Aluminum Nitride Doped with Transition Metal Group Atoms as a Material for Spintronics
Авторы | автор Хлудков С. С. (Сотрудник), автор Прудаев И. А. (Сотрудник), автор Роот Л. О. (Сотрудник другой организации), автор Толбанов О. П. (Сотрудник), автор Ивонин И. В. (Сотрудник) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2021 |
Язык | английский |
Отдел | Центр исследований и разработок «Перспективные технологии в микроэлектронике», Центр исследований и разработок «Перспективные технологии в микроэлектронике» |
Библиографическая запись | Aluminum Nitride Doped with Transition Metal Group Atoms as a Material for Spintronics / Khludkov S.S., Prudaev I.A., Root L.O., Tolbanov O.P. [et al] // Russian Physics Journal. 2021. Vol. 63, № 11. P. 2013‒2024. DOI: 10.1007/s11182-021-02264-y |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность