ТГУ.Сотрудники

Ивонин Иван Варфоломеевич

Публикации

Общее число записей - 45
1 Ивонин И.В., Эрвье Ю.Ю. К 85-летию профессора Валентина Натановича Брудного // Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 6. С. 98‒99.
2 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Ферромагнитный нитрид галлия, легированный примесями переходных элементов, в качестве материала для спинтроники // Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 11. С. 74‒83. DOI: 10.17223/00213411/67/11/8
3 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Ферромагнитный нитрид галлия, легированный марганцем, в качестве материала для спинтроники // Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 9. С. 5‒19. DOI: 10.17223/00213411/67/9/1
4 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Ферромагнитный нитрид галлия, легированный примесями редкоземельных элементов, в качестве материала для спинтроники // Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 4. С. 59‒72. DOI: 10.17223/00213411/67/4/7
5 Torkhov N.A., Buchelnikova V.A., Mosunov A.A., Ivonin I.V. AFM methods for studying the morphology and micromechanical properties of the membrane of human buccal epithelium cell // Scientific Reports. 2023. Vol. 13, № 1. Art. num. 10917. DOI: 10.1038/s41598-023-33881-x
6 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 2 // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 14‒22. DOI: 10.17223/00213411/66/2/14
7 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1 // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56‒66. DOI: 10.17223/00213411/66/1/56
8 Manufacturing and Properties of Ferromagnetic Aluminum Nitride Doped with Nonmagnetic Impurities / Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P., Ivonin I.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2022. Vol. 65, № 6. P. 909‒923. DOI: 10.1007/s11182-022-02714-1
9 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия / науч. ред.: И.В. Ивонин. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2022. 248 с.
10 Physical mechanisms of the influence of gamma-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n(+)-GaN Schottky contacts / Ivonin I.V., Novikov V.A., Torkhov N.A. [et al] // Semiconductor Science and Technology. 2022. Vol. 37, № 10. Art. num. 105005. DOI: 10.1088/1361-6641/ac7d71
11 Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P., Ivonin I.V. Formation of Dislocations in the Process of Impurity Diffusion in GaAs // Russian Physics Journal. 2022. Vol. 64, № 12. P. 2350‒2356. DOI: 10.1007/s11182-022-02596-3
12 Torkhov N.A., Mosunov A.A., Novikov V.A., Ivonin I.V. Study of tribological properties of human buccal epithelium cell membranes using probe microscopy // Scientific Reports. 2022. Vol. 12, № 1. Art. num. 11302. DOI: 10.1038/s41598-022-14807-5
13 Получение и свойства ферромагнитного нитрида алюминия, легированного немагнитными примесями / Хлудков С.С., Прудаев И.А., Роот Л.О., Толбанов О.П. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 6. С. 3‒16. DOI: 10.17223/00213411/65/6/3
14 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs // Известия вузов. Физика. 2021. № 12. С. 160‒165. DOI: 10.17223/00213411/64/12/160
15 Aluminum Nitride Doped with Transition Metal Group Atoms as a Material for Spintronics / Khludkov S.S., Prudaev I.A., Root L.O., Tolbanov O.P. [et al] // Russian Physics Journal. 2021. Vol. 63, № 11. P. 2013‒2024. DOI: 10.1007/s11182-021-02264-y
16 Нитрид алюминия, легированный переходными металлами, в качестве материала для спинтроники / Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. [и др.] // Известия вузов. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 162‒172. DOI: 10.17223/00213411/63/11/162
17 Laput O.A., Ocheredko A.N., Vasenina I.V., Yan Ch., Goroshkina U.V., Ivonin I.V. Effect of low-temperature plasma barrier discharge on elemental composition and wettability of polylactic acid surface //AIP Conference Proceedings. 2020. Vol. 2310. P. 020179-1-020179-4.
18 Influence of UV radiation on the processes proceeding on the anthracene single crystal surface / Novikov V.A., Kopylova T.N., Ivonin I.V., Gadirov R.M. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 4. P. 599‒606. DOI: 10.1007/s11182-020-02073-9
19 Новиков В.А., Копылова Т.Н., Ивонин И.В., Гадиров Р.М., Терещенко Е.В., Солодова Т.А., Карева К.В. Влияние УФ-излучения на поверхностные процессы монокристаллов антрацена //Известия вузов. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 62-68.
20 Evolution of Surface Morphology of Anthracene Single Crystals Under Annealing / Novikov V.A., Gadirov R.M., Kopylova T.N., Solodova T.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 62, № 6. P. 1073‒1076. DOI: 10.1007/s11182-019-01816-7
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность