Ивонин Иван Варфоломеевич

Публикации

Общее число записей - 39
21 Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия /Филонов Н.Г., Ивонин И.В.; под ред.: Филонов Н.Г. Томск: Издательский Дом ТГУ, 2018. 364 с.
22 Итоги научно-исследовательской деятельности в 2017 году /ред.: Ивонин И.В., Краснова Т.С., Борило Л.П.; сост.: Нехорошева Л.Н., Бабкина О.В., Спивакова Л.Н., Желябовская Д.С., Попова Н.В., Масловский В.И., Сапожкова З.В., Касаткина Т.В., Шмидт Л.Ф. Томск: Издательский Дом ТГУ, 2018. 168 с.
23 Определяющие факторы формирования структуры низкотемпературной керамики / Лейцин В.Н., Дмитриева М.А., Ивонин И.В., Пономарев С.В. [и др.] // Физическая мезомеханика. 2017. Т. 20, № 6. С. 77‒85.
24 Tovpinets A.O., Leytsin V.N., Dmitrieva M.A., Ivonin I.V., Ponomarev S.V. Formation of Green compact structure of low-temperature ceramics with taking into account the thermal degradation of the binder // AIP Conference Proceedings. 2017. Vol. 1909. P. 020220-1‒020220-6. DOI: 10.1063/1.5013901
25 Shherbakov A.B., Teplonogova M.A., Ivanova O.S., Shekunova T.O., Ivonin I.V., Baranchikov A.E., Ivanov V.K. Facile method for fabrication of surfactant-free concentrated CeO2 sols //Materials Research Express. 2017. Vol. 4, № 5. P. 4-14.
26 Leytsin V.N., Dmitrieva M.A., Tovpinets A.O., Ivonin I.V., Ponomarev S.V. Analysis of the low temperature ceramics structure with consideration for polydispersity of initial refractory components //AIP Conference Proceedings. 2016. Vol. 1783. P. 020132-1-020132-4.
27 Leytsin V.N., Dmitrieva M.A., Ivonin I.V., Ponomarev S.V., Polyushko V.A. Forecast of geometric characteristics of low-temperature ceramics with multilevel hierarchical pore structure //AIP Conference Proceedings. 2016. Vol. 1783. P. 020131-1-020131-4.
28 Torkhov N.A., Babak L.I., Kolokolov A.A., Salnikov A.S., Dobush I.M., Novikov V.A., Ivonin I.V. Nature of size effects in compact models of field effect transistors //Journal of Applied Physics. 2016. Vol. 119, № 9. P. 094505-094505f.
29 Полюшко В.А., Бирюков Ю.А., Ивонин И.В., Объедков А.Ю. Получение порошков нитрида алюминия с использованием пневмоциркуляционного метода и определение их значимых харакетристик // Известия высших учебных заведений. Порошковая металлургия и функциональные покрытия. 2016. № 1. С. 12‒19.
30 Физика твердого тела : сб. материалов XV Российской научной студенческой конференции (18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия) /ред.: Новиков В.А., Ивонин И.В., Дитенберг И.А., Тухфатуллин А.А., Эрвье Ю.Ю., Гриняев К.В. Томск: Издательский Дом ТГУ, 2016. 276 с.
31 V.A. Novikov, Preobrazhenskij V.V., Ivonin I.V. Effect of the Growth Temperature on the Statistical Parameters of GaN Surface Morphology //Semiconductors. 2014. Vol. 48, № 7. P. 872-874.
32 Бирюков Ю.А., Полюшко В.А., Объедков А.Ю., Ивонин И.В., Глазунов А.А., Ищенко А.Н., Пономарев С.В. Исследования особенностей процессов получения микронных, субмикронных и наноразмерных порошков пневматическим циркуляционным методом //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 8/2. С. 33-37.
33 Бирюков Ю.А., Полюшко В.А., Объедков А.Ю., Ивонин И.В., Глазунов А.А., Ищенко А.Н., Пономарев С.В. Экспериментальные исследования процессов измельчения порошков вольфрама //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 8/2. С. 38-42.
34 Новиков В.А., Преображенский В.В., Ивонин И.В. Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN //Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, № 7. С. 898-901.
35 Брудный В.Н., Войцеховский А.В., Ивонин И.В., Толбанов О.П. Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете //Электронная промышленность. 2014. № 1. С. 7-15.
36 Prudaev I.A., Ivonin I.V., Tolbanov O.P. Current limitation in A3B5 nitride light-emitting diodes under forward bias // Russian Physics Journal. 2012. Vol. 54, № 12. P. 1372‒1374. DOI: 10.1007/s11182-012-9756-y
37 Decomposition of a supersaturated solid solution of Fe in GaAs / Prudaev I.A., Khludkov S.S., Gutakovskii A.K., Novikov V.A. [et al] // Inorganic Materials. 2012. Vol. 48, № 2. P. 93‒95. DOI: 10.1134/S0020168512020161
38 Брудный В.Н., Гущин С.М., Ивонин И.В., Мазалов А.В., Курешов В.А., Мармалюк А.А., Романов И.С., Сабитов Д.Р., Чернов Н.А. Светодитодные гетероструктуры на основе соединений (GaN, AlNm InN), полученные методом МОСГФЭ-эпитаксии //Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 9(2). С. 3-9.
39 Прудаев И.А., Ивонин И.В., Толбанов О.П. Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов А3B5 при прямом смещении //Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. № 12. С. 66-68