Physical mechanisms of the influence of gamma-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n(+)-GaN Schottky contacts

Авторы	автор Торхов Н. А. (Сотрудник), автор Новиков В. А. (Сотрудник), автор Ивонин И. В. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2022
Язык	английский
Отдел	Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", Университет, лаборатория детекторов ионизирующего излучения (ЦИР ПТМ), Университет
Библиографическая запись	Physical mechanisms of the influence of gamma-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n(+)-GaN Schottky contacts / Ivonin I.V., Novikov V.A., Torkhov N.A. [et al] // Semiconductor Science and Technology. 2022. Vol. 37, № 10. Art. num. 105005. DOI: 10.1088/1361-6641/ac7d71
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность