ТГУ.Сотрудники

Толбанов Олег Петрович

Публикации

Общее число записей - 168
41 Space charge formation in chromium compensated GaAs radiation detectors / Belas E., Grill R., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V. [et al] // Journal of Physics D: Applied Physics. 2020. Vol. 53, № 47. P. 475102(4pp). DOI: 10.1088/1361-6463/aba570
42 Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии / Колесникова И.И., Кобцев Д.А., Редькин Р.А., Саркисов С.Ю. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 16‒21. DOI: 10.17223/00213411/63/4/16
43 Алмаев А.В., Яковлев Н.Н., Черников Е.В., Толбанов О.П. Селективные сенсоры двуокиси азота на основе тонких пленок оксида вольфрама при воздействии оптического излучения // Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45, № 20. С. 7‒10. DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48384.17901
44 Chsherbakov I.D., Chsherbakov P.S., Lozinskaya A.D., Mikhailov T.A., Novikov V.A., Shemeryankina A.V., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N., et al., and 1 more. Response of HR-GaAs:Cr sensors to subnanosecond X-and -ray pulses //Journal of Instrumentation. 2019. Vol. 14, № 12. P. C12016(8pp).
45 Lozinskaya A.D., Chsherbakov I.D., Kolesnikova I.I., Mikhailov T.A., Novikov V.A., Shemeryankina A.V., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N. Detailed analysis of quasi-ohmic contacts to high resistive GaAs:Cr structures //Journal of Instrumentation. 2019. Vol. 14, № 11. P. C11026(8pp).
46 Optical Pump - THz Probe Study of SI-GaAs:Cr with Long Charge Carrier Lifetime / Kolesnikova I.I., Kobtsev D.A., Redkin R. A., Sarkisov S.Y. [et al] // 2019 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe & European Quantum Electronics Conference (CLEO® /Europe-EQEC), Munich, 23-27 june 2019. [S. l.]: IEEE, 2019. P. 8871563. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/8871563 (date of access: 27.11.2019). DOI: 10.1109/CLEOE-EQEC.2019.8871563
47 Almaev A.V., Yakovlev N.N., Chernikov E.V., Tolbanov O.P. Selective Sensors of Nitrogen Dioxide Based on Thin Tungsten Oxide Films under Optical Irradiation // Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45, № 10. P. 1016‒1019. DOI: 10.1134/S1063785019100171
48 Greiffenberg D., Chsherbakov I.D., Lozinskaya A.D., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N., Et Al., and 21 more. Characterization of GaAs:Cr sensors using the charge-integrating JUNGFRAU readout chip //Journal of Instrumentation. 2019. Vol. 14, № 5. P. P05020(19pp).
49 Chsherbakov I.D., Chsherbakov P.S., Kolesnikova I.I., Lozinskaya A.D., Mihaylov T.A., Novikov V.A., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N. The influence of contact material and its fabrication on X-ray HR-GaAs:Cr sensor noise characteristics //Journal of Instrumentation. 2019. Vol. 14, № 1. P. C01026(9pp).
50 Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P. Prospects for Application of Gallium Arsenide Doped with Transition Metalsas a Material for Spintronics // Semiconductor Nanotechnology : advances in information and energy processing and storage. Cham: Springer International Publishing AG, 2018. P. 117‒144. DOI: 10.1007/978-3-319-91896-9_5
51 Калыгина В.М., Ремизова И.Л., Толбанов О.П. Проводимость гетеропереходов Ga2O3-GaAs // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52, № 2. С. 154—160. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45436.8597
52 Dunaevsky G.E., Dorofeev I.O., Khludkov S.S., Yakubov V.P., Prudaev I.A., Kopylova T.N., Tolbanov O.P., Telminov E.N., Degtyarenko K.M., Nikonov S. Yu., Gadirov R.M., Burtman V., Goodnick S.M., Gilmer D.C., Bersuker G. Semiconductor Nanotechnology: advances in information and energy processing and storage /ed. by: Goodnick S.M., Korkin A., Nemanich R. Switzerland: Springer, 2018. 236 p. (Nanostructure Science and Technology).
53 Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P. Electrical, Structural, and Magnetic Properties of Gallium Arsenide Doped with Iron // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 61, № 3. P. 491‒497. DOI: 10.1007/s11182-018-1424-4
54 Prudaev I.A., Tolbanov O.P., Verkholetov M.G., Koroleva A.D. Charge Carrier Transport and Deep Levels Recharge in Avalanche S-Diodes Based on GaAs // Technical Physics Letters. 2018. Vol. 44, № 6. P. 465‒468. DOI: 10.1134/S106378501806007X
55 Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P. Fabrication and Investigation of Indium Nitride Possessing Ferromagnetic Properties // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 12. P. 2177‒2185. DOI: 10.1007/s11182-018-1343-4
56 Ruat M., Andra M., Lozinskaya A.D., Novikov V.A., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N., et al., and 17 more. Photon counting microstrip X-ray detectors with GaAs sensors //Journal of Instrumentation. 2018. Vol. 13, № 1. P. C01046(10pp).
57 The Mechanism of Superfast Switching of Avalanche S-Diodes Based on GaAs Doped With Cr and Fe / Prudaev I.A., Oleinik V.L., Smirnova T.E., Kopyev V.V. [et al] // IEEE Transactions on Electron Devices. 2018. Vol. 65, № 8. P. 3339‒3344. DOI: 10.1109/TED.2018.2845543
58 Kalygina V.M., Remizova I.L., Tolbanov O.P. Conductivity of Ga2O3-GaAs Heterojunctions //Semiconductors. 2018. Vol. 52, № 2. P. 143-149.
59 Прудаев И.А., Верхолетов М.Г., Королёва А.Д., Толбанов О.П. Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных S-диодов на основе GaAs // Письма в Журнал технической физики. 2018. Т. 44, № 11. С. 21‒29. DOI: 10.21883/PJTF.2018.11.46193.17254
60 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом // Известия вузов. Физика. 2018. Т. 61, № 3. С. 82‒88.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность