ТГУ.Сотрудники

Толбанов Олег Петрович

Публикации

Общее число записей - 188
81 Properties of Gallium Oxide Films Obtained by HF-Magnetron Sputtering / Lygdenova T.Z., Kalygina V.M., Novikov V.A., Prudaev I.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1911‒1916. DOI: 10.1007/s11182-018-1302-0
82 Shherbakov I.D., Kolesnikova I.I., Lozinskaya A.D., Mikhailov T.A., Novikov V.A., Shemeryankina A.V., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N. GaAs:Cr X-ray sensors noise characteristics investigation by means of amplitude spectrum analysis //Journal of Instrumentation. 2018. Vol. 13, № 1. P. C01030(7pp).
83 Luminescence of Ga2O3 Crystals Excited with a Runaway Electron Beam / Burachenko A.G., Beloplotov D.V., Prudaev I.A., Sorokin D.A. [et al] // Optics and Spectroscopy. 2017. Vol. 123, № 6. P. 867‒870. DOI: 10.1134/S0030400X17110042
84 С.С. Хлудков, И.А. Прудаев, О.П. Толбанов. Получение и исследование нитрида индия, обладающего ферромагнитными свойствами // Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 113‒121.
85 И.Л. Ремизова, В.М. Калыгина, О.П. Толбанов. Механизм проводимости гетеропереходов Ga2O3-GaAs //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2 "Физика взаимодействия электромагнитного излучения с веществом". С. 241-245.
86 В.М. Калыгина, И.А. Прудаев, И.Л. Ремизова, О.П. Толбанов. Фотоэлектрические характеристики структур металл - Ga2O3 - GaAs //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2 "Физика взаимодействия электромагнитного излучения с веществом". С. 236-240.
87 Т.З. Лыгденова, В.М. Калыгина, В.А. Новиков, И.А. Прудаев, О.П. Толбанов, Тяжев А.В. Свойства пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 56-60.
88 С.С. Хлудков, И.А. Прудаев, О.П. Толбанов. Магнитные свойства нитрида индия //Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы : тез. докл. 11-й Всерос. конф., 1-3 февр. 2017 г., Москва. М., 2017. С. 186-187.
89 C. Ponchut, M. Cotte, A. Lozinskaya, A. Zarubin, O. Tolbanov, A. Tyazhev. Characterisation of GaAs:Cr pixel sensors coupled to Timepix chips in view of synchrotron applications //Journal of Instrumentation. 2017. Vol. 12, № 12. P. C12023(8pp).
90 Люминесценция кристаллов Ga2O3 при возбуждении пучком убегающих электронов / А.Г. Бураченко, Д.В. Белоплотов, И.А. Прудаев, Д.А. Сорокин [и др.] // Оптика и спектроскопия. 2017. Т. 123, № 6. С. 861‒865. DOI: 10.7868/S0030403417110046
91 Исследование времени жизни неравновесных носителей заряда в GaAs:Cr методом терагерцовой pump-probe спектроскопии / Редькин Р.А., Колесникова И.И., Салиев Д.Н., Саркисов С.Ю. [и др.] // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 50.
92 Ayzenshtat Gennadiy, Prokopiev Dmitriy, Tolbanov Oleg, et al. The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide //Journal of X-Ray Science and Technology. 2017. Vol. 25, № 4. P. 585-595.
93 M.C. Veale, P. Booker, B. Cline, A.D. Lozinskaya, V.A. Novikov, O.P. Tolbanov, A.V. Tyazhev, A.N. Zarubin, et al., and 6 more. MHz rate X-Ray imaging with GaAs:Cr sensors using the LPD detector system //Journal of Instrumentation. 2017. Vol. 12, № 2. P. P02015(20pp).
94 David Pennicard, Benoît Pirard, Oleg Tolbanov, Krzysztof Iniewski. Semiconductor materials for x-ray detectors //MRS Bulletin. 2017. Vol. 42, № 6. P. 445-450.
95 Broadband and narrowband terahertz generation and detection in GaSe(1−x)S(x) crystals / S.A. Bereznaya, Z.V. Korotchenko, R.A. Redkin, S.Yu. Sarkisov [et al] // Journal of Optics. 2017. Vol. 19, № 11. P. 115503(7pp). DOI: 10.1088/2040-8986/aa8e5a
96 V. Kalygina, I. Prudaev, I. Remizova, O. Tolbanov. Photo electrical characteristics of Ga2O3-GaAs structures //2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials, 12-15 september 2017, Parma, IWGO 2017 : programme and abstracts. Parma, 2017. P. P57.
97 Terahertz dielectric properties of multiwalled carbon nanotube/polyethylene composites / Dorozhkin K.V., Dunaevsky G.E., Sarkisov S.Y., Suslyaev V.I. [et al] // Materials Research Express. 2017. Vol. 4, № 10. P. 106201(7pp). DOI: 10.1088/2053-1591/aa8f06
98 D. Budnitsky, V. Novikov, A. Lozinskaya, I. Kolesnikova, A. Zarubin, A. Shemeryankina, T. Mihaylov, M. Skakunov, O. Tolbanov, A. Tyazhev. Characterization of 4 inch GaAs:Cr wafers //Journal of Instrumentation. 2017. Vol. 12, № 1. P. C01063(9pp).
99 I. Chsherbakov, I. Kolesnikova, A. Lozinskaya, T. Mihaylov, V. Novikov, A. Shemeryankina, O. Tolbanov, A. Tyazhev, A. Zarubin. Electron mobility-lifetime and resistivity mapping of GaAs:Cr wafers //Journal of Instrumentation. 2017. Vol. 12, № 2. P. C02016(10pp).
100 V.M. Kalygina, I.M. Egorova, I.A. Prudaev, O.P. Tolbanov, V.V. Atuchin. Conduction mechanism of metal-TiO2–Si structures //Chinese Journal of Physics. 2017. Vol. 55, № 1. P. 59-63.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность