ТГУ.Сотрудники
Толбанов Олег Петрович
Патенты
Общее число записей - 29
29) Госконтракт 16.740.11.0231
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 2445724. Импульсный лавинный S-диод (ИЗ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 07.12.2010 |
30) Грант ОК-21/11620/10
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 2503024. Способ контроля внутреннего квантового выхода полупроводниковых светодиодных гетероструктур на основе GaN (ИЗ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 03.04.2012 |
31) Грант ОК-21/11620/10
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 115500. Устройство неразрушающего контроля внутреннего квантового выхода светодиодных GaN гетероструктур (ПМ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 10.01.2012 |
32) Госконтракт 14.514.11.4073
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 2536088. Приёмник электромагнитного излучения широкого спектрального диапазона (ИЗ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 19.08.2013 |
33) Госконтракт 02.740.11.0164
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 323. Лабораторный регламент процесса формирования топологии матричных детекторов на основе арсенида галлия (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 03.06.2013 |
34) Госконтракт 16.513.11.3094
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 594. Способ изготовления высокоомных арсенид галлиевых структур (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 23.11.2012 |
35) Госконтракт 02.740.11.0164
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 845/ОД. Способ изготовления пиксельных сенсоров рентгеновского излучения на основе 76 мм пластин высокоомного арсенида галлия, компенсированного хромом (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 20.11.2014 |
36) Задание на НИР 2.1.2.2546-2
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 844/ОД. Способ изготовления 76 мм пластин высокоомного арсенида галлия, компенсированного хромом (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 20.11.2014 |
37) Задание на НИР 3.1206.2014/К
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 2596773. Полупроводниковый излучатель ИК-диапазона (ИЗ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 08.07.2015 |
38) Госконтракт 14.587.21.0003
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 2586081. Полупроводниковый детектор с внутренним усилением на основе полуизолирующего арсенида галлия и способ его изготовления (ИЗ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 25.05.2015 |
39) Задание на НИР 8.2.06.2015 Л
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 2609916. Импульсный лавинный S-диод (ИЗ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 20.10.2015 |
40) Задание на НИР 3.1206.2014/К
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 846/ОД. Лабораторный регламент процесса формирования полуизолирующих арсенид галлиевых структур диаметром 4 дюйма (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 17.12.2015 |
41) Госконтракт 02.740.11.0164
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 157. Комплект технической и конструкторской документации блока детектирования маммографических аппаратов сканирующего типа (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 08.04.2010 |
42) Госконтракт 14.587.21.0003
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 981/ОД. Способ изготовления металлических контактов многоэлементных сенсоров ионизирующего излучения на основе полупроводниковых структур (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 21.12.2016 |
43) Госконтракт 14.587.21.0003
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 982/ОД. Способ оценки пригодности GaAs:Cr структур, для изготовления матричных сенсоров ионизирующего излучения (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 21.12.2016 |
44) Задание на НИР 11.2247.2017/ПЧ
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 175209. Устройство для фотоэлектрического переключения лавинного импульсного S-диода (ПМ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 31.05.2017 |
45) Задание на НИР 8.2.01.2017 Л
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 1013/ОД. Способ изготовления многослойных металлических контактов многоэлементных сенсоров ионизирующего излучения на основе арсенид галлиевых пластин диаметром 100 мм (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 18.12.2017 |
46) Задание на НИР 11.2247.2017/ПЧ
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 181377. Генератор на основе лавинного импульсного S-диода с регулируемой амплитудой импульсов (ПМ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 04.05.2018 |
47)
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 1240/ОД. Технологический регламент изготовления HR-GaAs:Cr структур диаметром 100 мм (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 27.12.2018 |
48)
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 1241/ОД. Технология финишной обработки HR-GaAs:Cr пластин (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 27.12.2018 |
49)
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 1242/ОД. Способ изготовления рентгенопрозрачной металлизации многоэлементных арсенид галлиевых сенсоров ионизирующего излучения (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 27.12.2018 |
50)
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 1243/ОД. Способ изготовления металлизации многоэлементных арсенид галлиевых сенсоров ионизирующего излучения пригодной для последующего формирования объемных выводов на основе индия и низкотемпературного монтажа методом «флип-чип» (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 27.12.2018 |
51) Задание на НИР 11.2247.2017/ПЧ
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 191657. Двухкаскадный фотоэлектрический формирователь наносекундных импульсов тока (ПМ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 11.06.2019 |
52) Задание на НИР 8.2.01.2018 Л
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 1070/ОД. Способ утонения арсенид галлиевых многоэлементных сенсоров для просвечивающей электронной микроскопии (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 21.10.2019 |
53) Задание на НИР 8.2.01.2018 Л
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 937/ОД. Способ изготовления индиевых столбиковых выводов, пригодных для «флип-чип» сборки многоэлементных арсенид галлиевых сенсоров ионизирующего излучения с бескорпусными специализированными интегральными микросхемами (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 06.10.2020 |
54) Задание на НИР 2.0.9.22 ЛМУ
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 2022684924. Программа обработки инфракрасного видеоизображения для определения скорости и направления движения объекта (ПЭВМ) |
| Вид документа | Свидетельство |
| Дата документа/Заявки | 15.12.2022 |
55) Грант 075-15-2022-1132
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 1220/ОД. Способ скрытой маркировки пластин высокоомного арсенида галлия, компенсированного хромом (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 27.12.2022 |
56)
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 901. Способ изготовления высокоомных арсенид галлиевых (GaAs) структур (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 14.12.2006 |
57) Грант 075-15-2022-1132
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 228817. Матричный сенсор бета-частиц на основе арсенида галлия, компенсированного хромом, для систем электронной микроскопии (ПМ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 16.07.2024 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность