Formation of Dislocations in the Process of Impurity Diffusion in GaAs
Авторы | автор Хлудков С. С. (Сотрудник), автор Толбанов О. П. (Сотрудник), автор Прудаев И. А. (Сотрудник), автор Ивонин И. В. (Сотрудник) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2022 |
Язык | английский |
Отдел | Физический факультет, Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", каф. физики полупроводников (ФФ), Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике" |
Библиографическая запись | Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P., Ivonin I.V. Formation of Dislocations in the Process of Impurity Diffusion in GaAs // Russian Physics Journal. 2022. Vol. 64, № 12. P. 2350‒2356. DOI: 10.1007/s11182-022-02596-3 |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность