Толбанов Олег Петрович

Публикации

Общее число записей - 162
121 D. Pennicard, A. Fauler, O. Tolbanov, A. Zarubin, A. Tyazhev, G. Chelkov, [et. al.], and 4 more. The LAMBDA photon-counting pixel detector and high-Z sensor development //Journal of Instrumentation. 2014. № 9. P. C12026.
122 V. M. Kalygina, V. A. Novikov, Yu. S. Petrova, O. P. Tolbanov, E. V. Chernikov, S. Yu. Tcupiy, T. M. Yaskevich. Effect of thermal annealing and exposure to oxygen plasma on the properties of TiO2-Si structures //Semiconductors. 2014. Vol. 48, № 7. P. 961-966.
123 The Influence of Anodic Oxidde on the Electron Concentration in n-GaAs / Kalygina V.M., Vishnikina V.V., Zarubin A.N., Petrova Yu.S. [et al] // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 56, № 9. P. 984‒989.
124 Калыгина В.М., Новиков В.А., Петрова Ю.С., Толбанов О.П., Черников Е.В., Цупий С.Ю., Яскевич Т.М. Влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на свойства структур TiO2-Si //Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, № 7. С. 989-994.
125 Калыгина В.М., Новиков В.А., Петрова Ю.С., Толбанов О.П., Черников Е.В., Цупий С.Ю., Яскевич Т.М. Свойства пленок TiO2 на кремниевых подложках //Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, № 7. С. 759-762.
126 M.C. Veale, A.D. Lozinskaya, V.A. Novikov, O.P. Tolbanov, A.V. Tyazhev, A. N. Zarubin, [et. al.], and 5 more. Chromium compensated gallium arsenide detectors for X-ray and γ-ray spectroscopic imaging //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2014. Vol. 752. P. 6-14.
127 V. M. Kalygina, V.A. Novikov, Yu. S. Petrova, O.P. Tolbanov, E. V. Chernikov, S. Yu. Tcupiy, T.M. Yaskevich. Properties of TiO2 Films on Silicon Substrate //Semiconductors. 2014. Vol. 48, № 6. P. 739-742.
128 Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P. Physical Properties of Indium Nitride, Impurities and Defects // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 56, № 9. P. 997‒1006.
129 Брудный В.Н., Войцеховский А.В., Ивонин И.В., Толбанов О.П. Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете //Электронная промышленность. 2014. № 1. С. 7-15.
130 Калыгина В.М., Вишникина В.В., Зарубин А.Н., Новиков В.А., Петрова Ю.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Цупий С.Ю., Яскевич Т.М. Влияние отжига в аргоне на свойства пленок оксида галлия, полученных термическим напылением //Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, № 8. С. 1137-1143.
131 Цупий С.Ю., Зарубин А.Н., Калыгина В.М., Новиков В.А., Петрова Ю.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Черников Е.В., Яскевич Т.М. Исследование электрических характеристик структур TiO2–Si //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 147-149.
132 Vorobiev A.P., Golovnya S.N., Gorokhov S.A., Parakhin V.V., Polkovnikov M.K., Ajzenshtat G.I., Lelekov M.A., Koreckaya O.B., Novikov V.A., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Borodin D.V., Osipov Y.V. A Matrix Gallium-Arsenide Detector for Roentgenography //Biomedical Engineering. 2013. Vol. 46, № 5. P. 194-198.
133 Dipole antennas based on SI-GaAs:Cr for generation and detection of terahertz radiation / Sarkisov S.Yu., Safiullin F.D., Skakunov M.S., Tolbanov O.P. [et al] // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 55, № 8. P. 890‒898.
134 Luminescence of thin-film light-emitting diode structures upon excitation by a high-current electron beam / Oleshko V.I., Gorina S.G., Korepanov V.I., Lisitsyn V.M. [et al] // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 56, № 1. P. 62‒66.
135 Kalygina V.M., Zarubin A.N., Novikov V.A., Petrova Yu.S., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Yaskevich T.M. Effect of annealing in argon on the properties of thermally deposited gallium-oxide films //Semiconductors. 2013. Vol. 47, № 8. P. 1130-1136.
136 Kalygina V.M., Zarubin A.N., Novikov V.A., Petrova Yu.S., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Yaskevich T.M. Gallium-oxide films obtained by thermal evaporation //Semiconductors. 2013. Vol. 47, № 5. P. 612-618.
137 Xludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P. Gallium nitride as a material for spintronics // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 55, № 8. P. 903‒909.
138 Hamann E , Cecilia A , Zwerger A , Fauler A , Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Shelkov G, Graafsma H , Baumbach T , Fiederle M . Characterization of photon counting pixel detectors based on semi-insulating GaAs sensor material //Journal of Physics: Conference Series. 2013. Vol. 425, № 6. P. 1-4.
139 Калыгина В.М., Вишникина В.В., Зарубин А.Н., Петрова Ю.С., Скакунов М.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Яскевич Т.М. Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9. С. 11-16.
140 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Физические свойства нитрида индия, примеси и дефекты //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9. С. 23-31.