ТГУ.Сотрудники

Ивонин Иван Варфоломеевич

Публикации

Общее число записей - 38
1 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 2 // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 14‒22. DOI: 10.17223/00213411/66/2/14
2 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1 // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56‒66. DOI: 10.17223/00213411/66/1/56
3 Manufacturing and Properties of Ferromagnetic Aluminum Nitride Doped with Nonmagnetic Impurities / Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P., Ivonin I.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2022. Vol. 65, № 6. P. 909‒923. DOI: 10.1007/s11182-022-02714-1
4 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия / науч. ред.: И.В. Ивонин. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2022. 248 с.
5 Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P., Ivonin I.V. Formation of Dislocations in the Process of Impurity Diffusion in GaAs // Russian Physics Journal. 2022. Vol. 64, № 12. P. 2350‒2356. DOI: 10.1007/s11182-022-02596-3
6 Torkhov N.A., Mosunov A.A., Novikov V.A., Ivonin I.V. Study of tribological properties of human buccal epithelium cell membranes using probe microscopy // Scientific Reports. 2022. Vol. 12, № 1. Art. num. 11302. DOI: 10.1038/s41598-022-14807-5
7 Получение и свойства ферромагнитного нитрида алюминия, легированного немагнитными примесями / Хлудков С.С., Прудаев И.А., Роот Л.О., Толбанов О.П. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 6. С. 3‒16. DOI: 10.17223/00213411/65/6/3
8 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs // Известия вузов. Физика. 2021. № 12. С. 160‒165. DOI: 10.17223/00213411/64/12/160
9 Aluminum Nitride Doped with Transition Metal Group Atoms as a Material for Spintronics / Khludkov S.S., Prudaev I.A., Root L.O., Tolbanov O.P. [et al] // Russian Physics Journal. 2021. Vol. 63, № 11. P. 2013‒2024. DOI: 10.1007/s11182-021-02264-y
10 Нитрид алюминия, легированный переходными металлами, в качестве материала для спинтроники / Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. [и др.] // Известия вузов. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 162‒172. DOI: 10.17223/00213411/63/11/162
11 Laput O.A., Ocheredko A.N., Vasenina I.V., Yan Ch., Goroshkina U.V., Ivonin I.V. Effect of low-temperature plasma barrier discharge on elemental composition and wettability of polylactic acid surface //AIP Conference Proceedings. 2020. Vol. 2310. P. 020179-1-020179-4.
12 Influence of UV radiation on the processes proceeding on the anthracene single crystal surface / Novikov V.A., Kopylova T.N., Ivonin I.V., Gadirov R.M. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 4. P. 599‒606. DOI: 10.1007/s11182-020-02073-9
13 Новиков В.А., Копылова Т.Н., Ивонин И.В., Гадиров Р.М., Терещенко Е.В., Солодова Т.А., Карева К.В. Влияние УФ-излучения на поверхностные процессы монокристаллов антрацена //Известия вузов. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 62-68.
14 Evolution of Surface Morphology of Anthracene Single Crystals Under Annealing / Novikov V.A., Gadirov R.M., Kopylova T.N., Solodova T.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2019. Vol. 62, № 6. P. 1073‒1076. DOI: 10.1007/s11182-019-01816-7
15 Итоги научно-исследовательской деятельности в 2018 году /ред.: Ивонин И.В., Краснова Т.С., Борило Л.П.; сост.: Нехорошева Л.Н., Головатов М.А., Спивакова Л.Н., Желябовская Д.С., Попова Н.В., Масловский В.И., Климова Т.В., Касаткина Т.В., Шмидт Л.Ф. Томск: Издательский Дом ТГУ, 2019. 175 с.
16 В.А. Новиков, Р.М. Гадиров, Т.Н. Копылова, Т.А. Солодова, И.А. Бобровникова, И.В. Ивонин, Терещенко Е.В. Изменение морфологии поверхности кристаллов антрацена при отжиге //Известия вузов. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 135-138.
17 Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitorswith SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9-300 K / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Novikov V.A., Dzyadukh S.M. [et al] // Thin Solid Films. 2019. Vol. 692. P. 1‒7. DOI: 10.1016/j.tsf.2019.137622
18 Лопасов В.П., Ивонин И.В. Генерация лазерного излучения нового типа для решения наукоемких прикладных задач. Часть II //Фотоника. 2018. Т. 12, № 4 (72). С. 418-435.
19 Лопасов В.П., Ивонин И.В. Генерация лазерного излучения нового типа для решения наукоемких прикладных задач. Часть 1 //Фотоника. 2018. Т. 69, № 1. С. 44-52.
20 Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия /Филонов Н.Г., Ивонин И.В.; под ред.: Филонов Н.Г. Томск: Издательский Дом ТГУ, 2018. 364 с.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность