ТГУ.Сотрудники

Толбанов Олег Петрович

Публикации

Общее число записей - 168
81 Кобцев Д.А., Саркисов С.Ю., Скакунов М.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Зарубин А.Н. Влияние длины и формы дипольных антенн на основе SI-GaAs<Cr> на спектры генерации терагерцового излучения //Физика твердого тела : сб. материалов XV Российской научной студенческой конференции (18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия). Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2016. С. 163-165.
82 A Solid-State Sub-Nanosecond Microwave Switch / B.I. Avdochenko, I.A. Prudaev, O.P. Tolbanov, et al. [et al] // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 8. P. 1187‒1191. DOI: 10.1007/s11182-016-0889-2
83 V.M. Kalygina, Yu.S. Petrova, I.A. Prudaev, O.P. Tolbanov. Stability of Electrical Characteristics of MOS Structures Based on Gallium Oxide // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 6. P. 757‒761. DOI: 10.1007/s11182-016-0833-5
84 A. Dragone, С. Kenney, A. Lozinskaya, O. Tolbanov, A. Tyazhev, A. Zarubin, Zhehui Wang. Feasibility study of a "4H" X-ray camera based on GaAs:Cr sensor //Journal of Instrumentation. 2016. Vol. 11, № 11. P. C11042.
85 Sarkisov S.Y., Kosobutsky A.V., Shandakov S.D., Sarkisov Y.S., Tolbanov O.P., Dunaevsky G.E. Single-wall Carbon Nanotubes Oriented By Gas Flow At Synthesis By Aerosol CVD Method As Terahertz Polarizers //Proceedings of 41st International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz). IEEE, 2016. P. 1-2. URL: http://ieeexplore.ieee.org/document/7758793/.
86 V.M. Kalygina, I.M. Egorova, V.A. Novikov, I.A. Prudaev, O.P. Tolbanov. Relation between the structural and phase transformations in titanium-oxide films and the electrical and photoelectric properties of TiO2-Si structures //Semiconductors. 2016. Vol. 50, № 9. P. 1156-1162.
87 I. Kolesnikova, A. Lozinskaya, T. Mihaylov, V. Novikov, A. Shemeryankina, I. Sherbakov, O. Tolbanov, A. Tyazhev, A. Zarubin. Temperature dependencies of current-voltage characteristics of GaAs:Cr //Journal of Instrumentation. 2016. Vol. 11, № 3. P. C03059.
88 Kalygina V.M., Egorova I.M., Prudaev I.A., Tolbanov O.P. Conduction in titanium dioxide films and metal-TiO2-Si structures //Semiconductors. 2016. Vol. 50, № 8. P. 1015-1019.
89 Калыгина В.М., Петрова Ю.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Стабильность электрических характеристик МОП-структур на основе оксида галлия //Известия вузов. Физика. 2016. Т. 59, № 6. С. 3-6.
90 Авдоченко Б.И., Прудаев И.А., Толбанов О.П., и другие. Твердотельный субнаносекундный СВЧ-коммутатор //Известия вузов. Физика. 2016. Т. 59, № 8. С. 55-59.
91 Effect of Heat Treatment on Electrical Properties and Charge Collection Efficiency of X-Ray Sensors Based on Chrome-Compensated Gallium Arsenide / Zarubin A.N., Kolesnikova I.I., Lozinskaya A.D., Novikov V.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 2. P. 295‒300. DOI: 10.1007/s11182-016-0770-3
92 Хлудков С.С., Толбанов О.П., Вилисова М.Д., Прудаев И.А. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами. Томск: Издательский Дом ТГУ, 2016. 258 с.
93 Зарубин А.Н., Колесникова И.И., Лозинская А.Д., Новиков В.А., Скакунов М.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Шемерянкина А.В. Влияние термообработки на электрические характеристики и эффективность сбора заряда сенсоров рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом //Известия вузов. Физика. 2016. Т. 59, № 2. С. 115-119.
94 V.M. Kalygina, I.M. Egorova, I.A. Prudaev, O.P. Tolbanov, V.V. Atuchin. Photoelectrical characteristics of TiO2-N-Si heterostructures //Microwave and Optical Technology Letters. 2016. Vol. 58, № 5. P. 1113-1116.
95 Impact of thermal treatment on electrical characteristics and charge collection efficiency of Me-GaAs:Cr-Me x-ray sensors / V. Novikov, A. Zarubin, O. Tolbanov, A. Tyazhev, A. Lozinskaya [et al] // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2015. Vol. 9593. Hard X-Ray, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XVII, edited by Larry Franks, Ralph B. Jam. P. 95930F(7pp). DOI: 10.1117/12.2187181
96 Transmission spectra and generation of terahertz pulses in SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe and GaSe:S structures / S.A. Bereznaia, A.N. Zarubin, Z.V. Korotchenko, I. A. Prudaev [et al] // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 58, № 8. P. 1181‒1185. DOI: 10.1007/s11182-015-0629-z
97 V.M. Kalygina, V.I. Gaman, I. A. Prudaev, O.P. Tolbanov. Sensor properties of metal-Ga oxide-GaAs structures //IWGO 2015. Kyoto, Japan, 2015. P. 100-101.
98 Калыгина В.М., Егорова И.М., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Особенности фотоэлектрических характеристик структур TiO2-Si //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 143-147.
99 Калыгина В.М., Макаров В.А., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Электрические характеристики структур металл-TiO2-Si на переменном сигнале //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 139-143.
100 Зарубин А.Н., Лозинская А.Д., Новиков В.А., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Щербаков И.Д. Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 128-132.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность