков В.А., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Яскевич Т.М. Фотовольтаический эффект в контакте металл-высокоомный GaAs:Cr //Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 7. С. 19-21.
173 Nazarov M.M., Sarkisov S.Yu., Shkurinov A.P., Tolbanov O.P. Response to “Comment on ‘GaSe12xSx and GaSe12xTex thick crystals for broadband terahertz pulses generation’” //Applied Physics Letters. 2012. Vol. 100, № 13. P. 1-2.
174 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Нитрид галлия в качестве материала для спинтроники //Известия вузов. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 44-49.
175 Саркисов С.Ю., Сафиуллин Ф.Д., Скакунов М.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Назаров М.М., Шкуринов А.П. Дипольные антенны на основе SI-GaAs:Cr для генерации и детектирования терагерцового излучения //Известия вузов. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 31-39.
176 Калыгина В.М., Валиев К.И., Зарубин А.Н., Петрова Ю.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Яскевич Т.М. Электрические характеристики структур n-GaAs–анодная пленка Ga2O3–металл //Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, № 8. С. 1027-1031.
177 Decomposition of a supersaturated solid solution of Fe in GaAs / Prudaev I.A., Khludkov S.S., Gutakovskii A.K., Novikov V.A. [et al] // Inorganic Materials. 2012. Vol. 48, № 2. P. 93‒95. DOI: 10.1134/S0020168512020161
178 Калыгина В.М., Зарубин А.Н., Найден Е.П., Новиков В.А., Петрова Ю.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Яскевич Т.М. Анодные пленки Ga203.Влияние термического отжига на свойства пленок //Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 2. С. 278-284
179 Прудаев И.А., Ивонин И.В., Толбанов О.П. Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов А3B5 при прямом смещении //Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. № 12. С. 66-68
180 Electronic properties and influence of doping on GaSe crystal nonlinear optical parameters for the applications in terahertz range / Nazarov M.M., Tolbanov O.P., Shkurinov A.P., Kosobutsky A.V., Sarkisov S.Yu. [et al] // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2011. Vol. 7993, № 5. P. 1—10.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность