Толбанов Олег Петрович

Публикации

Общее число записей - 162
21 Получение и свойства ферромагнитного нитрида алюминия, легированного немагнитными примесями / Хлудков С.С., Прудаев И.А., Роот Л.О., Толбанов О.П. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 6. С. 3‒16. DOI: 10.17223/00213411/65/6/3
22 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs // Известия вузов. Физика. 2021. № 12. С. 160‒165. DOI: 10.17223/00213411/64/12/160
23 Optical PumpTerahertz Probe Study of HR GaAs:Cr and SI GaAs:EL2 Structures with Long Charge Carrier Lifetimes / Kolesnikova I.I., Kobtsev D.A., Redkin R. A., Voevodin V.I. [et al] // Photonics. 2021. Vol. 8, № 12. P. 575(11pp). DOI: 10.3390/photonics8120575
24 Conceptual design report for the LUXE experiment / Abramowicz H., Shaimerdenova L.K., Skakunov M.S., Tolbanov O.P. [et al] // European Physical Journal: Special Topics. 2021. Vol. 230, № 11. P. 2445‒2560. DOI: 10.1140/epjs/s11734-021-00249-z
25 Tsigaridas S., C. Ponchut, Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N. Investigation of thick GaAs:Cr pixel sensors for X-ray imaging applications //Journal of Instrumentation. 2021. Vol. 16, № 1. P. P01032.
26 Boyko I.R., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N., and 19 more. Measurement of the radiation environment of the ATLAS cavern in 2017–2018 with ATLAS-GaAsPix detectors //Journal of Instrumentation. 2021. Vol. 16, № 1. P. P01031(15pp).
27 Lozinskaya A.D., Veale M.C., Kolesnikova I.I., Novikov V.A., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Wheater R.M., Zarubin A.N. Influence of temperature on the energy resolution of sensors based on HR GaAs:Cr //Journal of Instrumentation. 2021. Vol. 16, № 2. P. P02026.
28 Characterization of chromium compensated gaas sensors with the charge-integrating jungfrau readout chip by means of a highly collimated pencil beam / Greiffenberg D., Chsherbakov I.D., Lozinskaya A.D., Tolbanov O.P. [et al] // Sensors. 2021. Vol. 21, № 4. P. 1550(24pp). URL: https://www.mdpi.com/1424-8220/21/4/1550 (date of access: 05.12.2021).
29 Wheater R.M., Jowitt L., Richards S., Veale M.C., Wilson M.D., Fox O.J.L., Sawhney K.J.S., Lozinskaya A.D., Shemeryankina A.V., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N. X-ray microbeam characterisation of crystalline defects in small pixel GaAs:Cr detectors //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2021. Vol. 999. P. 165207.
30 Aluminum Nitride Doped with Transition Metal Group Atoms as a Material for Spintronics / Khludkov S.S., Prudaev I.A., Root L.O., Tolbanov O.P. [et al] // Russian Physics Journal. 2021. Vol. 63, № 11. P. 2013‒2024. DOI: 10.1007/s11182-021-02264-y
31 Нитрид алюминия, легированный переходными металлами, в качестве материала для спинтроники / Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. [и др.] // Известия вузов. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 162‒172. DOI: 10.17223/00213411/63/11/162
32 Толбанов О.П. Упорядоченное и неупорядоченное: физика естественных и искусственных объектов //Порядок / Беспорядок. Организация : материалы научно-практической конференции "HR-trend" (Томск, 25-27 июня 2020 г.). Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2020. С. 25-28.
33 Tyazhev A.V., Tolbanov O. P., Zarubin A. N., and 17 more. Radiation hardness of GaAs: Cr and Si sensors irradiated by electron beam //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2020. Vol. 975. P. 164204.
34 The Measurement of Charge Carrier Lifetime in SIGaAs: Cr and EL2-GaAs by Pump-Probe Terahertz Spectroscopy / Kolesnikova I.I., Kobtsev D.A., Redkin R. A., Sarkisov S. Yu. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 8. P. 547‒553. DOI: 10.1007/s11182-020-02068-6
35 Space charge formation in chromium compensated GaAs radiation detectors / Belas E., Grill R., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V. [et al] // Journal of Physics D: Applied Physics. 2020. Vol. 53, № 47. P. 475102(4pp). DOI: 10.1088/1361-6463/aba570
36 Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии / Колесникова И.И., Кобцев Д.А., Редькин Р.А., Саркисов С.Ю. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 16‒21. DOI: 10.17223/00213411/63/4/16
37 Алмаев А.В., Яковлев Н.Н., Черников Е.В., Толбанов О.П. Селективные сенсоры двуокиси азота на основе тонких пленок оксида вольфрама при воздействии оптического излучения // Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45, № 20. С. 7‒10. DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48384.17901
38 Chsherbakov I.D., Chsherbakov P.S., Lozinskaya A.D., Mikhailov T.A., Novikov V.A., Shemeryankina A.V., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N., et al., and 1 more. Response of HR-GaAs:Cr sensors to subnanosecond X-and -ray pulses //Journal of Instrumentation. 2019. Vol. 14, № 12. P. C12016(8pp).
39 Lozinskaya A.D., Chsherbakov I.D., Kolesnikova I.I., Mikhailov T.A., Novikov V.A., Shemeryankina A.V., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N. Detailed analysis of quasi-ohmic contacts to high resistive GaAs:Cr structures //Journal of Instrumentation. 2019. Vol. 14, № 11. P. C11026(8pp).
40 Optical Pump - THz Probe Study of SI-GaAs:Cr with Long Charge Carrier Lifetime / Kolesnikova I.I., Kobtsev D.A., Redkin R. A., Sarkisov S.Y. [et al] // 2019 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe & European Quantum Electronics Conference (CLEO® /Europe-EQEC), Munich, 23-27 june 2019. [S. l.]: IEEE, 2019. P. 8871563. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/8871563 (date of access: 27.11.2019). DOI: 10.1109/CLEOE-EQEC.2019.8871563