Толбанов Олег Петрович

Публикации

Общее число записей - 162
41 Almaev A.V., Yakovlev N.N., Chernikov E.V., Tolbanov O.P. Selective Sensors of Nitrogen Dioxide Based on Thin Tungsten Oxide Films under Optical Irradiation // Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45, № 10. P. 1016‒1019. DOI: 10.1134/S1063785019100171
42 Greiffenberg D., Chsherbakov I.D., Lozinskaya A.D., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N., Et Al., and 21 more. Characterization of GaAs:Cr sensors using the charge-integrating JUNGFRAU readout chip //Journal of Instrumentation. 2019. Vol. 14, № 5. P. P05020(19pp).
43 Chsherbakov I.D., Chsherbakov P.S., Kolesnikova I.I., Lozinskaya A.D., Mihaylov T.A., Novikov V.A., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N. The influence of contact material and its fabrication on X-ray HR-GaAs:Cr sensor noise characteristics //Journal of Instrumentation. 2019. Vol. 14, № 1. P. C01026(9pp).
44 Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P. Prospects for Application of Gallium Arsenide Doped with Transition Metalsas a Material for Spintronics // Semiconductor Nanotechnology : advances in information and energy processing and storage. Cham: Springer International Publishing AG, 2018. P. 117‒144. DOI: 10.1007/978-3-319-91896-9_5
45 Калыгина В.М., Ремизова И.Л., Толбанов О.П. Проводимость гетеропереходов Ga2O3-GaAs // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52, № 2. С. 154—160. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45436.8597
46 Dunaevsky G.E., Dorofeev I.O., Khludkov S.S., Yakubov V.P., Prudaev I.A., Kopylova T.N., Tolbanov O.P., Telminov E.N., Degtyarenko K.M., Nikonov S. Yu., Gadirov R.M., Burtman V., Goodnick S.M., Gilmer D.C., Bersuker G. Semiconductor Nanotechnology: advances in information and energy processing and storage /ed. by: Goodnick S.M., Korkin A., Nemanich R. Switzerland: Springer, 2018. 236 p. (Nanostructure Science and Technology).
47 Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P. Electrical, Structural, and Magnetic Properties of Gallium Arsenide Doped with Iron // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 61, № 3. P. 491‒497. DOI: 10.1007/s11182-018-1424-4
48 Prudaev I.A., Tolbanov O.P., Verkholetov M.G., Koroleva A.D. Charge Carrier Transport and Deep Levels Recharge in Avalanche S-Diodes Based on GaAs // Technical Physics Letters. 2018. Vol. 44, № 6. P. 465‒468. DOI: 10.1134/S106378501806007X
49 Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P. Fabrication and Investigation of Indium Nitride Possessing Ferromagnetic Properties // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 12. P. 2177‒2185. DOI: 10.1007/s11182-018-1343-4
50 Ruat M., Andra M., Lozinskaya A.D., Novikov V.A., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N., et al., and 17 more. Photon counting microstrip X-ray detectors with GaAs sensors //Journal of Instrumentation. 2018. Vol. 13, № 1. P. C01046(10pp).
51 The Mechanism of Superfast Switching of Avalanche S-Diodes Based on GaAs Doped With Cr and Fe / Prudaev I.A., Oleinik V.L., Smirnova T.E., Kopyev V.V. [et al] // IEEE Transactions on Electron Devices. 2018. Vol. 65, № 8. P. 3339‒3344. DOI: 10.1109/TED.2018.2845543
52 Kalygina V.M., Remizova I.L., Tolbanov O.P. Conductivity of Ga2O3-GaAs Heterojunctions //Semiconductors. 2018. Vol. 52, № 2. P. 143-149.
53 Прудаев И.А., Верхолетов М.Г., Королёва А.Д., Толбанов О.П. Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных S-диодов на основе GaAs // Письма в Журнал технической физики. 2018. Т. 44, № 11. С. 21‒29. DOI: 10.21883/PJTF.2018.11.46193.17254
54 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом // Известия вузов. Физика. 2018. Т. 61, № 3. С. 82‒88.
55 Properties of Gallium Oxide Films Obtained by HF-Magnetron Sputtering / Lygdenova T.Z., Kalygina V.M., Novikov V.A., Prudaev I.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1911‒1916. DOI: 10.1007/s11182-018-1302-0
56 Shherbakov I.D., Kolesnikova I.I., Lozinskaya A.D., Mikhailov T.A., Novikov V.A., Shemeryankina A.V., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N. GaAs:Cr X-ray sensors noise characteristics investigation by means of amplitude spectrum analysis //Journal of Instrumentation. 2018. Vol. 13, № 1. P. C01030(7pp).
57 Luminescence of Ga2O3 Crystals Excited with a Runaway Electron Beam / Burachenko A.G., Beloplotov D.V., Prudaev I.A., Sorokin D.A. [et al] // Optics and Spectroscopy. 2017. Vol. 123, № 6. P. 867‒870. DOI: 10.1134/S0030400X17110042
58 С.С. Хлудков, И.А. Прудаев, О.П. Толбанов. Получение и исследование нитрида индия, обладающего ферромагнитными свойствами // Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 113‒121.
59 И.Л. Ремизова, В.М. Калыгина, О.П. Толбанов. Механизм проводимости гетеропереходов Ga2O3-GaAs //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2 "Физика взаимодействия электромагнитного излучения с веществом". С. 241-245.
60 В.М. Калыгина, И.А. Прудаев, И.Л. Ремизова, О.П. Толбанов. Фотоэлектрические характеристики структур металл - Ga2O3 - GaAs //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2 "Физика взаимодействия электромагнитного излучения с веществом". С. 236-240.