Formation of Dislocations in the Process of Impurity Diffusion in GaAs

Авторы	автор Хлудков С. С. (Сотрудник), автор Толбанов О. П. (Сотрудник), автор Прудаев И. А. (Сотрудник), автор Ивонин И. В. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2022
Язык	английский
Отдел	Физический факультет, Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", каф. физики полупроводников (ФФ), Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике"
Библиографическая запись	Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P., Ivonin I.V. Formation of Dislocations in the Process of Impurity Diffusion in GaAs // Russian Physics Journal. 2022. Vol. 64, № 12. P. 2350‒2356. DOI: 10.1007/s11182-022-02596-3
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность