Толбанов Олег Петрович

Публикации

Общее число записей - 162
81 I. Kolesnikova, A. Lozinskaya, T. Mihaylov, V. Novikov, A. Shemeryankina, I. Sherbakov, O. Tolbanov, A. Tyazhev, A. Zarubin. Temperature dependencies of current-voltage characteristics of GaAs:Cr //Journal of Instrumentation. 2016. Vol. 11, № 3. P. C03059.
82 Kalygina V.M., Egorova I.M., Prudaev I.A., Tolbanov O.P. Conduction in titanium dioxide films and metal-TiO2-Si structures //Semiconductors. 2016. Vol. 50, № 8. P. 1015-1019.
83 Калыгина В.М., Петрова Ю.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Стабильность электрических характеристик МОП-структур на основе оксида галлия //Известия вузов. Физика. 2016. Т. 59, № 6. С. 3-6.
84 Авдоченко Б.И., Прудаев И.А., Толбанов О.П., и другие. Твердотельный субнаносекундный СВЧ-коммутатор //Известия вузов. Физика. 2016. Т. 59, № 8. С. 55-59.
85 Effect of Heat Treatment on Electrical Properties and Charge Collection Efficiency of X-Ray Sensors Based on Chrome-Compensated Gallium Arsenide / Zarubin A.N., Kolesnikova I.I., Lozinskaya A.D., Novikov V.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 2. P. 295‒300. DOI: 10.1007/s11182-016-0770-3
86 Хлудков С.С., Толбанов О.П., Вилисова М.Д., Прудаев И.А. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами. Томск: Издательский Дом ТГУ, 2016. 258 с.
87 Зарубин А.Н., Колесникова И.И., Лозинская А.Д., Новиков В.А., Скакунов М.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Шемерянкина А.В. Влияние термообработки на электрические характеристики и эффективность сбора заряда сенсоров рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом //Известия вузов. Физика. 2016. Т. 59, № 2. С. 115-119.
88 V.M. Kalygina, I.M. Egorova, I.A. Prudaev, O.P. Tolbanov, V.V. Atuchin. Photoelectrical characteristics of TiO2-N-Si heterostructures //Microwave and Optical Technology Letters. 2016. Vol. 58, № 5. P. 1113-1116.
89 Impact of thermal treatment on electrical characteristics and charge collection efficiency of Me-GaAs:Cr-Me x-ray sensors / V. Novikov, A. Zarubin, O. Tolbanov, A. Tyazhev, A. Lozinskaya [et al] // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2015. Vol. 9593. Hard X-Ray, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XVII, edited by Larry Franks, Ralph B. Jam. P. 95930F(7pp). DOI: 10.1117/12.2187181
90 Transmission spectra and generation of terahertz pulses in SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe and GaSe:S structures / S.A. Bereznaia, A.N. Zarubin, Z.V. Korotchenko, I. A. Prudaev [et al] // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 58, № 8. P. 1181‒1185. DOI: 10.1007/s11182-015-0629-z
91 V.M. Kalygina, V.I. Gaman, I. A. Prudaev, O.P. Tolbanov. Sensor properties of metal-Ga oxide-GaAs structures //IWGO 2015. Kyoto, Japan, 2015. P. 100-101.
92 Калыгина В.М., Егорова И.М., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Особенности фотоэлектрических характеристик структур TiO2-Si //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 143-147.
93 Калыгина В.М., Макаров В.А., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Электрические характеристики структур металл-TiO2-Si на переменном сигнале //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 139-143.
94 Зарубин А.Н., Лозинская А.Д., Новиков В.А., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Щербаков И.Д. Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 128-132.
95 Зарубин А.Н., Редькин Р.А., Саркисов С.Ю., Скакунов М.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В. Исследование влияния геометрических характеристик фотопроводящих дипольных антенн на основе Si-GaAs<Cr> на генерацию терагерцового излучения //Системы связи и радионавигации. Сборник тезисов. Красноярск, 2015. С. 264-267.
96 V.M. Kalygina, I.M. Egorova, I. A. Prudaev, O.P. Tolbanov, V.V. Atuchin. Photoelectrical characteristics of TiO2-n-Si heterostructure //Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys. Барнаул, 2015. P. 183-184.
97 V.M. Kalygina, I.M. Egorova, I. A. Prudaev, O.P. Tolbanov, V.V. Atuchin. Conduction mechanism of metal-TiO2-Si structures //Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys. Барнаул, 2015. P. 181-182.
98 V. V. Vishnikina, V.M. Kalygina, Yu.S. Petrova, I. A. Prudaev, O.P. Tolbanov, V.V. Atuchin. Photoelectrical characteristics of Ga2O3-GaAs structures //Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys. Барнаул, 2015. P. 180-181.
99 V.M. Kalygina, V.A. Makarov, I. A. Prudaev, O.P. Tolbanov. Properties of metall-TiO2-Si structures on an alternating signal //International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON–2015). Proceedings. – Omsk: The Tomsk IEEE Chapter & Student Branch. Russia. Omsk, 2015. P. 1-5. 1 электрон. опт. диск (CD-R).
100 V.M. Kalygina, I.M. Egorova, I. A. Prudaev, O.P. Tolbanov. Conduction mechanism of metal-TiO2-Si structures //International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON–2015). Proceedings. – Omsk: The Tomsk IEEE Chapter & Student Branch. Russia. Omsk, 2015. P. 1-5. 1 электрон. опт. диск (CD-R).